一种二极管及其阴极金属化方法技术

本发明专利技术公开了一种二极管及其阴极金属化方法，包括步骤S1：注入N型杂质，形成N型层；步骤S2：在N型层远离P型层的一侧淀积粘附层；步骤S3：对二极管进行激光退火，激活N型层中的杂质粒子，并使得粘附层与N型层之间形成欧姆接触。本发明专利技术所提供的方法，利用激光退火，激活N型层中的杂质粒子，并使得粘附层与N型层之间形成欧姆接触，有效的减少半导体与金属之间的接触电阻，降低二极管的正向通态压降，延长半导体器件的功率循环寿命。另外，该二极管的阴极金属结构简单，粘附性好，应力小，保护半导体器件的芯片结构不被破坏，提高封装的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及二极管金属化领域，特别是涉及。
技术介绍
二极管阴极金属化，是指在二极管的阴极淀积金属薄膜，使二极管正向导通的过程。现有技术中，二极管阴极金属化结构的形成主要是通过蒸发方式，在二极管的阴极表面依次淀积金属T1、金属Ni和金属Ag，分别形成粘附层、阻挡层和导电层。同时，现有技术中，为了提高金属层与半导体之间的接触效果，在淀积金属Ti之间，会先淀积一层金属A1，A1与Si的接触效果好。由于现有技术中，二极管阳极已经进行了工艺，二极管阴极金属化的退火工艺不能在高温下进行，所以杂质激活率低，欧姆接触电阻大，导致器件的正向通态压降大，功率损耗大。同时，由于现有技术中金属层的数量较多，封装可靠性差。因此，如何降低二极管器件的正向通态压降的同时，提高二极管的封装可靠性，是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，用于降低二极管的正向通态压降，提高封装可靠性。为解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案:一种二极管阴极金属化方法，包括步骤S1:注入N型杂质，形成N型层；还包括以下步骤:步骤S2:在所述N型层远离所述P型层的一侧淀积粘附层；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二极管阴极金属化方法，包括步骤S1：注入N型杂质，形成N型层；其特征在于，还包括以下步骤：步骤S2：在所述N型层远离所述P型层的一侧淀积粘附层；步骤S3：对二极管进行激光退火，激活所述N型层中的杂质粒子，并使得所述粘附层与所述N型层之间形成欧姆接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王光明，罗海辉，谭灿健，刘根，
申请(专利权)人：株洲南车时代电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43