齐纳二极管的制作方法和LED封装器件技术

本发明专利技术公开了齐纳二极管的制作方法和LED封装器件，包括在一基板上载设一临时载体，所述临时载体包括有与所述基板接触的第一接触层、与齐纳二极管接触的第二接触层；将齐纳二极管均匀排布在该临时载体的第二接触层；在均匀排布有齐纳二极管的临时载体上涂覆白色反光胶并固化，使齐纳二极管表面形成一白色反光胶层；研磨去掉齐纳二极管的电极表面的白色反光胶层；去掉所述临时载体和基板；切割得到四周带有反光胶层的齐纳二极管单体。所述LED封装器件包括通过该方法制作的齐纳二极管。通过方法制作的齐纳二极管不仅可以有效地避免吸光效应，而且制作过程不需要增加现有封装设备和工序，同时该方法制作的齐纳二极管良品率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于属于LED
，尤其涉及一种齐纳二极管的制作方法和一种LED封装器件。
技术介绍
齐纳二极管在LED器件中起到稳压及防止静电击穿的保护作用，有效的保证了LED的寿命。但是由于齐纳二极管的材料为硅基底，颜色为深色或黑色，在LED芯片附近吸光严重，实际使用过程中造成光通量损失3-5％，制约了LED效能的提高。为了解决齐纳二极管的吸光效应问题，现有技术中一般通过在齐纳二极管四周覆盖一层反光材料，形成一反光层，将发光二极管的光线反射回去，以减少齐纳二极管对光线的吸收。CN200910149027.6公开了一种发光二极管装置，同时公开了通过蒸镀或溅镀的方法给齐纳二极管四周上反光的材料Al或Ag的
技术实现思路
；但是蒸镀或溅镀的方法不仅需要用到昂贵的设备、制作过程复杂，而且齐纳二极管极易漏电，良率很低，齐纳成本高。CN201310383351.0公开了一种发光二极管封装结构及其制作方法，同时公开了通过点胶的方式直接在齐纳二极管表面涂覆反光胶形成一反光层的
技术实现思路
，但是点涂齐纳二极管工艺很难控制，同时反光胶易覆盖到芯片上，使得芯片的光无法发射出，另外在点胶前需增加了一道点反光胶、烘烤的工序，影响产能与良率。如何在只使用现有封装设备且不增加工序的基础上，既避免了齐纳二极管的吸光效应，又保证良率，同时工艺可控性好、效能提高，显得尤为重要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种齐纳二极管的制作方法，该方法不仅可以有效地避免齐纳二极管的吸光效应，而且不需要增加现有封装设备和工序，同时该方法制作的齐纳二极管良品率高。本专利技术的另一个目的是提供一种LED封装器件，该LED封装器件可以有效地避免二极管的吸光效应。为了实现上述专利技术目的，本专利技术所采用的技术方案如下：齐纳二极管的制作方法，包括：在一基板上载设一临时载体，所述临时载体包括有与所述基板接触的第一接触层、与齐纳二极管接触的第二接触层。将齐纳二极管均匀排布在该临时载体的第二接触层；在均匀排布有齐纳二极管的临时载体上涂覆白色反光胶并固化，使齐纳二极管表面形成一白色反光胶层；研磨去掉齐纳二极管的电极表面的白色反光胶层；去掉所述临时载体和基板；切割得到四周带有反光胶层的齐纳二极管单体。作为一种具体的实施例，所述第一接触层具有粘性，以便于将临时载体粘接在基板上；所述第二接触层具有粘性，以便于将齐纳二极管粘接在临时载体上。进一步地，所述第一接触层的粘度大于第二接触层的粘度。作为一种具体的实施例，在去掉所述临时载体和基板之前，还包括：通过紫外光照射的方式降低或消除所述第一、第二接触层的粘度的步骤。进一步地，所述基板为可透紫外光基板。作为一种具体的实施例，在去掉所述临时载体和基板之前，还包括：通过加热的方式降低或消除所述第一、第二接触层的粘性的步骤。优选地，所述第一、第二接触层的粘度降低幅度为40％以上。作为一种具体的实施例，所述第一、第二接触层的材料为硅胶、环氧树脂、丙烯酸甲酯中的一种或多种。作为一种具体的实施例，所述白色反光胶为不透明热固性胶体，其硬度为邵氏40A-80D，反射率不小于50％。一种LED封装器件，包括有通过上述方法制作的齐纳二极管。本专利技术提供的技术方案具有如下有益效果：本专利技术的齐纳二极管的制作方法，在现有封装设备及工艺上，无需增加额外封装工序及设备通过在基板上负载临时载体，将齐纳二极管排布在所述临时载体表面，再涂覆一层白色反光胶，固化，研磨，去掉所述临时载体和基板，切割后得到四周带有反光胶层的齐纳二极管，有效的降低了齐纳的吸光效应。本方法可控性好，同时不影响封装产能与良率。附图说明图1是本专利技术的齐纳二极管的齐纳二极管俯视图；图2是本专利技术LED封装器件俯视图。图中：11反光胶层12齐纳二极管121齐纳二极管电极21发光二极管22支架23带反光胶层的齐纳二极管具体实施方式为了充分地了解本专利技术的目的、特征和效果，以下将结合附图对本专利技术的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明。实施例1如图1所示，齐纳二极管的制作方法，包括：首先，在一可透紫外光基板上载设一临时载体，所述临时载体包括有与所述基板接触的第一接触层、与齐纳二极管接触的第二接触层。所述第一接触层具有粘性，以便于将临时载体粘接在基板上；所述第二接触层具有粘性，以便于将齐纳二极管粘接在临时载体上。优选地，所述第一接触层的粘度大于第二接触层的粘度。然后，将齐纳二极管12均匀排布在该临时载体的第二接触层。在均匀排布有齐纳二极管12的临时载体上涂覆白色反光胶并通过加热的方式固化，使齐纳二极管12表面形成一白色反光胶层11；其中，所述表面包括齐纳二极管的电极表面和四周。下一步，可通过研磨去掉齐纳二极管的电极表面的白色反光胶层11，使齐纳二极管电极121露出；通过紫外光照射的方式降低或消除所述第一、第二接触层的粘度，优选地，在所述第一、第二接触层的粘度降低幅度达到为40％以上，即可去掉所述临时载体和基板。其中，先将基板与临时载体分离，再将临时载体与带白胶的齐纳二极管模块分离。最后，通过切割，即可得到四周带有反光胶层的齐纳二极管23的单体。其中，所述第一接触层的材料为硅胶、环氧树脂、丙烯酸甲酯中的一种或多种。优选地，第一接触层的材料为硅胶。所述白色反光胶为不透明热固性胶体，其硬度为邵氏40A-80D，，优选地，本实施例中白色反光胶的硬度为邵氏70A，反射率不小于50％。实施例2实施例2与实施例1的技术方案基本相同，其区别点主要在于：本实施例在一基板上载设一临时载体，所述临时载体包括有与所述基板接触的第一接触层、与齐纳二极管接触的第二接触层。其中，所述基板不限制为可透紫外光基板。本实施例通过加热的方式降低或消除所述第一、第二接触层的粘性，优选地，通过加热到180℃以上将第一、第二接触层的粘度降低至初始粘度的80％。其中，白色反光胶的硬度为邵氏50D，反射率为90％。实施例3如图2所示，为本专利技术的一种LED封装器件，其包括有通过实施例1和实施例2所述方法制作的齐纳二极管。具体地，在支架22中固发光二极管21、固通过本专利技术的制作方法所制备的带反光胶层的齐纳二极管23；其中，发光二极管21、带反光胶层的齐纳二极管23正负极与支架22的正负极电气连接；最后通过点胶、烘烤；测试、分bin的步骤完成封装。需要说明的是，本专利技术是在现有技术的基础上进行改进的技术方案，文中未特别说明之本文档来自技高网...

