预测方法和信息处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种预测方法和信息处理装置，预测等离子体蚀刻处理的处理结果。预测方法包括计算工序和预测工序。在计算工序中，计算对配置于腔室内的基板实施了等离子体蚀刻处理时的腔室内的磁场的空间分布值与针对基板进行的等离子体蚀刻处理的处理结果之间的相关关系。在预测工序中，基于计算出的相关关系，根据腔室内的磁场的空间分布值来预测针对基板进行的等离子体蚀刻处理的处理结果。进行的等离子体蚀刻处理的处理结果。进行的等离子体蚀刻处理的处理结果。

【技术实现步骤摘要】
预测方法和信息处理装置


[0001]本公开涉及一种预测方法和信息处理装置。

技术介绍

[0002]专利文献1公开以下一种技术：向设置于处理容器的上部的多个环状线圈通电来使其作为电磁体发挥功能并产生磁场，由此控制在处理容器内生成的等离子体的离子鞘与等离子体本体(日语：
バルクプラズマ
)的界面的梯度。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2015
‑
201552号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种预测等离子体蚀刻处理的处理结果的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]基于本公开的一个方式的预测方法包括计算工序和预测工序。在计算工序中，计算对配置于腔室内的基板实施了等离子体蚀刻处理时的腔室内的磁场的空间分布值与针对基板进行的等离子体蚀刻处理的处理结果之间的相关关系。在预测工序中，基于计算出的相关关系，根据腔室内的磁场的空间分布值来预测针对基板进行的等离子体蚀刻处理的处理结果。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，能够预测等离子体蚀刻处理的处理结果。
附图说明
[0012]图1是表示实施方式所涉及的等离子体处理系统的概要结构的一例的图。
[0013]图2是表示实施方式所涉及的电磁体的概要结构的一例的图。
[0014]图3是表示实施方式所涉及的偏斜的一例的图。/>[0015]图4是表示实施方式所涉及的信息处理装置的概要结构的一例的图。
[0016]图5是用于说明计算实施方式所涉及的相关关系的流程的图。
[0017]图6是表示实施方式所涉及的等离子体处理腔室内的磁场的空间分布的一例的图。
[0018]图7是用于说明预测实施方式所涉及的等离子体蚀刻处理的处理结果的流程的图。
[0019]图8是表示实施方式所涉及的蚀刻速率的验证结果的一例的图。
[0020]图9是表示实施方式所涉及的蚀刻速率的验证结果的另一例的图。
[0021]图10是表示实施方式所涉及的偏斜的验证结果的一例的图。
[0022]图11是用于说明实施方式所涉及的计算处理的处理顺序的一例的图。
[0023]图12A是表示在实施方式所涉及的计算处理中使用的数据的一例的图。
[0024]图12B是表示在实施方式所涉及的计算处理中使用的数据的一例的图。
[0025]图12C是表示在实施方式所涉及的计算处理中使用的数据的一例的图。
[0026]图12D是表示在实施方式所涉及的计算处理中使用的数据的一例的图。
[0027]图12E是表示在实施方式所涉及的计算处理中使用的数据的一例的图。
[0028]图12F是表示在实施方式所涉及的计算处理中使用的数据的一例的图。
[0029]图13是用于说明实施方式所涉及的预测处理的处理顺序的一例的图。
[0030]图14A是表示在实施方式所涉及的预测处理中使用的数据的一例的图。
[0031]图14B是表示在实施方式所涉及的预测处理中使用的数据的一例的图。
[0032]图14C是表示在实施方式所涉及的预测处理中使用的数据的一例的图。
[0033]图14D是表示在实施方式所涉及的预测处理中使用的数据的一例的图。
[0034]图14E是表示在实施方式所涉及的预测处理中使用的数据的一例的图。
[0035]图15是表示实施方式所涉及的等离子体处理系统的概要结构的另一例的图。
[0036]图16是表示实施方式所涉及的预测误差的一例的图。
具体实施方式
[0037]下面，参照附图来详细地说明本申请所公开的预测方法和信息处理装置的实施方式。此外，并不通过本实施方式来限定所公开的预测方法和信息处理装置。
