【技术实现步骤摘要】
本技术属于发光器件的制造领域，涉及一种具有静电损伤保护功能的发光器 件及其制造方法。
技术介绍
随着LED光效的不断提高，在某些领域，如液晶背光、汽车照明光源等，已逐渐显 露出LED代替荧光灯、白炽灯的趋势。在通用照明领域，大功率LED也同样具有取代传统光 源的巨大潜力。但是，随着LED芯片单位面积功率的增大和芯片集成度的提高，散热问题和 静电防护问题逐渐成为影响LED稳定性的重要因素。其中，提高静电防护能力是提高LED稳定性的重要要求。目前，一般采用给LED并 联一个反向二极管或双向二极管来提高LED的防静电能力。对于正装芯片或垂直结构芯 片，一般采用将一个防静电二极管和一个LED封装在一起的方法，但该方法增加了生产成 本，且因连接金线的增加而影响了产品的稳定性。倒装芯片一般采用硅片来作为倒装基板。硅电路集成工艺成熟，容易通过掺杂等 工艺低成本的在硅内部制作防静电二极管。请参阅图1A，中国技术专利CN100386891C 公开了一种高抗静电高效发光二极管，其包含利用一导电型半导体材料制作的基板10及 发光二极管芯片20，基板10上制作有集成的双向稳压二极管11...
【技术保护点】
１．一种具有静电损伤保护功能的发光二极管器件，其特征在于：包括发光二极管芯片，其包括一发光区和一静电防护区，其中，该发光区包括一发光二极管，该静电防护区包括至少两个静电防护二极管，该发光二极管和静电防护二极管通过隔离槽相互隔离；倒装基板，其包括一表面绝缘的基底，及覆盖在基底表面上的金属线层；该发光二极管芯片倒装在该倒装基板上，通过该倒装基板上的金属线层，该静电防护二极管串接然后与该发光二极管反向并联。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周玉刚，肖国伟，李永德，许朝军，赖燃兴，姜志荣，
申请(专利权)人：晶科电子广州有限公司，
类型：实用新型
国别省市：81
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