本发明专利技术提供一种半导体发光元件测量装置，其能够改变半导体发光元件的特性。可动载物台(31)载置LED芯片(10、11)，并且利用位置调整部(38)的控制沿水平方向(例如x轴方向、y轴方向)移动。探针(32)与在LED芯片(10、11)的表面形成的焊接电极接触而对LED芯片(10、11)施加所需的电压。光检测部(34)检测来自LED芯片(10、11)的光。光学特性测量部(36)基于光检测部(34)的检测结果，测量LED芯片(10、11)的光学特性。激光源(33)利用激光将LED芯片(10、11)的一部分表面切除。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及测量半导体发光元件的光学特性的半导体发光元件测量装置。
技术介绍
以往，由于发光二极管(LED)作为光源，与作为光源使用的荧光灯或白炽灯等相比，省电且寿命长，因此备受瞩目，不仅作为照明用的光源，在照明开关、背光源、灯饰光源、 娱乐设备的装饰等广大领域使用。这样的发光二极管所用的LED芯片(半导体发光元件)的光学特性或电特性可利用发光元件测量装置来测量。例如公开有具有如下检测测量机构的光学特性测量装置，所述检测测量机构在台上载置LED芯片，使探针与LED芯片的电极接触，对LED芯片施加预定的电压，检测LED芯片的照射光，测量其光学特性(参见日本特开2006-30135号公报)。
技术实现思路
以往的光学特性测量装置能够测量LED的每个晶圆或每个LED芯片的光学特性或电特性(特性)，例如，能够得到晶圆面内的特性分布信息，但由于在制造LED芯片的阶段就唯一决定了 LED芯片的特性，因此仅能够简单确认制造完毕的LED芯片的特性。另外，由于 LED芯片的制造工序的各种因素，有时LED芯片的特性值不同于所希望的目标值，若测量的特性在容许范围之外，则制造的LED芯片造成浪费，存在成品率降低的问题。此外，另一方面，还希望能够根据用途等改变LED芯片的特性。本专利技术是鉴于上述情况而做出的，其目的在于提供一种能够改变半导体发光元件的特性的半导体发光元件测量装置。本专利技术的半导体发光元件测量装置，包括通过检测来自半导体发光元件的光来测量光学特性的测量部，其特制在于，包括用于将所述半导体发光元件的一部分表面切除的切除处理部。本专利技术的半导体发光元件测量装置，包括基于所述测量部测量的光学特性来调整用所述切除处理部切除的位置的位置调整部。本专利技术的半导体发光元件测量装置，包括判断所述测量部测量的光学特性与预定目标值的差分是否处于阈值内的判断部，所述位置调整部在所述判断部判断为所述差分未处于阈值内时，根据该差分调整要切除的位置，所述切除处理部根据所述位置调整部调整的位置，将所述半导体发光元件的一部分表面切除，在所述判断部判断为所述差分处于阈值内时，结束切除。在本专利技术的半导体发光元件测量装置中，所述切除处理部将连接所述半导体发光元件的半导体发光层和电阻层的多个布线层的任一布线层切除，所述电阻层以与该半导体发光层串联连接的方式形成。在本专利技术的半导体发光元件测量装置中，所述切除处理部切除以与所述半导体发光元件的半导体发光层串联连接的方式形成的电阻层的一部分。在本专利技术的半导体发光元件测量装置中，所述切除处理部是照射激光的激光源。在本专利技术的半导体发光元件测量装置中，所述位置调整部是调整激光的照射方向的可动镜或载置所述半导体发光元件的可动台。在本专利技术的半导体发光元件测量装置中，所述切除处理部是具有切削针的切削夹具。在本专利技术的半导体发光元件测量装置中，所述位置调整部是载置所述半导体发光元件的可动台。本专利技术的半导体发光元件测量装置，包括用于基于所述测量部测量的光学特性而将所述半导体发光元件分类的分类部。在本专利技术中，包括用于将半导体发光元件的一部分表面切除的切除处理部。半导体发光元件例如是具有P型半导体层及η型半导体层的半导体层与由η型半导体层等构成的电阻层串联连接地形成，在串联电路的两端设置焊接电极(bonding electrode)。通过用切除处理部将电阻层的一部分切除，从而能够改变电阻层的电阻值，进而调整流向半导体层的电流，还能够调整从半导体发光元件发出的光量。