光电元件制造技术

本发明专利技术公开了一种光电元件，其包含基板；多个半导体单元彼此之间电性连接且位于基板上，其中这些半导体单元包含第一半导体层、第二半导体层、以及有源区介于其之间；多个第一电极分别位于第一半导体层上；连接部形成于这些半导体单元上以电性串接这些半导体单元；以及多个第二电极分别位于第二半导体层上，其中，这些第一电极中有一个包含第一延伸部，以及这些第二电极中有一个包含第二延伸部。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光元件。
技术介绍
由于固态照明元件中的发光二极管具有低耗电量、低热产生、操作寿命长、耐撞击、体积小、反应速度快以及可发出稳定波长的色光等良好光电特性，因此已广泛应用于家电、仪表的指示灯以及光电产品等。在光电技术发展中，固态照明元件着重于其发光效率、 操作寿命以及亮度，因而预期在不久的将来能成为照明应用的主流。在目前LED以阵列型发光元件的形式被使用，其多适用于高驱动电压的应用，且可减少LED的体积及重量。LED制造者针对阵列型发光元件设计不同的电极布局以满足客户对高驱动电压LED的需求，以降低成本进而提高生产效率。
技术实现思路
本申请提出一种光电元件，包含基板；多个半导体单元，彼此电性连接位于此基板上；其中，每一个半导体单元皆包含第一半导体层，第二半导体层以及介于其之间的有源区；多个第一电极分别位于第一半导体层之上；连接部形成于此多个半导体单元上，电性串接此多个半导体单元；以及多个第二电极分别位于第二半导体层之上；其中，有一个第一电极包含第一延伸部，以及有一个第二电极包含第二延伸部。本申请还提出一种光电元件，包含基板；多个半导体单元，彼此电性连接位于此基板上；其中，每一个半导体单元皆包含第一半导体层，第二半导体层，以及介于其之间的有源区；多个第一电极分别位于第一半导体层之上；连接部形成于此多个半导体单元上以电性串接此多个半导体单元；以及多个第二电极分别位于第二半导体层之上；其中，有一个第一电极包含第一延伸部，以及有一个第二电极包含第二延伸部，其中此多个半导体单元的驱动电压大致相同。本申请另提出一种光电元件，包含基板；多个半导体单元彼此之间电性连接且位于此基板上，其中各半导体单元包含第一半导体层、第二半导体层、以及介于其之间的有源区，多个第一电极分别位于第一半导体层上；以及多个第二电极分别位于第二半导体层上， 其中多个半导体单元包含第一半导体单元，第二半导体单元，以及第三半导体单元，第一电极中的至少一个包含第一电极垫位于基板最外围的第一半导体单元上，以及第二电极中的至少一个包含第二电极垫位于基板最外围的第二半导体单元上，其中第一电极及第二电极包含第一延伸部及第二延伸部位于没有电极垫的第三半导体单元上。本申请再提出一种光电元件，包含基板；多个半导体单元彼此之间电性连接且位于基板上，其中各半导体单元包含第一半导体层、第二半导体层、以及介于其之间的有源区；以及多个第一电极及多个第二电极分别位于多个半导体单元上，其中各半导体单元包含第一半导体单元，第二半导体单元，以及第三半导体单元，第一电极中的至少一个包含第一电极垫位于第一半导体单元的第二半导体层上，以及第二电极中的至少一个包含第二电极垫位于第二半导体单元的第二半导体层上，其中第一电极及第二电极包含第一延伸部及第二延伸部位于没有电极垫的第三半导体单元上。附图说明图1为依本申请实施例所绘示的光电元件俯视图；图2为图1所示的光电元件剖面图；图3为图1所示的光电元件3D立体图；图4为图1所示的光电元件等效电路图；图5为依本申请实施例所绘示的光电元件俯视图；图6为图5所示的光电元件3D立体图；图7为图5所示的光电元件等效电路图；图8为依本申请实施例所绘示的光电元件俯视图；图9为图8所示的光电元件3D立体图；图10为图8所示的光电元件等效电路图；图11为依本申请实施例所绘示的光电元件俯视图；图12为图11所示的光电元件3D立体图；图13为图11所示的光电元件等效电路图；图14为依本申请实施例所绘示的光电元件俯视图；图15为图14所示的光电元件3D立体图；图16为图14所示的光电元件等效电路图；图17为依本申请实施例所绘示的光电元件俯视图；图18为图17所示的光电元件3D立体图；图19为图17所示的光电元件等效电路图；图20为依本申请实施例所绘示的光电元件俯视图；图21为图20所示的光电元件3D立体图；图22为图20所示的光电元件等效电路图；图23为依本申请实施例所绘示的光电元件俯视图；图M为图23所示的光电元件3D立体图；图25为依本申请实施例所绘示的光电元件俯视图。附图标记说明10、20、30、40、50、60、70、80、90 光电元件；11、21、31、41、51、61、71、81 基板；141、241、341、441、541、641、741、841 第一电极；142、242、342、442、542、642、742、842 第二电极；143、243、343443、543、643、743、843 连接部；121第一半导体层；123第二半导体层；122 有源区；170 沟槽；111、311 分割道；1411、2411、3411、4411、5411、6411、7411、8411 第一延伸部；1421、2421、3421、4421、5421、6421、7421、8421 第二延伸部；1412、2412、3412、4412、5412、6412、7412、8412、9412 第一电极垫；1422、2422、3422、4422、5422、6422、7422、8422、9422 第二电极垫；105、106、107、108、109、205、206、207、208、209、305、306、307、308、309、405、406、 407、505、506、507、605、606、607、705、706、707、801、802、803、804、805、806、807 