基体保护膜、附着防止构件及附着防止构件的形成方法技术

提供能够超过基于静电排斥力的降低物质附着的效果地降低物质向基体表面的附着的基体保护膜。在基体1表面上形成包含带电物质并具有静电排斥力的第一层(电荷保持层3)，在该第一层的表面上形成对表面自由能进行控制的第二层(由官能团长度小于1nm并且50mJ/m

Matrix Protective Film, Attachment Preventing Component and Attachment Preventing Component Formation Method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基体保护膜、附着防止构件及附着防止构件的形成方法
本专利技术涉及降低物质向基体(例如玻璃制成、树脂制成的基体)的表面附着的基体保护膜、以及在表面上形成有那样的基体保护膜的附着防止构件及其形成方法。
技术介绍
作为降低物质(污染物质等)向基体的表面附着的技术，提出有在专利文献1、2所记载的技术。在专利文献1、2所记载的技术中，通过在基体的表面保持电荷，而利用静电排斥力来降低物质的附着。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第4926176号专利文献2：日本专利第5624458号
技术实现思路
专利技术要解决的问题如上述专利文献1、2所记载的技术那样，虽然能够通过在基体的表面保持电荷，而利用静电排斥力来降低物质的附着力，但是越发要求超过这样的利用静电排斥力来降低物质附着的效果地、降低物质对基体表面的附着力。本专利技术考虑了那样的实际情况而完成，其目的在于，提供能够超过利用静电排斥力来降低物质附着的效果地降低物质对基体表面的附着的基体保护膜，以及提供在表面上形成有那样的基体保护膜的附着防止构件及其形成方法。用于解决问题的手段本专利技术的基体保护膜是降低物质向基体的表面附着的基体保护膜，所述基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基体保护膜，是降低物质向基体的表面附着的基体保护膜，所述基体保护膜的特征在于，所述基体保护膜由包含带电物质并具有静电排斥力的第一层、以及对表面自由能进行控制的第二层构成，所述第一层形成于所述基体表面上，所述第二层形成于该第一层的表面上，所述第二层由50mJ/m

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.24 JP 2017-0101231.一种基体保护膜，是降低物质向基体的表面附着的基体保护膜，所述基体保护膜的特征在于，所述基体保护膜由包含带电物质并具有静电排斥力的第一层、以及对表面自由能进行控制的第二层构成，所述第一层形成于所述基体表面上，所述第二层形成于该第一层的表面上，所述第二层由50mJ/m2以下的低表面自由能的官能团形成，该第二层的厚度小于1nm。2.根据权利要求1所述的基体保护膜，其特征在于，所述官能团为作为自组装单分子膜的甲基或者己基。3.根据权利要求1所述的基体保护膜，其特征在于，所述官能团为由烷基、亚烷基、苯基、苄基、苯乙基、羟基苯基、氯苯基、氨基苯基、萘基、氨茴基、芘基、噻吩基、吡咯基、环己基、环己烯基、环戊基、环戊烯基、吡啶基、氯甲基、甲氧基乙基、羟乙基、氨基乙基、氰基、巯基丙基、乙烯基、丙烯酰氧基乙基、甲基丙烯酰氧基乙基、环氧丙氧基丙基、或者乙酰氧基形成的烃系的疏水基。4.根据权利要求1所述的基体保护膜，其特征在于，所述官能团为由氟代烷基、氟代亚烷基、氟代苯基、氟代苄基...

【专利技术属性】
技术研发人员：绪方四郎，须田修平，高宫祥太，
申请(专利权)人：星和电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP