发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装技术

本发明专利技术涉及一种发光器件阵列、用于制造发光器件阵列的方法以及发光器件封装。该发光器件阵列包括：第一支撑构件；被布置在第一支撑构件上的至少两个结合层；第二支撑构件，该第二支撑构件被布置在至少两个结合层中的每一个上；发光结构，该发光结构被布置在第二支撑构件上，发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及被布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；以及第一电极，该第一电极被布置在发光结构上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光器件阵列、用于制造发光器件阵列的方法以及发光器件阵列封装。
技术介绍
由于薄膜生长和薄膜器件元件的发展，使用半导体的3-5族或者2-6族化合物半导体元素的包括发光二极管和激光二极管的发光器件能够呈现各种颜色，例如，红色、绿色和蓝色以及红外线。荧光材料使用或者颜色组合允许发光器件呈现具有优异的光效率的白光。与诸如荧光灯和白炽灯的传统的光源相比，这样的发光器件具有低功率消耗、半永久性使用、快速响应速度、安全以及环保的数个优点。发光器件已经被广泛地应用于光通信装置的发射模块、替代冷阴极荧光灯(CCFL) 的构成液晶显示(LCD)装置的背光的发光二极管背光、替代荧光灯和白炽灯的白色发光二极管照明(lightening)装置、汽车头灯以及甚至交通灯。
技术实现思路
因此，实施例涉及一种发光器件阵列、用于制造发光器件阵列的方法以及发光器件封装。实施例的目的是使得能够平滑地并且有效地执行发光器件的贴片/引线键合工艺。在随后的描述中将会部分地阐述本专利技术的额外的优点和特征，并且部分优点和特征对于已经研究过下面所述的本领域技术人员来说将是显而易见的，或者部分优点或特征将通过本专利技术的实践来知晓。通过在给出的描述及其权利要求以及附图中部分地指出的结构可以实现并且获得本专利技术的目的和其它的优点。为了实现这些目的和其它的优点并且根据本专利技术的目的，如在此具体化并且一般性地描述的，一种发光器件阵列，包括第一支撑构件；至少两个结合层，该至少两个结合层被布置在第一支撑构件上；第二支撑构件，该第二支撑构件被布置在至少两个结合层中的每一个上；发光结构，该发光结构被布置在第二支撑构件上，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及被布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；以及第一电极，该第一电极被布置在发光结构上。结合层的边缘可以位于发光结构的边缘以内1 10微米处。结合层可以包括凹凸结构，该凹凸结构形成在第一支撑构件的表面上。发光器件的第二支撑构件可以通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接。金属层的组成的至少预定部分可以与第二支撑构件的组成相同。金属层的组成的至少预定部分可以与结合层的组成相同。金属层的组成的至少预定部分可以与发光结构的组成相同。发光器件阵列可以进一步包括欧姆层，该欧姆层被布置在第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间。发光器件阵列可以进一步包括反射层，该反射层被布置在欧姆层和第二支撑构件之间。发光器件阵列可以进一步包括粘附层，该粘附层被布置在欧姆层和第二支撑构件之间。第二支撑构件可以是导电支撑基板并且导电支撑基板包括从由Mo、Si、W、Cu以及 Al组成的组或者组的合金、Au、Cu合金、Ni-镍、Cu-W以及载具晶圆中选择的材料中的至少一个。欧姆层可以包括从由ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZO、IGT0、AZ0、AT0、GZ0、IZ0N、AGZ0、 IGZO、ZnO,IrOx、RuOx、NiO、RuOx/1TO,Ni/Ir0x/Au、Ni/Ir0x/Au/IT0、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、 Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au以及Hf组成的组中选择的至少一个。反射层可以包括Al、Ag、Pt以及Rh的合金、Al、Ag、Ni、Pt以及Rh中的至少一个。粘附层可以包括从由Au、SnUruALSijgji以及Cu组成的组或者组的合金中选择的至少一个。第一支撑构件可以包括PVC、PAT以及PPT中的一个。 第一支撑构件可以进一步包括环氧树脂。在实施例的另一方面中，发光器件封装包括封装主体；发光器件，该发光器件被布置在封装主体上，发光器件包括至少一个结合层、被布置在至少一个结合层上的导电支撑基板以及被布置在至少一个导电支撑基板上的发光结构，该发光结构包括第二导电类型半导体层、有源层以及第一导电类型半导体层；第一和第二电极，该第一和第二电极被布置在封装主体上，第一和第二电极与发光器件连接；以及填充材料，该填充材料被构造为围绕发光器件。根据发光器件，用于制造发光器件的方法以及发光器件封装，可以改进器件性质和制造效率。要理解的是，实施例的前述的总体描述和下述详细描述是示例性的和解释性的， 并且旨在提供如权利要求书所记载的本专利技术的进一步解释。附图说明被包括以提供本专利技术的进一步理解并且被并入这里构成本申请的一部分的附图示出本专利技术的实施例并且与说明一起用于解释本专利技术的原理。在附图中图1和图2是示出根据本专利技术的实施例的发光器件和发光器件阵列的图；图3至图12是示出用于制造根据本专利技术的实施例的发光器件的方法的图；图13是示出根据本专利技术的实施例的发光器件封装的图；图14是根据本专利技术的实施例的包括发光器件封装的照明装置的分解透视图；以及图15是示出包括发光器件封装的显示装置的图。