【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及磁记录介质的磁性体薄膜、特别是采用垂直磁记录方式的硬盘的颗粒磁记录膜的成膜中使用的非磁性材料粒子分散型强磁性材料溅射靶，并涉及漏磁通大、用磁控溅射装置溅射时可以得到稳定的放电、并且高密度、溅射时产生的粉粒少的溅射靶。
技术介绍
在磁记录领域中，开发了通过使非磁性材料微细分散到磁性体薄膜中而提高磁特性的技术。作为该技术的一例，在采用垂直磁记录方式的硬盘的记录介质中，采用通过非磁性材料阻断或者减弱了磁记录膜中的磁性粒子间的磁相互作用的颗粒膜，从而提高了作为磁记录介质的各种特性。作为最适合该颗粒膜的材料之一，已知有Co-Cr-Pt-SiO2,该Co-Cr-Pt-SW2的颗粒膜，一般通过将在以Co作为主要成分的强磁性的Co-Cr-Pt合金的基质中均勻地微细分散有非磁性材料S^2的非磁性材料粒子分散型强磁性材料靶进行溅射来制作。这样的非磁性材料粒子分散型强磁性材料溅射靶，由于不可能通过熔融法将非磁性材料粒子均勻地微细分散到强磁性合金基质中，因此普遍公知的是通过粉末冶金法来制造。例如，提出了如下方法将通过急冷凝固法制作的具有合金相的合金粉末与构成陶瓷相的粉末机...
【技术保护点】
１．一种非磁性材料粒子分散型强磁性材料溅射靶，包含合金与非磁性材料粒子的混合体，所述合金含有５摩尔％以上且２０摩尔％以下的Ｃｒ、余量为Ｃｏ，所述溅射靶的特征在于，该靶的组织含有在合金中均匀地微细分散有所述非磁性材料粒子的相（Ａ）以及所述相（Ａ）中的、在靶中所占的体积比率为４％以上且４０％以下的球形的合金相（Ｂ）。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤敦，
申请(专利权)人：吉坤日矿日石金属株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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