成膜方法和成膜装置制造方法及图纸

在成膜室(2a)的内部至少设置蒸镀材料和基板(S)，通过排气和/或提供不改变蒸镀材料的组成的气体，将所述成膜室(2a)的内部的包含所述基板(S)的第1区域(A)设定为0.05Pa～100Pa的气氛，将所述成膜室(2a)的内部的包含所述蒸镀材料的第2区域(B)设定为0.05Pa以下的气氛，在上述的状态下，通过真空蒸镀法，在第2区域(B)中使蒸镀材料蒸发，在第1区域(A)中将蒸发出的蒸镀材料成膜在被蒸镀物上。出的蒸镀材料成膜在被蒸镀物上。出的蒸镀材料成膜在被蒸镀物上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】成膜方法和成膜装置


[0001]本专利技术涉及成膜方法和成膜装置，尤其涉及使用了真空蒸镀方法的成膜方法和成膜装置。

技术介绍

[0002]作为摄像元件使用的CCD和CMOS与银盐照相胶片相比，表面上的光反射较强，因此容易产生眩光和重影。另外，在曲率半径较小的透镜中，光线的入射角度根据位置而大不相同，因此在透镜表面的倾斜较大的部分无法保持较低的反射率。此外，在LCD那样的平面显示器中，由显示器表面的光反射导致的外部光的映入成为问题，因此实施了防眩处理，但随着显示器的高密度化的发展，透过液晶的光会在进行了防眩处理的表面上漫反射而妨碍图像的高分辨率化。为了减少这样的基板表面的反射，需要形成低折射率的表面层(非专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]非专利文献
[0005]非专利文献1：反射减少技术的新发展(菊田久雄著，日本光学会会刊“光学”第40卷第1号，2011年1月)

