等离子体发生装置的线圈和等离子体发生装置制造方法及图纸

本申请实施例提供一种等离子体发生装置的线圈和等离子体发生装置，该线圈包括至少一个由导线卷绕而成的螺旋部，对于所述线圈的至少一个所述螺旋部，所述导线的投影面积Sa与所述螺旋部的外缘所包围的区域的投影面积S的比值为0.07～0.5。本申请的线圈能够改善该线圈导入的电磁场所产生的等离子体的均匀性。导入的电磁场所产生的等离子体的均匀性。导入的电磁场所产生的等离子体的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
等离子体发生装置的线圈和等离子体发生装置


[0001]本申请涉及电子线路领域，尤其涉及一种等离子体发生装置的线圈和等离子体发生装置。

技术介绍

[0002]等离子体发生装置被广泛应用于离子注入，刻蚀以及薄膜沉积等半导体制造工艺中。
[0003]等离子体发生装置包括放电室、等离子体气体导入部及电磁场导入部等。其中，电磁场导入部可以是线圈。例如，在放电室内部或外部的线圈被供给高频电流，以产生交变电磁场，电磁场的能量传送给放电室的腔体内的气体，从而将气体激发为等离子体。
[0004]应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路

[0005]在等离子体发生装置中，需要向等离子工作区域提供所需要能量和密度的等离子体和/或离子。其中，等离子体的密度可以通过离子电流密度来测量。
[0006]本申请的专利技术人发现：现有的等离子体发生装置中，使用平面螺旋线圈产生的等离子体的均匀性欠佳。
[0007]为了解决上述问题或相似的问题，本申请提供一种等离子体发生装置的线圈和等离子体发生装置，在等离子体发生装置的线圈中，将导线的投影面积与线圈的螺旋部的外缘所包围的区域的投影面积的比值设定在适当的范围，由此，能够改善该线圈所产生的等离子体在工作区域内的均匀性，此外，无需校正版等其它辅助工具或额外的控制装置，因此，成本较低，设备简单，使用方便，操作难度下降。
[0008]根据本申请实施例的一个方面，提供一种等离子体发生装置的线圈，所述线圈包括至少一个由导线卷绕而成的螺旋部，对于所述线圈的至少一个所述螺旋部，所述导线的投影面积(Sa)与所述螺旋部的外缘所包围的区域的投影面积(S)的比值为0.07～0.5(即，7％～50％)。
[0009]在至少一个实施例中，在从所述螺旋部的中心指向所述螺旋部的所述外缘的方向上，所述导线非均匀地分布。
[0010]在至少一个实施例中，在从所述螺旋部的中心指向所述螺旋部的所述外缘的方向上，所述导线的分布密度提高。
[0011]在至少一个实施例中，所述螺旋部的中心到所述外缘的距离为第一距离(Di)，
[0012]第二距离是所述第一距离的一半，
[0013]在围绕所述螺旋部的中心，并且距离所述螺旋部的中心的最大距离为所述第二距离的第一区域内：
[0014]所述导线的投影面积(Sa1)与所述第一区域的投影面积(S1)的比值为0～0.5。
[0015]在至少一个实施例中，所述螺旋部中心到所述外缘的距离为第一距离(Di)，
[0016]第二距离是所述第一距离的一半，
[0017]在围绕所述螺旋部的中心，并且距离所述螺旋部的中心的距离大于或等于所述第二距离且小于或等于所述第一距离的第二区域内：
[0018]所述导线的投影面积(Sa2)与所述第二区域的投影面积(S2)的比值为0.2～0.8。
[0019]在至少一个实施例中，所述导线的截面形状的轮廓为由曲线段和/或直线段形成的形状。
[0020]根据本申请实施例的另一个方面，提供一种等离子体发生装置，该等离子体发生装置包括上述实施例的任一方面所述的线圈。
[0021]本申请的有益效果在于：在等离子体发生装置的线圈中，将导线的投影面积与线圈的螺旋部的外缘所包围的区域的投影面积的比值设定在适当的范围，
