发光元件制造技术

技术编号:6866940 阅读:255 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开一种发光元件,包括一载体、一形成于载体上的一导电接合结构、一形成于导电接合结构上的外延结构、以及设于外延结构及导电接合结构间的至少一绝缘部,其中外延结构包括有第一发光叠层及第二发光叠层,其中第一发光叠层表面上具有两极性相异的电极,第二发光叠层底部电性导通于导电接合结构且表面具有一电极。所述绝缘部设于第一发光叠层下,以使第一发光叠层绝缘于导电接合结构,再搭配至少一设于发光元件表面的金属导线以通过导电接合结构而电连接各发光叠层,以使各发光叠层间达成并联或串联的连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一发光元件,尤其是涉及一具有发光二极管阵列的发光元件。
技术介绍
发光二极管(LED)的 发光原理和结构与传统光源并不相同,具有耗电量低、元件寿命长、无须暖灯时间、反应速度快等优点,再加上其体积小、耐震动、适合量产,容易配合应用需求制成极小或阵列式的元件,在市场上的应用颇为广泛。例如,光学显示装置、激光二极管、交通号志、数据存储装置、通讯装置、照明装置、以及医疗装置等。传统的阵列式发光二极管,如图1所示,包含一蓝宝石绝缘基板10、多个发光叠层 12形成于蓝宝石绝缘基板10上,包含一 ρ型半导体层121、一发光层122、以及一 η型半导体层123。由于蓝宝石基板10不导电,因此于多个发光叠层12之间由蚀刻形成沟渠14后可使各发光叠层12彼此绝缘,另外再通过部分蚀刻多个发光叠层12至η型半导体层123, 分别于η型半导体层123暴露区域以及ρ型半导体层121上形成一第一电极18以及一第二电极16。再通过金属导线19选择性连接多个发光叠层12的第一电极18及第二电极16, 使得多个发光叠层12之间形成串联或并联的电路。
技术实现思路
本专利技术提出一发光元件,包括一载体;一导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件,包括:载体;导电接合结构,形成于该载体上;外延结构,位于该导电接合结构上,包括有:至少一第一发光叠层,包括第一半导体层及第二半导体层,其中该第一半导体层及该第二半导体层表面上分别具有一电极;以及至少一第二发光叠层,包括第三半导体层其底面电性导通于该导电接合结构、及第四半导体层其表面具有一电极;以及至少一绝缘部,其位于该第一发光叠层及该导电接合结构间,以使各该第一发光叠层绝缘于该导电接合结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:姚久琳谢明勋刘文煌
申请(专利权)人:晶元光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:71

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