一种100V肖特基二极管台面制作方法技术

本发明专利技术属于电子元件技术领域，涉及一种100V肖特基二极管台面制作方法。本发明专利技术在于不增加产品尺寸的基础上，通过对势垒区台面腐蚀形成沟槽，达到增加肖特基势垒金属面积、降低正向压降的目的；硅腐蚀液中的HNO3对硅起氧化作用，HF对硅起腐蚀作用，HAC是在腐蚀过程对整个腐蚀过程起缓冲作用，使整个硅的过程沟槽表面均匀光滑；在衬底硅片势垒区上溅射Ni-Pt60合金靶材，形成稳定的Ni-Pt60合金镀层，利用金属Ni与Pt金属的不同特性，降低了漏电流和正向压降，提高了产品结温。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子元件
，涉及一种100V肖特基二极管台面制作方法。
技术介绍
现有的100V肖特基二极管具有以下缺陷： (1)肖特基二极管要减小正向压降，影响正向压降的主要因素是产品的势皇面积，势皇面积越大正向压降越小，增加产品面积才能够增大势皇面积，减小正向压降，产品面积增大产生的副效应就会出现漏电流的增大。随着漏电流增大，产品的结温降低，器件容易出现损坏。(2)肖特基二极管多采用Ni、Ti、Pt作为金属是皇，Ni、Ti是皇高度较低，正向压降较低，接温较低；在工作环境温度较高的情况下，器件容易出现早期失效。Pt势皇结温较高，但正向压降太大。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术存在的问题提供一种100V肖特基二极管台面制作方法。一种100V肖特基二极管台面制作方法，其特征在于，包括以下步骤： (1)、对衬底硅片进行清洗，甩干待用； (2)、对清洗后的衬底硅片进行初始氧化； (3 )、对氧化后的衬底硅片正面进行基区光刻，在衬底硅片P+环上注入硼，再进行退火处理； (4)、对完成退火处理的衬底硅片进行引线孔光刻； (5)、在完成引线孔光刻的衬底硅片势皇区台面上进行台面光刻，形成沟槽图形； (6)、使用硅腐蚀液对衬底硅片势皇区台面上的沟槽图形进行腐蚀，使衬底硅片势皇区台面上形成完整的沟槽； (7)、对完成腐蚀的衬底硅片势皇区上溅射Ni-Pt60合金靶材，形成Ni-Pt60合金镀层； (8)、对完成溅射的衬底硅片依次进行势皇区金属合金、势皇区金属腐蚀和势皇区金属清洗; (9)、对完成势皇区金属清洗的衬底娃片依次进行Ti金属蒸发、Ni金属蒸发和Ag金属蒸发，使得衬底硅片上由内向外形成Ti金属镀层、Ni金属镀层和Ag金属镀层； (10)、对完成金属蒸发的衬底硅片依次进行正面金属光刻、正面金属腐蚀、正面金属去胶和正面金属合金； (11)、对完成正面金属合金的衬底硅片进行电性测试、减薄、背面去应力腐蚀，划片入库。进一步的，步骤（1)中，清洗的具体过程为：依次采用清洗液I和清洗液II在75±5°C温度下对衬底硅片进行清洗，所述清洗液I由順讲20為02和!120按体积比1:1:5混合而成，清洗液II由HCL、H202和Η 20按体积比1:1:5混合而成； 进一步的，步骤(2)中衬底硅片初始氧化的氧化层厚度为7000±200Α ; 进一步的，步骤(5)中，台面光刻的具体过程为:在衬底硅片势皇区台面涂胶，光刻胶粘度为150 土 1SC，涂胶厚度为28500 土 2000Α，将涂胶后的衬底硅片在85 ± 5 °C的烘箱中烘干30±1分钟；在衬底硅片势皇区台面上设置带有沟槽图形1的掩膜版，并在光刻机的汞灯下曝光22±1秒，使掩膜版的沟槽图形成像到衬底硅片势皇区台面上；去除掩膜版后用二甲苯显影10±1秒，然后用乙酸丁脂定影8±1秒；将定影后的衬底硅片在140-155Γ烘箱中烘干30± 1分钟，最后沿沟槽图形1去除光刻胶；(请详细说明该工艺步骤的作用或优点)进一步的，沟槽图形由均匀排布的矩形单元格构成，单元格中设置有相互平行沟槽线，相邻单元格中的沟槽线相互垂直；(请详细说明其作用或优点) 进一步的，步骤(6)中，硅腐蚀液由浓度为49?51%的ΗΝ03、浓度为0.6?0.8%的HF、浓度为2.3?2.9%的HAC和H20按体积比40:3:2:20混合而成； 进一步的，步骤(6)中沟槽的槽宽6±0.lum，槽长30um，槽深0.15±0.02um ； 进一步的，步骤(7)中，N1-Pt60合金中含Ni的质量占40%，Pt的质量占60% ； 进一步的，步骤(9)中，Ti金属镀层厚度为1000±100A，Ni金属镀层厚度为5000 土 lOOA，Ag 金属镀层厚度为 40000 土 ιοοοΑ。 