光电器件制造技术

一种光电器件，其特征在于，设置有：透光性导电膜，和　　　　在所述透光性导电膜的表面上形成、且其一部分以与半导体层接触的方式形成的集电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电器件，尤其是涉及设置有集电极的光电器件。
技术介绍
历来，设置有在半导体层的表面上形成的透光性导电膜和在该透光性导电膜的表面上形成集电极的光电器件已为所知。这样的光电器件例如在特开2003-197943号公报上公开。图23是部分地示出具有与上述特开2003-197943号公报中公开的光电器件同样构成的现有技术的光电器件构造的放大立体图。图24是示出图23所示现有技术一例的光电器件全体构成的俯视图。图23示出被图24中虚线包围的区域601a的构造。参照图23及图24，在现有技术一例的光电器件601中，在n型单晶硅基板602的上面顺序地形成实质上本征的i型非晶质硅层603和p型非晶质硅层604。在p型非晶质硅层604的预定区域上形成透光性导电膜605。在透光性导电膜605上面的预定区域上形成表面侧集电极606。该表面侧集电极606构成为只与透光性导电膜605的上面接触。表面侧集电极606通过以预定间隔空开、相互平行地延伸而形成的多个梳形电极部606a，和对通过梳形电极部606a收集的电流进行集合的汇流条(bus-bar)电极部606b构成。在n型单晶硅基板602下面上顺序地形成实质上本征的i型非晶质硅层607和n型非晶质硅层608。在n型非晶质硅层608下面上形成透光性导电膜609。在透光性导电膜609下面上，形成由多个梳形电极部610a和汇流条电极部(未图示)构成的背面侧集电极610。该背面侧集电极610形成为只与透光性导电膜609下面接触。然而，在图23所示的现有技术一例的光电器件中，由于表面侧集电极606形成为只与透光性导电膜605接触，所以在表面侧集电极606对透光性导电膜605的紧贴性小的情况下，通过在表面侧集电极606上安装接头片(tab)(电气配线)之际所加的应力或经安装后的接头片所加的外力，常常发生所谓表面侧集电极606剥离的不合适的情况。由于背面侧集电极610也只与透光性导电膜609接触，所以与表面侧集电极606同样，也往往产生剥离的不合适情况。因此，存在所谓通过由接头片连接多个光电器件进行模块化之际成品率低下的问题。
技术实现思路
本专利技术是用于解决上述任务而作的，本专利技术的一个目的是提供可抑制模块化之际成品率低下的光电器件。为了达到上述目的，本专利技术第一方面的光电器件设置有半导体导层，在半导体层表面上形成的透光性导电膜，和在透光性导电膜表面上形成的同时，其一部分与半导体层接触地形成的集电极。在本第一方面的光电器件中，如上述所示，因为通过使透光性导电膜表面上形成的集电极一部分与半导体层接触地构成，集电极和半导体层之间的紧贴性比集电极和透光性导电膜之间的紧贴性大，所以与集电极只与透光性导电膜接触那样的构成的情况相比，可使集电极难以剥离。即，因为在半导体层表面上形成的自然氧化膜比透光性导电膜的亲水性高，所以认为半导体层和集电极之间的紧贴性高。其结果认为难以使集电极剥离。据此，因为通过由接头片连接多个光电器件进行模块化之际，可以抑制集电极剥离，所以可以抑制使光电器件模块化之际成品率低下。在上述第一方面的光电器件中，优选半导体层包含在透光性导电膜下形成的第一半导体层，第一半导体层含有非单晶半导体层，集电极一部分与非单晶半导体层接触。根据这样的构成，在第一半导体层含有成为发电层的结晶系半导体层的情况下，与使集电极的一部分与成为该发电层的结晶系半导体层相接触的情况下相比，因为使集电极一部分与非单晶半导体层接触的情况的一方在集电极和第一半导体层之间的界面上难以产生载流子的再结合，所以可以抑制光电器件输出特性的低下。据此，可以边抑制集电极剥离，边抑制光电器件输出特性低下。非单晶不仅包含非晶质，而且也包含微结晶的广义概念。在这种情况下，非单晶半导体层也可包含非晶质硅层。在上述半导体层包含第一半导体层的光电器件上，优选第一半导体层包含第一导电型的结晶系半导体层、在结晶系半导体层表面上形成的实质上本征的第一非单晶半导体层、和在第一非单晶半导体层表面上形成的第二导电型的第二非单晶半导体层，集电极一部分与第二非单晶半导体层接触。根据这样的构成，在第一导电型结晶系半导体表面上顺序地形成实质上本征的第一非单晶半导体层，和第二导电型的第二非单晶半导体层的光电器件中，可以抑制集电极剥离。通过使集电极一部分与第二非单晶半导体层接触，与使集电极的一部分与成为发电层的结晶系半导体接触的情况比较，因为使集电极一部分与第二非单晶半导体层接触的情况的一方，在集电极和第一半导体层之间界面上难以产生载流子的再结合，所以可以抑制光电器件的输出特性降低。在这种情况下，结晶系半导体层包含单晶硅层，第一非单晶半导体层及第二非单晶半导体层也可以包含非晶质硅层。在上述半导体层包含第一半导体层的光电器件，集电极优选包含用于收集电流的第一电极部和用于对通过第一电极部收集的电流进行集合的第二电极部，第二电极部的一部分与第一半导体层接触。根据这样的构成，因为通过在第二电极部上安装接头片，即使在经接头片在第二电极部上容易施加外力的情况下，也可以抑制第二电极部的剥离，所以可以抑制集电极从光电器件剥离。在这种情况下，优选第二电极部纵向端部附近的部分与第一半导体层接触。根据这样的构成，因为可以提高成为剥离起点的第二电极部端部附近的多个部分的紧贴性，所以可以容易地抑制集电极从光电器件剥离。在上述第二电极部纵向端部附近的部分与半导体层接触的构成中，优选第二电极部纵向两侧的端部附近的部分与第一半导体层接触。根据这样的构成，因为可以提高第二电极部纵向两侧端部附近的部分的紧贴性，所以可以进一步抑制集电极从光电器件剥离。在上述半导体层包含第一半导体层的光电器件中，优选透光性导电膜在透光性导电膜的外侧面一部分上平面地看(俯视)包含凹状的开口部，集电极经透光性导电膜的开口部与第一半导体层接触。根据这样的构成，即使在未被第一半导体层外周部附近的透光性导电膜覆盖的区域小引起集电极难以与未被该透光性导电膜覆盖的区域接触的情况下，经透光性导电膜开口部也可以使集电极与第一半导体层接触。在这种情况下，优选开口部的至少一部分在通过集电极遮光的区域上形成。根据这样的构成，可以在对透光性导电膜的集电没有贡献的区域上形成开口部的至少一部分。据此，因为为了使集电极与第一半导体层接触，可以抑制对透光性导电膜的集电作贡献的区域的减小，所以可以抑制集电效率降低。因此，可以抑制光电器件的输出特性降低。在上述半导体层包含第一半导体层的光电装置中，优选透光性导电膜包含沟部，集电极一部分与沿着透光性导电膜的沟部向沟部内露出的第一半导体层接触。根据这样的构成，在由第一半导体层外周部附近未被透光性电膜覆盖的区域小引起的、集电极难以与未被该透光性导电膜覆盖的区域接触的情况下，也可以容易地经透光性导电膜的沟部使集电极与第一半导体接触。在这种情况下优选沟部的至少一部分在被集电极遮光的区域上形成。根据这样的构成，可以在对透光性导电膜的集电没有贡献的区域上形成沟部的至少一部分。据此，因为为了使集电极与第一半导体层接触，可以抑制对透光性集电膜的导电作贡献的区域的减小，所以可以抑制集电效率降低。因此可以抑制光电装置的输出特性降低。在上述第一方面的光电器件中，优选半导体层包含第一导电型的结晶系半导体层，和在结晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1、一种光电器件，其特征在于，设置有：透光性导电膜，和 在所述透光性导电膜的表面上形成、且其一部分以与半导体层接 触的方式形成的集电极。