具体实施例方式现在详细地参考本专利技术的特定实施例，在附图中示出其示例。只要可能，在附图中将会使用相同的附图标记来表示相同或者相似的部件。下面，将会参考附图描述能够实现本专利技术的目的的本专利技术的示例性实施例。如果在实施例的描述中公开了层(膜)、区域、图案以及结构中的每一个形成在衬底、对应的层(膜)、区域、焊盘或者图案中的每一个“上”或者“下”，那么“上”和“下”的表述可以包括“直接形成在上和下”和“间接地形成在上和下并且其间布置有另外的层”。通过附图作为标准来描述每层的“上”和“下”。为了说明和精确起见，层的厚度或者尺寸可以在附图中被夸大、省略或者示意性地示出。附图中所示的每个组件的尺寸可以没有完全地反映真实尺等。图1和图2是示出根据本专利技术的实施例的发光器件和发光器件阵列的图。下面， 将会参考图1和图2描述根据实施例的发光器件和发光器件阵列。每个发光器件经由结合层170结合到根据实施例的发光器件阵列的第一支撑构件。第一支撑构件可以是基底片230，并且基底片230可以支撑发光器件阵列。基底片230可以具有UV带形状或者硅处理的带形状并且它具有足以耐受激光划片工艺的热稳定性。具有粘附性质的环氧树脂可以与PVC、PAT以及PPT中的一个混合以形成基底片230。发光器件的第二支撑构件经由金属层160a与另一发光器件的第二支撑构件连接并且金属层固定第二支撑构件的侧面。第二支撑构件可以是导电支撑基板160。通过激光可以熔融稍后将会描述的金属层160a并且然后再次固化。另外，在图2中并行地连接两个发光器件并且可以经由金属层160a并行地连接三个或者更多发光器件。结合层170可以形成在发光结构的边缘以内1 10微米处。结合层170的宽度可以被构图为比发光器件的宽度窄。发光器件的宽度意指发光结构的宽度。另外，结合层 170不需要形成为与发光结构相同的形状并且结合层170可以形成为圆形、或者矩形或者其它多边形形状，只要它能够将导电支撑基板160固定到稍后将会描述的基底片230。根据结合层170的微结构，微凹凸结构可以形成在结合层的表面上，并且结合层 170的厚度可以不是均勻的。在基于器件单元分离导电支撑基板160之后，在稍后将会描述的下述工艺中，基底片230可以支撑没有相互分离的发光器件。导电支撑基板160可以用作电极。由于此，具有优异的导电性的预定的金属可以用于形成导电支撑基板160。具有高的导热性的预本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件阵列，包括：第一支撑构件；至少两个结合层，所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上；第二支撑构件，所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上；发光结构，所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；以及第一电极，所述第一电极被布置在所述发光结构上。

【技术特征摘要】
2010.05.24 KR 10-2010-00480581.一种发光器件阵列，包括第一支撑构件；至少两个结合层，所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上；第二支撑构件，所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上；发光结构，所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；以及第一电极，所述第一电极被布置在所述发光结构上。2.根据权利要求1所述的发光器件阵列，其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1 10微米。3.根据权利要求1所述的发光器件阵列，其中所述结合层包括凹凸结构，所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上。4.根据权利要求1所述的发光器件阵列，其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接。5.根据权利要求4所述的发光器件阵列，其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同。6.根据权利要求4所述的发光器件阵列，其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同。7.根据权利要求4所述的发光器件阵列，其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同。8.根据权利要求1所述的发光器件阵列，进一步包括欧姆层，所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间。9.根据权利要求8所述的发光器件阵列，进一步包括反射层，所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间。10.根据权利要求9所述的发光器件阵列，进一步包括粘附层，所述粘附层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间。11.根据权利要求1所述的发光器件阵列，其中所述第二支撑构件是导电支撑基板并且所述导电支撑基板包括从由Mo、Si、W、Cu以及Al组成的组或者所述组的合金、Au、Cu合金、Ni-镍、Cu-W以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑畴溶，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR