本发明专利技术提供一种半导体发光元件、发光装置、照明装置、显示装置、信号灯器和道路信息装置，所述半导体发光元件不用在外部设置保护元件就能够在静电和过电压下得到保护。发光元件(100)在矩形形状的基板(1)的一个对角线上的角部附近，以分开的方式分别形成LED结构，所述LED结构由对n型半导体层(LED结构)(20)、活性层(未图示)以及p型半导体层(3)进行层压的半导体层所构成。另外，在基板(1)的另一个对角线上的角部附近，分别形成俯视为圆形的焊接电极(71、71)。此外，在基板(1)的相对置的边缘附近，形成由n型半导体层(22)、(21)所构成的电阻元件。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体发光元件、具备该半导体发光元件的发光装置、具备该发光装置的照明装置、显示装置、信号灯器以及道路信息装置，所述半导体发光元件是在基板上形成了对η型半导体层、活性层以及ρ型半导体层进行层压的半导体层。
技术介绍
现在，与作为光源而被使用的荧光灯或白炽灯等相比，作为光源的发光二极管由于其省电且寿命长的原因而备受瞩目，所述发光二极管不仅用于照明光源，而且也被用于照明开关、后退灯光源、灯饰光源、娱乐设备的装饰等广泛的领域中。这种发光二极管具有根据用途可以发出蓝色、蓝绿色、绿色、红色等所需要的单色光的发光二极管；或者以一个组件发出红色、绿色、蓝色的多色光的发光二极管。另外，通过与荧光体的组合而能够发出白色光的发光二极管也被制成了产品。例如，已公开了一种具有良好的发光效率以及发光光度的白色的发光二极管(发光装置)(参照日本特开2004-161789号公报)，其具备对LED芯片(半导体发光元件)进行包围的包围部，并包括因规定波长的光而被激发发光的荧光体。
技术实现思路
但是，日本特开2004-161789号公报中的发光二极管(发光装置)在组件内具备一个LED芯片(半导体发光元件)，为了获得所希望的亮度，需要对外部电路进行设计以使其中有对应于该亮度的电流流过。另外，为了在静电或过电压中保护发光二极管，需要在外部电路上连接作为保护元件的齐纳二极管等，这是引起部件件数的增加和成本提高的主要原因。特别是在使用多个发光二极管的装置等中，由于对应于发光二极管的数量，齐纳二极管等保护元件的数量也会增加，因此，从部件件数的减少、节省空间或者降低成本的观点看已经产生了问题。本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种半导体发光元件、具备该半导体发光元件的发光装置、具备该发光装置的照明装置、显示装置、信号灯器以及道路信息装置，所述半导体发光元件不用在外部设置保护元件就能够在静电和过电压下得到保护。本专利技术的半导体发光元件为，一种在基板上形成了对η型半导体层、活性层以及ρ 型半导体层进行层压的半导体层的半导体发光元件，其特征在于，具备第一焊接电极，其与所述半导体层的η型半导体层或者ρ型半导体层的任意一种类型的层进行连接；第一电阻用的η型半导体层，其与所述半导体层分开并形成在所述基板上；第二焊接电极和第一电极，其以隔开的方式形成在该第一电阻用的η型半导体层的表面上；第一配线层，其用于对该第一电极和所述半导体层的另一种类型的层进行连接。本专利技术的半导体发光元件的特征为，具备其他半导体层，其与所述半导体层分开并形成在所述基板上；第二配线层，其用于对所述半导体层的η型半导体层和所述其他半导体层的P型半导体层进行连接，并且对所述半导体层的P型半导体层和所述其他半导体层的η型半导体层进行连接。本专利技术的半导体发光元件的特征为，具备第二电阻用的η型半导体层，其与所述半导体层分开并形成在所述基板上；所述第一焊接电极和第二电极，其以隔开的方式形成在该第二电阻用的η型半导体层的表面上；第三配线层，其用于对该第二电极和所述半导体层的η型半导体层或者ρ型半导体层的任意一种类型的层进行连接。本专利技术的半导体发光元件的特征为，所述基板为矩形形状，在所述基板的一个对角线上的角部附近分别形成所述半导体层；在所述基板的另一个对角线上的角部附近分别形成所述焊接电极；在所述基板周边的至少一边的附近，形成有所述电阻用的η型半导体层。本专利技术的半导体发光元件的特征为，所述电阻用的η型半导体层的电阻值为 100 Ω 5000 Ω。本专利技术的发光装置的特征为，具备所述专利技术的任意一个半导体发光元件；以及用于收纳该半导体发光元件的收纳部。本专利技术的照明装置的特征为，具备所述专利技术的发光装置。