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本发明提供含有Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ的氧化物半导体用溅射靶材及其制造方法，以及使用溅射靶材的氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管的形成方法。其中溅射靶材由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结含有具有ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）所示同系结晶结构的化合物，且Ｘ射线衍射...
该专利属于出光兴产株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过出光兴产株式会社授权不得商用。

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