由此，可以改变半导体发光元件的光学特性或电特性。在本专利技术中，包括基于在测量部测量的光学特性，来调整被切除处理部切除的位置的位置调整部。例如，在半导体发光元件的光量多时，通过改变切除处理部所切除的位置，能够增大电阻层的电阻值，减小流向半导体层的电流，从而降低光量。由此，能够一边测量半导体发光元件的特性一边改变特性。在本专利技术中，包括判断在测量部测量的光学特性与预定目标值的差分是否处于阈值内的判断部，位置调整部在判断部判断为差分未处于阈值内时，根据该差分调整要切除的位置。切除处理部根据位置调整部所调整的位置，将半导体发光元件的一部分表面切除， 在判断部判断为差分处于阈值内时，结束切除。例如，在切除处理部将电阻层的一部分切除之前，测量半导体发光元件的特性(例如光量)，在所测量的光量与目标值的差分超过了阈值时，根据差分调整要切除的位置。位置的调整是指例如调整要切除的长度或面积，或调整要切除的部位的数量等。然后，若测量的光量与目标值的差分处于阈值内，则结束切除。由此，能够将半导体发光元件的特性设定为所希望的值。在本专利技术中，切除处理部切除连接半导体发光元件的半导体发光层和以与半导体发光层串联连接的方式形成的电阻层的多个布线层的任一布线层。由此，能够改变流向电阻层的电流路，并能够通过改变电阻层的电阻值而调整光量。在本专利技术中，切除处理部切除以与半导体发光元件的半导体发光层串联连接的方式形成的电阻层的一部分。由此，能够通过改变电阻层的电阻值来调整光量。在本专利技术中，切除处理部是照射激光的激光源。可以利用激光将半导体发光元件的表面(电阻层)的一部分切除，直到基板露出。在本专利技术中，位置调整部是调整激光的照射方向的可动镜或载置半导体发光元件的可动台。由此，能够调整半导体发光元件的表面的所希望的位置。在本专利技术中，切除处理部是具有切削针的切削夹具。能够利用切削针切除半导体发光元件的表面(电阻层)的一部分，直到基板露出。在本专利技术中，位置调整部是载置半导体发光元件的可动台。由此，能够调整半导体5发光元件的表面的所希望的位置。在本专利技术中，包括用于基于测量部测量的光学特性而将半导体发光元件分类的分类部。由此，即使在一边测量光学特性一边改变光学特性时，也能将相同光学特性的半导体发光元件汇总为一个，而区别不同光学特性的半导体发光元件。根据本专利技术，通过具有用于切除半导体发光元件的一部分表面的切除处理部，能够改变半导体发光元件的光学特性或电特性。附图说明图1是表示实施方式1的半导体发光元件测量装置的结构之一例的框图<图2是表示LED芯片的平面构造之一例的示意图。图3是表示LED芯片的电路结构的说明图。图4是表示LED芯片的平面构造的另一例的示意图。 图5是表示LED芯片的电路结构的说明图。图6是表示实施方式2的半导体发光元件测量装置的结构之一例的框图<符号的说明10、IlLED芯片(半导体发光元件)30微型计算机(判断部)31可动载物台(可动台)32 探针33激光源(切除处理部)34光检测部35激光控制部36光学特性测量部(测量部)37电特性测量部38位置调整部39分类部40吸附部41 托盘(tray)50切削夹具(切除处理部)51切削控制部具体实施例方式以下，基于表示实施方式的附图说明本专利技术。图1是表示实施方式1的半导体发光元件测量装置100的结构之一例的框图。半导体发光元件测量装置100包括控制整个装置的动作的微型计算机30。微型计算机30控制激光控制部35、光学特性测量部36、电特性测量部37、位置调整部38、分类部39等的动作。可动载物台31具有作为载置LED芯片(半导体发光元件)10、11的可动台的功能。 可动载物台31载置安装于薄板(sheet)上的多个LED芯片(半导体发光元件)10、11本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：须田修平，
申请(专利权)人：星和电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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