【技术保护点】
齐纳二极管的制作方法，其特征在于，包括：在一基板上载设一临时载体，所述临时载体包括有与所述基板接触的第一接触层、与齐纳二极管接触的第二接触层；将齐纳二极管均匀排布在该临时载体的第二接触层；在均匀排布有齐纳二极管的临时载体上涂覆白色反光胶并固化，使齐纳二极管表面形成一白色反光胶层；研磨去掉齐纳二极管的电极表面的白色反光胶层；去掉所述临时载体和基板；切割得到四周带有反光胶层的齐纳二极管单体。

【技术特征摘要】
1.齐纳二极管的制作方法，其特征在于，包括：
在一基板上载设一临时载体，所述临时载体包括有与所述基板接触的第一接触层、与齐
纳二极管接触的第二接触层；
将齐纳二极管均匀排布在该临时载体的第二接触层；
在均匀排布有齐纳二极管的临时载体上涂覆白色反光胶并固化，使齐纳二极管表面形成
一白色反光胶层；
研磨去掉齐纳二极管的电极表面的白色反光胶层；
去掉所述临时载体和基板；
切割得到四周带有反光胶层的齐纳二极管单体。
2.根据权利要求1所述的齐纳二极管的制作方法，其特征在于：
所述第一接触层具有粘性，以便于将临时载体粘接在基板上；
所述第二接触层具有粘性，以便于将齐纳二极管粘接在临时载体上。
3.根据权利要求2所述的齐纳二极管的制作方法，其特征在于：
所述第一接触层的粘度大于第二接触层的粘度。
4.根据权利要求3所述的齐纳二极管的制作方法，其特征在于：
在去掉所述临时载体和基板之前，还包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚述光，万垂铭，姜志荣，曾照明，区伟能，肖国伟，
申请(专利权)人：晶科电子广州有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44