本专利技术具有以下有益效果: 本专利技术在于不增加产品尺寸的基础上，通过对势皇区台面腐蚀形成沟槽，达到增加肖特基势皇金属面积、降低正向压降的目的；娃腐蚀液中的ΗΝ03对娃起氧化作用，HF对娃起腐蚀作用，HAC是在腐蚀过程对整个腐蚀过程起缓冲作用，使整个硅的过程沟槽表面均匀光滑；在衬底娃片势皇区上派射N1-Pt60合金革E材，形成稳定的N1-Pt60合金镀层，利用金属Ni与Pt金属的不同特性，降低了漏电流和正向压降，提高了产品结温。【附图说明】图1为本专利技术的衬底硅片结构示意图。【具体实施方式】实施例1 一种100V肖特基二极管台面制作方法，其特征在于，包括以下步骤: (1)、依次采用清洗液I和清洗液II在70°c温度下对衬底硅片进行清洗，甩干待用，所述清洗液I由ΝΗ3Η20、H202和Η 20按体积比1:1:5混合而成，清洗液II由HCL、Η202和Η 20按体积比1:1:5混合而成； (2)、对清洗后的衬底硅片进行初始氧化，氧化层厚度为6800Α; (3 )、对氧化后的衬底硅片正面进行基区光刻，在衬底硅片Ρ+环上注入硼，再进行退火处理； (4)、对完成退火处理的衬底硅片进行引线孔光刻； (5)、在完成引线孔光刻的衬底硅片势皇区台面上进行台面光刻，台面光刻的具体过程为:在衬底硅片势皇区台面涂胶，光刻胶粘度为149SC，涂胶厚度为26500A，将涂胶后的衬底硅片在80°C的烘箱中烘干29分钟；在衬底硅片势皇区台面上设置带有沟槽图形1的掩膜版，并在光刻机的汞灯下曝光21秒，使掩膜版的沟槽图形1成像到衬底硅片势皇区台面上；去除掩膜版后用二甲苯显影9秒，然后用乙酸丁脂定影7秒；将定影后的衬底硅片在140°C烘箱中烘干29分钟，最后沿沟槽图形1去除光刻胶；沟槽图形1由均匀排布的矩形单元格构成，单元格中设置有相互平行沟槽线，相邻单元格中的沟槽线相互垂直； (6)、使用硅腐蚀液对衬底硅片势皇区台面上的沟槽图形1进行腐蚀，使衬底硅片势皇区台面上形成完整的沟槽；所述硅腐蚀液由浓度为49%的ΗΝ03、浓度为0.6%的HF、浓度为2.3%的HAC和H20按体积比40:3:2:20混合而成；所述沟槽的槽宽5.9um，槽长30um，槽深 0.13um ； (7)、对完成腐蚀的衬底硅片势皇区上溅射N1-Pt60合金靶材，形成N1-Pt60合金镀层，所述N1-Pt60合金中含Ni的质量占40%，Pt的质量占60% ; (8)、对完成溅射的衬底硅片依次进行势皇区金属合金、势皇区金属腐蚀和势皇区金属清洗; (9)、对完成势皇区金属清洗的衬底娃片依次进行Ti金属蒸发、Ni金属蒸发和Ag金属蒸发，使得衬底硅片上由内向外形成Ti金属镀层、Ni金属镀层和Ag金属镀层，所述Ti金属镀层厚度为1000± 100A，Ni金属镀层厚度为4900A，Ag金属镀层厚度为39000A ; (10)、对完成金属蒸发的衬底硅片依次进行正面金属光刻、正面金属腐蚀、正面金属去胶和正面金属合金； (11)、对完成正面金属合金的衬底硅片进行电性测试、减薄、背面去应力腐蚀，划片入库。实施例2 一种100V肖特基二极管台面制作方法，其特征在于，包括以下步骤: (1)、依次采用清洗液I和清洗液II在75°c温度下对衬底硅片进行清洗，甩干待用，所述清洗液I由ΝΗ3Η20、H202和Η 20按体积比1:1:5混合而成，清洗液II由H本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种100V肖特基二极管台面制作方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）、对衬底硅片进行清洗，甩干待用；（2）、对清洗后的衬底硅片进行初始氧化；（3）、对氧化后的衬底硅片正面进行基区光刻，在衬底硅片P+环上注入硼，再进行退火处理；（4）、对完成退火处理的衬底硅片进行引线孔光刻；（5）、在完成引线孔光刻的衬底硅片势垒区台面上进行台面光刻，形成沟槽图形；（6）、使用硅腐蚀液对衬底硅片势垒区台面上的沟槽图形进行腐蚀，使衬底硅片势垒区台面上形成完整的沟槽；（7）、对完成腐蚀的衬底硅片势垒区上溅射Ni‑Pt60合金靶材，形成Ni‑Pt60合金镀层；（8）、对完成溅射的衬底硅片依次进行势垒区金属合金、势垒区金属腐蚀和势垒区金属清洗；（9）、对完成势垒区金属清洗的衬底硅片依次进行Ti金属蒸发、Ni金属蒸发和Ag金属蒸发，使得衬底硅片上由内向外形成Ti金属镀层、Ni金属镀层和Ag金属镀层；（10）、对完成金属蒸发的衬底硅片依次进行正面金属光刻、正面金属腐蚀、正面金属去胶和正面金属合金；（11）、对完成正面金属合金的衬底硅片进行电性测试、减薄、背面去应力腐蚀，划片入库。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张志向，杜林德，
申请(专利权)人：天水天光半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：甘肃;62