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本发明是提供可抑制使用溅射法的氧化物半导体膜成膜时产生异常放电，可连续稳定成膜的溅射靶。提供具有稀土氧化物Ｃ型的结晶结构、表面无白点（溅射靶表面上所产生的凹凸等的外观不良）的溅射靶用的氧化物。本发明提供具有方铁锰矿结构的含有氧化铟、氧化镓、...
该专利属于出光兴产株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过出光兴产株式会社授权不得商用。

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