【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一发光元件,尤其是涉及一具有发光二极管阵列的发光元件。
技术介绍
发光二极管(LED)的 发光原理和结构与传统光源并不相同,具有耗电量低、元件寿命长、无须暖灯时间、反应速度快等优点,再加上其体积小、耐震动、适合量产,容易配合应用需求制成极小或阵列式的元件,在市场上的应用颇为广泛。例如,光学显示装置、激光二极管、交通号志、数据存储装置、通讯装置、照明装置、以及医疗装置等。传统的阵列式发光二极管,如图1所示,包含一蓝宝石绝缘基板10、多个发光叠层 12形成于蓝宝石绝缘基板10上,包含一 ρ型半导体层121、一发光层122、以及一 η型半导体层123。由于蓝宝石基板10不导电,因此于多个发光叠层12之间由蚀刻形成沟渠14后可使各发光叠层12彼此绝缘,另外再通过部分蚀刻多个发光叠层12至η型半导体层123, 分别于η型半导体层123暴露区域以及ρ型半导体层121上形成一第一电极18以及一第二电极16。再通过金属导线19选择性连接多个发光叠层12的第一电极18及第二电极16, 使得多个发光叠层12之间形成串联或并联的电路。
技术实现思路
本专利技术提出一发光元 ...
【技术保护点】
1.一种发光元件,包括:载体;导电接合结构,形成于该载体上;外延结构,位于该导电接合结构上,包括有:至少一第一发光叠层,包括第一半导体层及第二半导体层,其中该第一半导体层及该第二半导体层表面上分别具有一电极;以及至少一第二发光叠层,包括第三半导体层其底面电性导通于该导电接合结构、及第四半导体层其表面具有一电极;以及至少一绝缘部,其位于该第一发光叠层及该导电接合结构间,以使各该第一发光叠层绝缘于该导电接合结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:姚久琳,谢明勋,刘文煌,
申请(专利权)人:晶元光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71
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