薄膜形成装置制造方法及图纸

本申请公开一种低折射率薄膜形成装置，包括：用于容纳基板的真空成膜室；用于向所述真空成膜室导入气体的导入机构；用于在所述真空成膜室中形成等离子体的等离子源；所述等离子源能在所述基板上利用所述气体进行等离子体化学气相沉积成膜。本申请所公开的薄膜形成装置能够制造大面积的实用化的且成本的低折射率的薄膜。率的薄膜。率的薄膜。

【技术实现步骤摘要】
薄膜形成装置


[0001]本申请涉及光学薄膜形成领域，尤其涉及一种薄膜形成装置。

技术介绍

[0002]作为图像传感装置的CCD和CMOS，因为其表面上的光反射比银盐照相胶片更强，因此容易产生耀斑和重影。此外，在诸如LCD的平板显示器中，由于在显示表面上的光反射而引起的外部光的反射等问题。因此，这都需要实施防眩处理。
[0003]但是，随着显示密度的提高，光线经过防眩光处理的表面上容易形成漫反射，这就阻碍了图像分辨率的提高。为了减少各种光学产品的基板表面上的反射，有必要有效地形成低折射率的表面层。但是，在现有技术中，难以制造大面积的实用化的且成本较低的低折射率的薄膜。

技术实现思路

[0004]鉴于现有技术的不足，本申请的目的是提供一种薄膜形成装置，以能够制造大面积的实用化的且成本较低的低折射率的薄膜。
[0005]为达到上述目的，本申请提供以下技术方案：
[0006]一种薄膜形成装置，包括：
[0007]用于容纳基板的真空成膜室；
[0008]用于向所述真空成膜室导入气体的导入机构；
[0009]用于在所述真空成膜室中形成等离子体的等离子源；所述等离子源能在所述基板上利用所述气体进行等离子体化学气相沉积形成低折射率薄膜。
[0010]作为一种优选的实施方式，所述等离子源包括：安装于所述真空成膜室外的壳体、位于所述壳体内的天线；所述天线经由电介质部配置在所述真空成膜室外；所述天线具有被施加高频电力的连接部。
[0011]作为一种优选的实施方式，所述天线具有并联的两个涡状线圈。
[0012]作为一种优选的实施方式，所述等离子源的功率可调。
[0013]作为一种优选的实施方式，所述导入机构包括：用于向所述真空成膜室中导入CVD原料气体的第一导入部、以及用于向所述真空成膜室中导入氧气和/或氩气的第二导入部。
[0014]作为一种优选的实施方式，所述CVD原料包括TEOS、HDMS4、HMDSO、SiH4、SiH2、Si(OC2H5)、SiHCL3中的至少一种。
[0015]作为一种优选的实施方式，所述导入机构被设置为导入气体参数可调；所述导入气体参数包括：气体种类、气体流量。
[0016]作为一种优选的实施方式，所述薄膜形成装置包括：
[0017]用于搬运基板的搬运机构；
[0018]用于排气形成真空环境的加载室；
[0019]用于将成膜后的基板卸载的卸载室；所述真空成膜室位于所述加载室和所述卸载
室之间；所述搬运机构搬运所述基板顺次经过所述加载室、所述真空成膜室、所述卸载室。
[0020]作为一种优选的实施方式，所述搬运机构包括搬送辊、或传送带。
[0021]作为一种优选的实施方式，所述低折射率薄膜的折射率在1.5以下。
[0022]有益效果：
[0023]本申请中提供一种薄膜形成装置设有用于形成等离子体的等离子体源和能够导入气体的导入机构，通过导入机构导入氩气、氧气以及CVD原料使得基板位于气相环境中，并在等离子源的等离子体作用下形成化学气相沉积成膜，如此可以实现大面积地形成可实用的介电膜。
[0024]参照后文的说明和附图，详细公开了本专利技术的特定实施方式，指明了本专利技术的原理可以被采用的方式。应该理解，本专利技术的实施方式在范围上并不因而受到限制。
[0025]针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。
[0026]应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1是本申请实施例中提供的一种薄膜形成装置结构示意图；
[0029]图2是图1的真空成膜室结构示意图；
[0030]图3是图2的等离子体源示意图；
[0031]图4是采用图1获得的SiO2膜与玻璃基材反射率曲线对比图；
[0032]图5是采用图1获得的SiO2膜与玻璃基材透光率曲线对比图；
[0033]图6是图1获得的SiO2膜的横切试验结果图。
具体实施方式
[0034]为了使本
的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0035]需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
[0036]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具
体的实施方式的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0037]请参阅图1至图3。本申请实施例中提供一种利用等离子体CVD成膜的低折射率薄膜形成装置。具体的，该薄膜形成装置包括：真空成膜室300、导入机构、以及等离子源10。其中，所述真空成膜室300用于容纳基板40。所述导入机构用于向所述真空成膜室300导入气体。所述等离子源10用于在所述真空成膜室300中形成等离子体。所述等离子源10能在所述基板40上利用所述气体进行等离子体化学气相沉积形成低折射率薄膜。
[0038]本实施方式中的薄膜形成装置能够形成低折射率薄膜，其中，所述低折射率薄膜的折射率在1.5以下。在本实施例中，该折射率可以为薄膜的外表面折射率。当然，有些实施例中，该折射率也可以为薄膜的平均折射率。
[0039]本实施例中提供一种薄膜形成装置设有用于形成等离子体的等离子体源和能够导入气体的导入机构，通过导入机构导入氩气、氧气以及CVD原料使得基板40位于气相环境中，并在等离子源10的等离子体作用下形成化学气相沉积成膜，如此可以实现大面积地形成可实用的介电膜。
[0040]在本申请实施例中，所述等离子源10包括：安装于所述真空成膜室300外的壳体1、位于所述壳体内的天线2；所述天线2经由电介质部5配置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜形成装置，其特征在于，包括：用于容纳基板的真空成膜室；用于向所述真空成膜室导入气体的导入机构；用于在所述真空成膜室中形成等离子体的等离子源；所述等离子源能在所述基板上利用所述气体进行等离子体化学气相沉积形成低折射率薄膜。2.如权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于：所述等离子源包括：安装于所述真空成膜室外的壳体、位于所述壳体内的天线；所述天线经由电介质部配置在所述真空成膜室外；所述天线具有被施加高频电力的连接部。3.如权利要求2所述的薄膜形成装置，其特征在于：所述天线具有并联的两个涡状线圈。4.如权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于：所述等离子源的功率可调。5.如权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于：所述导入机构包括：用于向所述真空成膜室中导入CVD原料气体的第一导入部、以及用于向所述真空成膜室中导入氧气和/或氩气的第二导入部。...

【专利技术属性】
技术研发人员：长江亦周，宫内充祐，高坂佳弘，青山贵昭，远藤光人，
申请(专利权)人：株式会社新柯隆，
类型：发明
国别省市：