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的课题
[0007]公知在折射率为1.5的玻璃上使用折射率为1.38的氟化镁那样的低折射率材料而形成表面层。然而，即使使用折射率为1.38的低折射率材料，也会残留1.4％的反射。目前，不存在折射率为1.1～1.2这样的低折射率的薄膜材料。
[0008]本专利技术要解决的课题在于，提供能够形成低折射率的膜的成膜方法和成膜装置。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]本专利技术通过一种成膜方法来解决上述课题，在该成膜方法中，在成膜室的内部至少设置蒸镀材料和被蒸镀物，通过排气和/或提供不改变所述蒸镀材料的组成的气体，将所述成膜室的内部的包含所述被蒸镀物的第1区域设定为0.05Pa～100Pa的气氛压力，将所述成膜室的内部的包含所述蒸镀材料的第2区域设定为0.05Pa以下(其中，第1区域的压力≠第2区域的压力，因此在第1区域的气氛压力为0.05Pa的情况下，第2区域的气氛压力小于0.05Pa。以下相同。)的气氛压力，在该状态下，通过真空蒸镀法，在所述第2区域中使所述蒸镀材料蒸发，在所述第1区域中将蒸发出的所述蒸镀材料成膜在所述被蒸镀物上。
[0011]另外，本专利技术通过一种成膜装置来解决上述课题，该成膜装置具有：成膜室，其至少设置有蒸镀材料和被蒸镀物；压力设定装置，其通过排气和/或提供不改变所述蒸镀材料的组成的气体，将所述成膜室的内部的包含所述被蒸镀物的第1区域的气氛压力设定为0.05Pa～100Pa，并且将所述成膜室的内部的包含所述蒸镀材料的第2区域的气氛压力设定为0.05Pa以下；以及控制装置，其在将气氛压力设定为0.05Pa以下的所述第2区域中使所述
蒸镀材料蒸发，在将气氛压力设定为0.05Pa～100Pa的所述第1区域中将蒸发出的所述蒸镀材料成膜在所述被蒸镀物上。
[0012]专利技术效果
[0013]根据本专利技术，由于将成膜室的包含蒸镀材料的第2区域设定为0.05Pa以下的气氛压力，因此能够进行真空蒸镀，另一方面，由于将成膜室的包含被蒸镀物的第1区域设定为0.05Pa～100Pa的气氛压力，因此能够形成低折射率的膜。
附图说明
[0014]图1是示出本专利技术的真空蒸镀装置的第1实施方式的概略纵剖面。
[0015]图2是沿着图1的II
‑
II线的向视图。
[0016]图3是示出图1所示的第1区域A和第2区域B的气氛压力以及第1排气装置和第2排气装置的设定压力的曲线图(纵轴是压力的对数)。
[0017]图4是示出本专利技术的真空蒸镀装置的第2实施方式的概略纵剖面。
[0018]图5是示出本专利技术的真空蒸镀装置的第3实施方式的概略纵剖面。
[0019]图6是示出本专利技术的真空蒸镀装置的第4实施方式的概略纵剖面。
[0020]图7是示出本专利技术的真空蒸镀装置的第5实施方式的概略纵剖面。
[0021]图8是示出本专利技术的真空蒸镀装置的第6实施方式的概略纵剖面。
[0022]图9是示出本专利技术的真空蒸镀装置的第7实施方式的概略纵剖面。
[0023]图10是示出本专利技术的真空蒸镀装置的第8实施方式的概略纵剖面。
[0024]图11是示出本专利技术的真空蒸镀装置的第9实施方式的概略纵剖面。
具体实施方式
[0025]《第1实施方式》
[0026]以下，根据附图对本专利技术的实施方式进行说明。图1是示出作为本专利技术的成膜装置的第1实施方式的真空蒸镀装置1的概略纵剖面，图2是沿着图1的II
‑
II线的向视图。另外，真空蒸镀装置1也是实施本专利技术的成膜方法的装置。
[0027]本实施方式的真空蒸镀装置1具有：壳体2，其实质上构成成为密闭空间的成膜室2a；第1排气装置3，其用于对成膜室2a的内部整体进行减压；第2排气装置4，其对成膜室2a的内部的第2区域B进行局部减压；基板保持架5，其对作为被蒸镀物的基板S进行保持；蒸镀机构6；遮蔽部件7，其阻挡第1排气装置3和/或第2排气装置4对包含基板保持架5所保持的基板S的第1区域A的一部分减压作用；喷嘴8和气体提供源9，它们向第1区域A导入规定的气体；以及控制装置10，其执行如下的控制：一边控制成膜室2a的内部的气氛压力，一边使蒸镀材料蒸发，从而在基板S上将蒸发出的蒸镀材料成膜。
[0028]本实施方式的真空蒸镀装置1具有壳体2，该壳体2由具有上表面(顶面)、下表面(底面)以及多个侧面的箱形、或者具有上表面(顶面)、下表面(底面)以及曲面状的侧面的筒形构成，该壳体2的内部实质上构成作为密闭空间的成膜室2a。在图1所示的真空蒸镀装置1的姿势中，为了方便，将壳体2的上侧的面称为上表面，将下侧的面称为下表面，将横向侧的面称为侧面，但这只是用于对壳体2与设置于该壳体2的第1排气装置3、基板保持架5以及蒸镀机构6的相对位置关系进行说明的方便的定义，并没有绝对地定义实际设置的真空
蒸镀装置1的姿势。
[0029]例如，图1所示的实施方式的真空蒸镀装置1将基板保持架5和蒸镀机构6沿上下方向(铅垂方向)配置，但本专利技术的成膜方法和成膜装置并不限定于该配置，也可以将基板保持架5和蒸镀机构6沿左右方向、水平方向或者倾斜方向配置。另外，图1所示的实施方式的真空蒸镀装置1由于将基板保持架5和蒸镀机构6沿上下方向(铅垂方向)配置，因此根据其布局的关系，将第1排气装置3配置于壳体2的侧面，将第2排气装置4配置于壳体2的下表面，但本专利技术的成膜方法和成膜装置并不限定于该配置，第1排气装置3和第2排气装置4能够相对于壳体2配置于适当的部位。
[0030]如图1所示，第1排气装置3经由闸阀3a而设置于壳体2的侧面的大致中央。闸阀3a是对第1排气装置3和成膜室2a进行开闭的气密阀，在对成膜室2a进行减压的情况下，打开闸阀3a。另一方面，在经由未图示的开口部而将基板S投入到成膜室2a的情况或将结束了成膜的基板S从成膜室2a中取出的情况等下，关闭闸阀3a。作为第1排气装置3，能够举出涡轮分子泵(TMP)和恒压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种成膜方法，其中，在成膜室的内部至少设置蒸镀材料和被蒸镀物，通过排气和/或提供不改变所述蒸镀材料的组成的气体，将所述成膜室的内部的包含所述被蒸镀物的第1区域的气氛压力设定为0.05Pa～100Pa，将所述成膜室的内部的包含所述蒸镀材料的第2区域的气氛压力设定为0.05Pa以下，在上述的状态下，通过真空蒸镀法，在所述第2区域中使所述蒸镀材料蒸发，在所述第1区域中将蒸发出的所述蒸镀材料成膜在所述被蒸镀物上。2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，形成折射率为1.38以下且铅笔硬度为2B以上的膜。3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其中，所述蒸镀材料是SiO2。4.一种成膜装置，其具有：成膜室，其至少设置有蒸镀材料和被蒸镀物；压力设定装置，其通过排气和/或提供不改变所述蒸镀材料的组成的气体，将所述成膜室的内部的包含所述被蒸镀物的第1区域的气氛压力设定为0.05Pa～100Pa，并且将所述成膜室的内部的包含所述蒸镀材料的第2区域的气氛压力设定为0.05Pa以下；以及控制装置，其在将气氛压力设定为0.05Pa以下的所述第2区域中使所述蒸镀材料蒸发，在将气氛压力设定为0.05Pa～100Pa的所述第1区域中将蒸发出的所述蒸镀材料成膜在所述被蒸镀物上。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：室谷裕志，宫内充祐，大泷芳幸，长谷川友和，松平学幸，
申请(专利权)人：株式会社新柯隆，
类型：发明
国别省市：