生长衬底移除的串联连接的倒装芯片ＬＥＤ制造技术

在蓝宝石衬底上生长ＬＥＤ层（１８－２２）。通过开槽或者有掩模的离子注入而形成单独的倒装芯片ＬＥＤ。将含有多个ＬＥＤ的模块切割并安装在底座晶片（４４）上。底座金属图案或形成于ＬＥＤ上的金属图案将ＬＥＤ串联连接在模块中。接着比如通过激光剥离移除生长衬底。在安装之前或之后形成半绝缘层，该半绝缘层将ＬＥＤ机械连接在一起。可以通过对位于衬底和ＬＥＤ层之间的层的离子注入而形成该半绝缘层。可以通过偏置半绝缘层进行对在衬底移除之后露出的半绝缘层的ＰＥＣ蚀刻。接着切割底座以产生含有串联连接的ＬＥＤ的ＬＥＤ模块。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及形成发光二极管(LED)，并且具体地涉及同时形成互连的LED的方法。
技术介绍
单独的LED被串联连接跨过电网电压(例如，120VAC),使得LED的组合正向电压略微低于峰值电压。因此，LED在每个AC周期短暂地接通。LED的快速闪烁不为人眼所感知。 这种光源不昂贵，因为不需要DC电流调节器。然而，由于使用许多LED (典型地30-60个)， 将单独的LED安装和互连在电路板上则产生比较大的光发射体。串联连接的LED对于比如汽车的DC应用也是有用的，其中三个LED的并联串列被连接跨过电池电压(标称为12伏特)从而产生任何亮度水平。不使用有源电流源的串联电阻器典型地用于限制这种LED串列中的电流。LED可以是任何颜色且可以甚至具有磷光体涂层以生成白色光。近来，通过移除用于生长GaN LED层的透明蓝宝石生长衬底，GaN LED的效率得到提升。在衬底移除之后，露出的GaN层被蚀刻以减薄该层并且产生粗糙化的表面以增加光提取。需要的是一种在紧凑结构中形成串联LED的高效技术。还需要的是可以可靠地经历衬底移除工艺的这种紧凑LED结构。还需要的是也可以在衬底移除之后可靠地经历蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．　一种制作发光二极管（ＬＥＤ）结构的方法，该方法包含：通过在生长衬底上外延生长Ｎ型层，在该Ｎ型层上外延生长有源层以及在该有源层上外延生长Ｐ型层，形成ＬＥＤ层；通过在单独的ＬＥＤ之间形成隔离区域，电学隔离所述ＬＥＤ层的区域以产生基本上电学隔离的ＬＥＤ；将所述ＬＥＤ安装在底座上，所述ＬＥＤ通过所述隔离区域机械耦合在一起；通过金属图案互连单独的ＬＥＤ的组以至少形成串联的多个ＬＥＤ，同时所述ＬＥＤ通过所述隔离区域机械耦合在一起；移除该生长衬底；以及分离该底座以形成互连的ＬＥＤ的模块。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·R·克拉梅斯，
申请(专利权)人：飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US