行；151、152、153、154、155、161、162、163、164、165、171、172、173、174、181、182、183、 184、185、191、192、193、194、195、251、252、253、254、255、261、262、263、264、271、272、273、 274、275、281、282、283、284、291、292、293、294、295、351、352、353、354、355、361、362、363、 364、371、372、373、374、375、381、382、383、384、391、392、393、394、395、451、452、453、454、 455、461、462、463、464、465、466、471、472、473、474、475、551、552、553、554、561、562、563、 571、572、573、574、651、652、661、662、663、664、671、672、751、752、761、762、769、771、772、 811、812、871、872 半导体单元；1411a、2411a 第一曲线延伸部；1421a、2421a 第二曲线延伸部；1421b、2421b、3411b、4411a 直线延伸部；1411c、1421c、2411c、3411c、4411c 二阶延伸部；3411a曲线延伸部。具体实施例方式图1揭示符合本申请实施例的光电元件10的俯视图。光电元件10例如为发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、或太阳能电池，包含多个半导体单元形成于基板11上，第一电极141，第二电极142以及连接部143形成于半导体单元上。于本实施例中，光电元件10 为发光二极管(LED)。图2揭示图1中光电元件10沿A-A’线段本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种光电元件，包含：基板；多个半导体单元，彼此之间电性连接且位于该基板上，其中该多个半导体单元每个包含第一半导体层、第二半导体层以及介于其该第一和第二半导体层之间的有源区；多个第一电极，分别位于该第一半导体层上；连接部，形成于该多个半导体单元上以电性串接该多个半导体单元；以及多个第二电极，分别位于该第二半导体层上，其中，该多个第一电极中至少有一个包含第一延伸部，以及该多个第二电极中至少有一个包含第二延伸部。

【技术特征摘要】
2010.07.02 US 12/830,0591.一种光电元件，包含基板；多个半导体单元，彼此之间电性连接且位于该基板上，其中该多个半导体单元每个包含第一半导体层、第二半导体层以及介于其该第一和第二半导体层之间的有源区；多个第一电极，分别位于该第一半导体层上；连接部，形成于该多个半导体单元上以电性串接该多个半导体单元；以及多个第二电极，分别位于该第二半导体层上，其中，该多个第一电极中至少有一个包含第一延伸部，以及该多个第二电极中至少有一个包含第二延伸部。2.如权利要求1的光电元件，其中该多个半导体单元的驱动电压和/或面积大致相同。3.如权利要求2的光电元件，其中该多个半导体单元包含至少两种不同的形状。4.如权利要求1的光电元件，其中该第一延伸部及该第二延伸部中至少有一个包含直线延伸部，且/或该第一延伸部及该第二延伸部中至少有一个包含二阶延伸部。5.如权利要求1的光电元件，其中该多个第一电极分别包含第一延伸部，以及该多个第二电极分别包含第二延伸部。6.如权利要求5的光电元件，其中该多个第一延伸部分别包含第一曲线延伸部，以及该多个第二延伸部分别包含第二曲线延伸部；该第一曲线延伸部及该第二曲线延伸部不平行于该多个半导体单元的任一边。7.如权利要求5的光电元件，其中该多个第一电极分别包含直线延伸部，以及该多个第二电极分别包含直线延伸部。8.如权利要求1的光电元件，其中该多个半导体单元包含第一半导体单元、第二半导体单元、以及第三半导体单元，其中，该多个第一电极中之一包含第一电极垫，该第一电极垫位于该第一半导体单元上，该第一半导体单元位于该基板的角落区上；该多个第二电极中之一包含第二电极垫，该第二电极垫位于该第二半导体单元上，该第二半导体单元位于该基板的另一角落区上；以及该第一延伸部及该第二延伸部位于没有电极垫的该第三半导体单元上。9.如权利要求8的光电元件，其中位于该第一半导体单元上的该第一电极还包含延伸部与该第一电极垫接触，且/或位于该第二半导体单元上的该第二电极还包含延伸部与该第二电极垫接触。10.如权利要求1的光电元件，其中该第一延伸部及该第二延伸部中至少有一个包含曲线延伸部，该曲线延伸部不平行于该多个半导体单元的任一边。11.如权利要求1的光电元件，其中任一该多个半导体单元上的该第一延伸部自该半导体单元的第一边向相对于该第一边的第二边延伸，且该第二延伸部自该半导体单元的该第二边向该第一边延伸，该第一延伸部位于该第二延伸部之间。12.如权利要求1的光电元件，其中该多个半导体单元包含第一、第二、第三及第四半导体单元，该第一及第二半导体单元配置于第一行，且该第三及第四半导体单元配置于与该第一行相邻的第二行。13.如权利要求12的光电元件，其中该第一延伸部及该第二延伸部位于该第一半导体单元上，位于该第三半导体单元上的该第一电极包含第三延伸部，该第一延伸部自该第一半导体单元第一边向该第一半导体单元第二边延伸，该第二延伸部自该第二边向该第一边延伸，其中该第一半导体单元的第一边最接近于基板的第一边，该第一半导体单元的第二边最接近...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈建赋，井长慧，谢明勋，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71