本专利技术的显示装置的特征为，具备所述专利技术的发光装置。本专利技术的信号灯器的特征为，具备所述专利技术的发光装置。本专利技术的道路信息装置的特征为，具备所述专利技术的发光装置。在本专利技术中，具备第一焊接电极，其与半导体层的η型半导体层或ρ型半导体层的任意一种类型的层进行连接；第一电阻用的η型半导体层，其与半导体层分开并形成在基板上；第二焊接电极和第一电极，其以隔开的方式形成在该第一电阻用的η型半导体层的表面上；第一配线层，其用于对该第一电极和半导体层的另一种类型的层进行连接。由此，相对于LED结构(半导体层)而串联连接了利用η型半导体层的电阻元件，由于在一个半导体发光元件内也包括电阻元件，因此不需要用于设定电流值的外部电阻，从而能够实现部件件数的进一步减少、节省空间或者降低成本，并且也不需要为了获得所希望的亮度而对于在LED中流动的电流进行设定的电路设计，仅通过施加预先规定的电压就能够获得所希望的亮度。在本专利技术中，具备其他半导体层，其与半导体层分开并形成在基板上；第二配线层，其用于对该半导体层的η型半导体层和其他半导体层的ρ型半导体层进行连接，并且对该半导体层的P型半导体层和其他半导体层的η型半导体层进行连接。即、用配线层对一个半导体层的η型半导体层和其他半导体层的P型半导体层进行连接，并且用配线层对一个半导体层的P型半导体层和其他半导体层的η型半导体层进行连接。通过在一个半导体发光元件内形成了逆向并列连接的一对LED结构(半导体层)，从而在将一个LED结构作为发光元件进行使用时，由于其他的LED结构可以降低对该一个LED结构所施加的静电和过电压，因此不用在外部设置保护元件就能够在静电和过电压下得到保护。另外，也能够实现部件件数的减少、节省空间或者降低成本等。在本专利技术中，具备第二电阻用的η型半导体层，其与半导体层分开并形成在基板上；第一焊接电极和第二电极，其以隔开的方式形成在第二电阻用的η型半导体层的表面上；第三配线层，其用于对第二电极和半导体层的η型半导体层或者P型半导体层的任意一种类型的层进行连接。由此，相对于LED结构(半导体层)而串联连接有多个利用η型半导体层的电阻元件，可以扩大电阻元件值的调节范围，并且不需要为了获得所希望的亮度而对于在LED中流动的电流进行设定的电路设计，仅通过施加预先规定的电压就能够获得所希望的亮度。在本专利技术中，基板为矩形形状，在基板的一个对角线上的角部附近分别形成半导体层，在基板的另一个对角线上的角部附近分别形成焊接电极，在基板周边的至少一边附近，形成有电阻用的η型半导体层。由此，可以在一个组件内组装两个LED结构以及两个电阻元件，由于一个LED结构作为在静电或过电压中能保护另一个LED结构的保护元件而发挥功能，因此不需要外部电路，就能够在静电和过电压下得到保护，并且可以制成仅通过施加规定电压就能够获得所希望亮度的半导体发光元件。在本专利技术中，电阻用的η型半导体层的电阻值为100 Ω 5000 Ω。电阻值可以通过改变η型半导体层的长度、宽度或厚度而达到期望值。由此，不需要为了获得所希望的亮度而对于在LED中流动的电流进行设定的电路设计，仅通过施加预先规定的电压就能够获得所希望的亮度。在本专利技术中，发光装置中收纳有上述的半导体发光元件。由此，可以在静电和过电压下得到保护，另外，可以提供一种能够实现部件件数的减少、节省空间或降低成本的发光直ο在本专利技术中，通过具备上述的发光装置，可以在静电和过电压下得到保护，而且， 还可以提供一种能够实现部件件数的减少、节省空间或降低成本的照明装置本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种半导体发光元件，其在基板上形成了对ｎ型半导体层、活性层以及ｐ型半导体层进行层压的半导体层，其特征在于，具备：第一焊接电极，其与所述半导体层的ｎ型半导体层或者ｐ型半导体层的任意一种类型的层进行连接；第一电阻用的ｎ型半导体层，其与所述半导体层分开并形成在所述基板上；第二焊接电极和第一电极，其以隔开的方式形成在该第一电阻用的ｎ型半导体层的表面上；第一配线层，其用于对该第一电极和所述半导体层的另一种类型的层进行连接。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：须田修平，
申请(专利权)人：星和电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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