【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光器件阵列、用于制造发光器件阵列的方法以及发光器件阵列封装。
技术介绍
由于薄膜生长和薄膜器件元件的发展,使用半导体的3-5族或者2-6族化合物半导体元素的包括发光二极管和激光二极管的发光器件能够呈现各种颜色,例如,红色、绿色和蓝色以及红外线。荧光材料使用或者颜色组合允许发光器件呈现具有优异的光效率的白光。与诸如荧光灯和白炽灯的传统的光源相比,这样的发光器件具有低功率消耗、半永久性使用、快速响应速度、安全以及环保的数个优点。发光器件已经被广泛地应用于光通信装置的发射模块、替代冷阴极荧光灯(CCFL) 的构成液晶显示(LCD)装置的背光的发光二极管背光、替代荧光灯和白炽灯的白色发光二极管照明(lightening)装置、汽车头灯以及甚至交通灯。
技术实现思路
因此,实施例涉及一种发光器件阵列、用于制造发光器件阵列的方法以及发光器件封装。实施例的目的是使得能够平滑地并且有效地执行发光器件的贴片/引线键合工艺。在随后的描述中将会部分地阐述本专利技术的额外的优点和特征,并且部分优点和特征对于已经研究过下面所述的本领域技术人员来说将是显而易见的,或者部分优点或 ...
【技术保护点】
1.一种发光器件阵列,包括:第一支撑构件;至少两个结合层,所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上;第二支撑构件,所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上;发光结构,所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上,所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层;以及第一电极,所述第一电极被布置在所述发光结构上。
【技术特征摘要】
2010.05.24 KR 10-2010-00480581.一种发光器件阵列,包括第一支撑构件;至少两个结合层,所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上;第二支撑构件,所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上;发光结构,所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上,所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层;以及第一电极,所述第一电极被布置在所述发光结构上。2.根据权利要求1所述的发光器件阵列,其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1 10微米。3.根据权利要求1所述的发光器件阵列,其中所述结合层包括凹凸结构,所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上。4.根据权利要求1所述的发光器件阵列,其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接。5.根据权利要求4所述的发光器件阵列,其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同。6.根据权利要求4所述的发光器件阵列,其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同。7.根据权利要求4所述的发光器件阵列,其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同。8.根据权利要求1所述的发光器件阵列,进一步包括欧姆层,所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间。9.根据权利要求8所述的发光器件阵列,进一步包括反射层,所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间。10.根据权利要求9所述的发光器件阵列,进一步包括粘附层,所述粘附层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间。11.根据权利要求1所述的发光器件阵列,其中所述第二支撑构件是导电支撑基板并且所述导电支撑基板包括从由Mo、Si、W、Cu以及Al组成的组或者所述组的合金、Au、Cu合金、Ni-镍、Cu-W以及...
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