一种PECVD设备加热装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种PECVD设备加热装置，包括加热盘以及多根设于加热盘中间区域的支撑杆，所述加热盘内设有多圈加热电阻丝，所述支撑杆位于所述加热电阻丝的内侧，PECVD设备加热装置还包括辐射加热部件，所述辐射加热部件设于所述加热盘的下方。本发明专利技术具有种结构简单、成本低、加热均匀性好、有利于保证工艺效果等优点。等优点。等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种PECVD设备加热装置


[0001]本专利技术涉及PECVD设备，尤其涉及一种PECVD设备加热装置。

技术介绍

[0002]PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)设备是指等离子体增强化学的气相沉积设备。目前PECVD反应腔室一般都是自动装卸片，在装卸片过程中，需要加热盘中间区域的三根支撑杆将基片向上顶升，以让出空间，使机械手能够伸到基片下方进行传送片。
[0003]由于加热盘要为支撑杆让出空间，因此中间区域布置加热电阻丝不方便，并且电阻丝要从此处引出，导致中间区域有一部分无法布置加热电阻丝。在工艺过程中，中间区域会因为没有布置加热电阻丝，其温度会偏低，进而会影响工艺效果。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种结构简单、成本低、有利于保证工艺效果的PECVD设备即热装置。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：
[0006]一种PECVD设备加热装置，包括加热盘以及多根设于加热盘中间区域的支撑杆，所述加热盘内设有多圈加热电阻丝，所述支撑杆位于所述加热电阻丝的内侧，PECVD设备加热装置还包括辐射加热部件，所述辐射加热部件设于所述加热盘的下方。
[0007]作为上述技术方案的进一步改进：
[0008]所述辐射加热部件为面加热部件。
[0009]作为上述技术方案的进一步改进：
[0010]所述辐射加热部件与所述加热盘之间的间距可调。
[0011]与现有技术相比，本专利技术的优点在于：本专利技术公开的PECVD设备加热装置，加热部分包括加热电阻丝和辐射加热部件，加热电阻丝主要依靠热传导将热量传递到加热盘上表面的基片，辐射加热部件主要通过热辐射的方式将热量传递给加热盘中间区域，再由加热盘中间区域的材料通过热传导将热量传递到加热盘上方的基片，辐射加热器对加热盘无法布置加热电阻丝的中间区域进行温度补偿，或者说提供补充热源，确保整个加热盘上表面的温度更加均匀，从而保证工艺效果。
附图说明
[0012]图1是本专利技术PECVD设备加热装置的立体结构示意图。
[0013]图2是本专利技术PECVD设备加热装置的剖视结构示意图。
[0014]图中各标号表示：1、加热盘；2、支撑杆；3、辐射加热部件；4、加热电阻丝；5、基片。
具体实施方式
[0015]以下结合说明书附图和具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。
[0016]图1至图2示出了本专利技术PECVD设备加热装置的一种实施例，本实施例的PECVD设备加热装置，包括加热盘1以及多根设于加热盘1中间区域的支撑杆2，加热盘1内设有多圈加热电阻丝4，支撑杆2位于加热电阻丝4的内侧，PECVD设备加热装置还包括辐射加热部件3，辐射加热部件3设于加热盘1的下方。其中，辐射加热部件3的形状例如可以是圆形、环形或其他异性结构，能够提供补充热源，保证加热盘1表面温区更加均匀即可。
[0017]PECVD设备加热装置，加热部分包括加热电阻丝和辐射加热部件，加热电阻丝主要依靠热传导将热量传递到加热盘上表面的基片，辐射加热部件主要通过热辐射的方式将热量传递给加热盘中间区域，再由加热盘中间区域的材料通过热传导将热量传递到加热盘上方的基片，辐射加热器对加热盘无法布置加热电阻丝的中间区域进行温度补偿，或者说提供补充热源，确保整个加热盘上表面的温度更加均匀，从而保证工艺效果。
[0018]本实施例中，辐射加热部件3为面加热部件。
[0019]本实施例中，辐射加热部件3与加热盘1之间的间距可调。可以在热场调节过程中，调节辐射加热部件3与加热盘1之间的间距，使得加热盘1上表面温区更加均匀。
[0020]虽然本专利技术已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本专利技术。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本专利技术技术方案范围的情况下，都可利用上述揭示的
技术实现思路
对本专利技术技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本专利技术技术方案的内容，依据本专利技术技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均应落在本专利技术技术方案保护的范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PECVD设备加热装置，包括加热盘(1)以及多根设于加热盘(1)中间区域的支撑杆(2)，所述加热盘(1)内设有多圈加热电阻丝(4)，所述支撑杆(2)位于所述加热电阻丝(4)的内侧，其特征在于：PECVD设备加热装置还包括辐射加热部件(3)，所述辐射加热部件...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗才旺，龚俊，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十八研究所，
类型：发明
国别省市：