【技术特征摘要】
2004.01.13 JP 2004－0049821.一种光电器件，其特征在于，设置有透光性导电膜，和在所述透光性导电膜的表面上形成、且其一部分以与半导体层接触的方式形成的集电极。2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述半导体层包含在所述透光性导电膜下形成的第一半导体层，所述第一半导体层包含非单晶半导体层，所述集电极的一部分与所述非单晶半导体层接触。3.根据权利要求2所述的光电器件，其特征在于，所述非单晶半导体层包含非晶质硅层。4.根据权利要求2所述的光电器件，其特征在于，所述第一半导体层包含第一导电型的结晶系半导体层；在所述结晶系半导体层表面上形成的实质上本征的第一非单晶半导体层；和在所述第一非单晶半导体层表面上形成的第二导电型的第二非单晶半导体层，所述集电极的一部分与所述第二非单晶半导体层接触。5.根据权利要求4所述的光电器件，其特征在于，所述结晶系半导体层包含单结晶硅层，所述第一非单晶半导体层及所述第二非单晶半导体层包含非晶质硅层。6.根据权利要求2所述的光电器件，其特征在于，所述集电极包含用于收集电流的第一电极部，和用于使通过所述第一电极部收集的所述电流集合的第二电极部，所述第二电极部的一部分与所述第一半导体层接触。7.根据权利要求6所述的光电器件，其特征在于，所述第二电极部的纵向端部附近的部分与所述第一半导体层接触。8.根据权利要求7所述的光电器件，其特征在于，所述第二电极部的纵向两侧的端部附近的部分与所述第一半导体层接触。9.根据权利要求2所述的光电器件，其特征在于，所述透光性导电膜在所述透光性导电膜的外侧面的一部分上含有平面上看为凹状的开口部，所述集电极经所述透光性导电膜的开口部与所述第一半导体层接触。10.根据权利要求9所述的光电器件，其特征在于，所述开口部的至少一部分在由所述集电极遮光的区域上形成。11.根据权利要求2所述的光电器件，其特征在于，所述透光性导电膜包含沟部，所述集电极的一部分沿着所述透光性导电膜的沟部与所述沟部内露出的所述第一半导体层接触。12.根据权利要求11所述的光电器件，其特征在于，所述沟部的至少一部分在由所述集电极遮光的区域上形成。...

【专利技术属性】
技术研发人员：中岛武，丸山英治，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：