[0022]参照后文的说明和附图，详细公开了本申请的特定实施方式，指明了本申请的原理可以被采用的方式。应该理解，本申请的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本申请的实施方式包括许多改变、修改和等同。
附图说明
[0023]所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
[0024]图1是本申请第一方面实施例的线圈的一个俯视示意图；
[0025]图2是图1的螺旋部11的外缘111所包围的区域12的一个示意图；
[0026]图3是本申请第一方面的实施例的线圈及其投影的立体示意图；
[0027]图4是作为比较例的线圈的一个立体示意图；
[0028]图5是具有等离子体发生装置的蒸镀设备的一个示意图；
[0029]图6是使用了作为比较例的线圈和本申请的线圈的等离子体发生装置在工作区域的离子电流密度的一个示意图；
[0030]图7是使用图4的作为比较例的线圈和本申请的线圈的等离子体发生装置制备的TiO2薄膜的消光系数k的一个示意图；
[0031]图8是本申请第一方面实施例的线圈的一个变形例的俯视示意图；
[0032]图9是本申请的线圈的导线的截面形状的示意图。
具体实施方式
[0033]参照附图，通过下面的说明书，本申请的前述以及其它特征将变得明显。在说明书和附图中，具体公开了本申请的特定实施方式，其表明了其中可以采用本申请的原则的部分实施方式，应了解的是，本申请不限于所描述的实施方式，相反，本申请包括落入所附权利要求的范围内的全部修改、变型以及等同物。
[0034]在本申请实施例中，术语“第一”、“第二”等用于对不同元素从称谓上进行区分，但
并不表示这些元素的空间排列或时间顺序等，这些元素不应被这些术语所限制。术语“和/或”包括相关联列出的术语的一种或多个中的任何一个和所有组合。术语“包含”、“包括”、“具有”等是指所陈述的特征、元素、元件或组件的存在，但并不排除存在或添加一个或多个其他特征、元素、元件或组件。
[0035]在本申请实施例中，单数形式“一”、“该”等包括复数形式，应广义地理解为“一种”或“一类”而并不是限定为“一个”的含义；此外，术语“该”应理解为既包括单数形式也包括复数形式，除非上下文另外明确指出。此外，术语“根据”应理解为“至少部分根据
……”
，术语“基于”应理解为“至少部分基于
……”
，除非上下文另外明确指出。
[0036]另外，在本申请的下述说明中，为了说明的方便，将螺旋部的中心轴线C延伸的方向称为“轴向”；将以该中心轴线为中心的半径方向称为“径向”；将围绕该中心轴线的方向称为“周向”。上述对于方向的描述只是为了说明方便，并不用于限定本申请的线圈和等离子体发生装置在制造和使用时的方向。
[0037]第一方面的实施例
[0038]本申请第一方面的实施例提供一种等离子体发生装置的线圈。
[0039]图1是本申请第一方面实施例的线圈的一个俯视示意图。图2是图1的螺旋部11的外缘111所包围的区域12的一个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体发生装置的线圈，所述线圈包括至少一个由导线卷绕而成的螺旋部，其特征在于，对于所述线圈的至少一个所述螺旋部，所述导线的投影面积与所述螺旋部的外缘所包围的区域的投影面积的比值为0.07～0.5。2.如权利要求1所述的线圈，其特征在于，在从所述螺旋部的中心指向所述螺旋部的所述外缘的方向上，所述导线非均匀地分布。3.如权利要求2所述的线圈，其特征在于，在从所述螺旋部的中心指向所述螺旋部的所述外缘的方向上，所述导线的分布密度提高。4.如权利要求1至3中任一项所述的线圈，其特征在于，所述螺旋部的中心到所述外缘的距离为第一距离，第二距离是所述第一距离的一半，在围绕所述螺旋部的中心，并且距离所述螺旋部的中心的最大...

【专利技术属性】
技术研发人员：长江亦周，青山贵昭，冈田胜久，渡边健，
申请(专利权)人：株式会社新柯隆，
类型：新型
国别省市：