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溅射装置、薄膜形成方法和场效应晶体管的制造方法制造方法及图纸
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下载溅射装置、薄膜形成方法和场效应晶体管的制造方法的技术资料
文档序号:7153224
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本发明提供一种可减少衬底层损伤的溅射装置、薄膜形成方法和场效应晶体管的制造方法。在本发明所述的溅射装置中,沿着排列在真空室内部的多个靶部Tc1~Tc5的排列方向依次使其产生溅射,以使在基板10的表面形成薄膜。因此本发明可以提高溅射粒子斜向射...
该专利属于株式会社爱发科所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社爱发科授权不得商用。
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