[0038]另外，伴随半导体器件的高集成化、微细化，形成于半导体晶圆的图案的高深宽比化取得进展，图案的凹部变深。例如，在制造3D NAND的柱体(Pillar)工序中，要求垂直地等离子体蚀刻出高深宽比的洞，并与下层的规定位置接触。但是，有时产生洞斜向前进的偏斜(Tilting)之类的现象。偏斜会成为接触不良的原因，因此需要抑制。
[0039]偏斜是由于蚀刻离子的入射方向相对于晶圆面为斜向而引起的。在等离子体蚀刻处理中，通过使等离子体本体与鞘的边界面(下面称为“鞘面”)相对于晶圆面平行，能够使蚀刻离子的入射方向相对于晶圆面垂直。因此，已知以下方法是有效的：在处理容器的上部设置多个环状线圈，对环状线圈通电，使用由电磁体产生的磁场来控制等离子体密度分布，从而调整鞘面。
[0040]但是，在以往的方法中，难以预测等离子体蚀刻处理的处理结果。例如，在以往的方法中，停留于基于经验法则来调整向电磁体供给的电流，难以高精度地预测如果以何种方式控制向电磁体供给的电流则偏斜将如何变化。因此，期待一种预测等离子体蚀刻处理的处理结果的技术。
[0041][实施方式][0042][等离子体处理装置的装置结构][0043]首先，对实施等离子体蚀刻处理的等离子体处理装置的一例进行说明。在下面说明的实施方式中，以将等离子体处理装置设为了系统构成的等离子体处理系统的情况为例进行说明。图1是表示实施方式所涉及的等离子体处理系统的概要结构的一例的图。
[0044]下面，对等离子体处理系统的结构例进行说明。等离子体处理系统包括电容耦合等离子体处理装置1和控制部2。电容耦合等离子体处理装置1包括等离子体处理腔室10、气
体供给部20、电源30以及排气系统40。另外，等离子体处理装置1包括基板支承部11和气体导入部。气体导入部构成为向等离子体处理腔室10内导入至少一种处理气体。气体导入部包括喷淋头13。基板支承部11配置于等离子体处理腔室10内。喷淋头13配置于基板支承部11的上方。在一个实施方式中，喷淋头13构成等离子体处理腔室10的顶部(ceiling)的至少一部分。等离子体处理腔室10具有由喷淋头13、等离子体处理腔室10的侧壁10a以及基板支承部11规定出的等离子体处理空间10s。等离子体处理腔室10具有用于向等离子体处理空间10s供给至少一种处理气体的至少一个气体供给口、以及用于从等离子体处理空间排出气体的至少一个气体排出口。侧壁10a接地。喷淋头13以及基板支承部11与等离子体处理腔室10壳体电绝缘。
[0045]基板支承部11包括主体部111和环组件112。主体部111具有用于支承基板(晶圆)W的中央区域(基板支承面)111a和用于支承环组件112的环状区域(环支承面)111b。俯视观察时，主体部111的环状区域111b包围主体部111的中央区域111a。基板W配置在主体部111的中央区域111a上，环组件112以包围主体部111的中央区域111a上的基板W的方式配置在主体部111的环状区域111b上。在一个实施方式中，主体部1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种预测方法，其特征在于，包括：计算工序，计算对配置于腔室内的基板实施了等离子体蚀刻处理时的所述腔室内的磁场的空间分布值与针对所述基板进行的等离子体蚀刻处理的处理结果之间的相关关系；以及预测工序，基于计算出的相关关系，根据所述腔室内的磁场的空间分布值来预测针对所述基板进行的等离子体蚀刻处理的处理结果。2.根据权利要求1所述的预测方法，其特征在于，根据设置于所述腔室的电磁体的设定电流值来计算所述磁场的空间分布值。3.根据权利要求1或2所述的预测方法，其特征在于，所述磁场的空间分布值为通过主成分分析而得到的主成分的主成分得分。4.根据权利要求3所述的预测方法，其特征在于，所述主成分的数量为设置于所述腔室的电磁体的线圈的数量以下。5.根据权利要求1～4中的任一项所述的预测方法，其特征在于，所述处理结果是通过等离子体蚀刻处理形成的孔的倾斜在基板面内的分布。6.根据权利要求5所述的预测方法，其特征在于，所述孔的倾斜在基板面内的分布是通过X射线测量技术测量出的。7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：八重樫圭太，高良穣二，铃木贵幸，竹田谅平，藤堂飒哉，斋藤祐介，斋野高遥，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：