发光二极管及其制作方法技术

一种发光二极管，其包括一透明基板及多个发光结构单元。每个发光结构单元包括N型半导体层、多量子阱活性层、P型半导体层。P型半导体层表面设置有P型接触电极，N型半导体层表面设置有N型接触电极。该发光结构单元进一步包括一从P型半导体层延伸到N型半导体层的凹陷部，该凹陷部内填充有金属材料，且该金属材料延伸至覆盖发光结构单元的表面。该金属材料分为相互绝缘的两部分，形成多个发光结构单元共同进行对外连接的两个电极。本发明专利技术通过在发光结构单元的凹陷部内填充金属材料，由于金属材料具有较好的导热性能，发光层所产生的热量能够迅速传递到金属材料中，有利于发光二极管的散热。本发明专利技术还提供了一种发光二极管的制作方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管，尤其涉及散热性能较好的发光二极管。本专利技术还提供了一种该发光二极管的制作方法。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode, LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光的半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。LED通常包括ρ型半导体层、活性层及η型半导体层。在LED两端施加电压，空穴和电子将会在活性层复合，辐射出光子。LED在应用过程中所面临的一个问题是其散热问题。若LED在工作过程中所产生的热量不能有效地散发，将会影响LED的发光效率。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种散热性能较好的发光二极管。一种发光二极管，其包括一透明基板及在透明基板形成的多个发光结构单元。每个发光结构单元包括依次层叠的N型半导体层、多量子阱活性层、P型半导体层。P型半导体层表面设置有P型接触电极，N型半导体层表面设置有N型接触电极。该发光结构单元进一步包括一凹陷部，该凹陷部从P型半导体层延伸到N型半导体层。该凹陷部内填充有金属材料，且该金属材料延伸至覆盖发光结本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光二极管，其包括一透明基板及在透明基板形成的多个发光结构单元，每个发光结构单元包括依次层叠的Ｎ型半导体层、多量子阱活性层、Ｐ型半导体层，Ｐ型半导体层表面设置有Ｐ型接触电极，Ｎ型半导体层表面设置有Ｎ型接触电极，其特征在于，该发光结构单元进一步包括一凹陷部，该凹陷部从Ｐ型半导体层延伸到Ｎ型半导体层，该凹陷部内填充有金属材料，且该金属材料延伸至覆盖发光结构单元的表面，该金属材料分为相互绝缘的两部分，形成多个发光结构单元共同进行对外连接的两个电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈佳辉，洪梓健，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94