发光二极管阵列及其制造方法技术

技术编号:7005064 阅读:204 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术揭示一种LED阵列,其包括具有第一电极的第一LED装置以及具有第二电极的第二LED装置,其中第一与第二LED装置形成在同一基底上并且由间隙隔开,至少一层聚合物材料大致上填充于此间隙内,互连形成在该至少一种聚合物材料上方,且电连接第一与第二电极。本发明专利技术的发光二极管阵列制造成本低、发光效率高。本发明专利技术还提供一种LED阵列的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大致涉及半导体基发光二极管装置,以及,尤其涉及一种。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode, LED)是一种半导体二极管基光源。当二极管是正向偏压的(被接通),电子可以在该装置内与空洞重新结合并以光子的形式释放能量。这种效应被称为电致发光,而光的颜色(对应于光子的能量)是由半导体的能隙确定的。当作为光源使用时,LED与白炽光源相比展示出许多优点。这些优点包括较低的能耗、 较长的寿命、改良的鲁棒性、较小的尺寸、更快的切换以及更好的耐用性及可靠性。图1是一个LED芯片100的立体图,其包括基底102、N型层110、发光层125、以及 P型层130。N触点115与P触点135分别形成在N型层110与P型层130上以制作到该处的电连接。当适当的电压被施加到N触点115与P触点135时,电子离开N型层110并与发光层125内的空洞结合。发光层125内的电子空洞结合产生光线。蓝宝石是一种用于制造基底102的普通材料。N型层110例如可由硅掺杂的氮化铝镓(AWaN)或硅掺杂的氮化镓(GaN)制成。P型层130例如可由镁掺杂的氮化铝镓(AWaN)或镁掺杂的氮化镓本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管阵列,其特征是包括:具有第一电极的第一LED装置;具有第二电极的第二LED装置,其中所述第一与所述第二LED装置形成在同一基底上并由间隙隔开;大致上填充所述间隙的至少一层聚合物材料;以及形成于所述至少一层聚合物材料的上方,电连接所述第一与第二电极的互连。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:洪瑞华卢怡安刘恒
申请(专利权)人:绿种子能源科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:VG

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