使用参考单元的用于存储器器件的软数据生成的方法和装置制造方法及图纸

使用参考单元为存储器器件提供软数据生成的方法和装置。通过如下步骤在存储器器件中产生至少一个软数据值：向一个或更多个参考单元写入已知数据；读取所述参考单元中的一个或更多个；基于所读取的一个或更多个参考单元获得读取统计数据；以及基于所获得的读取统计数据获得所述至少一个软数据值。可以可选地为存储器阵列的一个或更多个期望位置或者为一个或更多个侵略者单元中的给定模式ＰＡＴＴ获得所述读取统计数据。所述读取统计数据可选地可以包括关于多个可能值的非对称的统计数据。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及闪速存储器器件，更具体地，涉及改进的软解映射和软数据生成技术，用于减轻这些闪速存储器器件中的单元间干扰、后模式依赖性(back pattern dependency)、噪声和其他失真的影响。
技术介绍
诸如闪速存储器器件的许多存储器器件使用模拟存储器单元来存储数据。每个存储器单元存储诸如电荷或电压的模拟值，其也被称为存储值。存储值表示单元中存储的信息。在闪速存储器器件中，例如，每个模拟存储器单元典型地存储特定的电压。关于每个单元的可能的模拟值的范围典型地被分为多个阈值区，每个区对应于一个或更多个数据位值。通过写入对应于期望的一个或更多个位的额定模拟值来将数据写入模拟存储器单元。单级单元(SLC)闪速存储器器件例如，每个存储器单元存储一个位(或者两个可能的存储器状态)。另一方面，多级单元(MLC)闪速存储器器件在每个存储器单元存储两个或更多个位(即，每个单元具有四个或更多个可编程状态)。对于MLC闪速存储器器件的更详细的讨论，参见例如，在2009年3月11日提交的题为"Methods andApparatus for Storing Data in a Multi-Level Cell Flash Memory Devicewith Cross-Page Sectors, Multi-Page Coding And Per-Page Coding”的国际专利申请PCT/US09/36810号，其通过引用合并于此。在多级NAND闪速存储器器件中，例如，使用浮栅器件，其可编程阈值电压范围被分为多个区间，每个区间对应于不同的多位值。为了将给定多位值编程到存储器单元中，存储器单元中的浮栅器件的阈值电压被编程到对应于该值的阈值电压区间。存储器单元中存储的模拟值常常失真。这些失真典型地归因于例如，后模式依赖性(BPD)、噪声和单元间干扰(ICI)。对于闪速存储器器件中的失真的更详细的讨论，5参见例如，J. D. Lee 等人的"Effects ofFloating-Gate Interference on NAND Flash Memory Cell Operation, “ IEEE Electron Device Letters, 264-266 (2002 ^5^) ■ 者 Ki-Tae Park 等人的"A Zeroing Cell-to-Cell Interference Page Architecture WithTemporary LSB Storing and Parallel MSB Program Scheme for MLCNAND Flash Memories, “ IEEE J. of Solid State Circuits，Vol. 43，No. 4，919-928，(2008 年 4 月)， 它们均通过引用合并于此。已提出或建议了许多用于减轻ICI和其他干扰的影响的技术。例如，Ki-Tae Park等人描述了现有的减轻ICI的编程技术，诸如偶/奇编程、由下而上编程和多级编程。在 2009 年 6 月 30 日提交的题为"Methods and Apparatus for Soft Demapping and Intercell InterferenceMitigation in Flash Memories” 的国际专利申请 PCT/ US09/49333公开了闪速存储器中的用于软解映射和干扰减轻的方法和装置。尽管这些现有方法有助于提高闪速存储器的解码性能，但是它们受到许多限制， 如果克服了这些限制，则可以进一步提高闪速存储器的可靠性。例如，当前的闪速存储器典型地仅向闪速控制系统提供用于解码的硬数据。然而，公知的是，软数据可以提高解码处理中的错误率性能。因此，需要使用来自闪速存储器的硬数据来估计或增强软数据并且从而提高解码性能的软数据生成技术。
技术实现思路
通常，使用参考单元为存储器器件提供软数据生成的方法和装置。根据本专利技术的一方面，通过如下步骤在存储器器件中产生至少一个软数据值向一个或更多个参考单元写入已知数据；读取所述参考单元中的一个或更多个；基于所读取的一个或更多个参考单元获得读取统计数据；以及基于所获得的读取统计数据获得所述至少一个软数据值。利用电压、电流和电阻中的一个或更多个将所述已知数据写入所述参考单元。类似的，已知数据包括位模式和符号模式中的一个或更多个。所述软数据值可以包括(i)用于产生一个或更多个对数似然比的软读取值；或者(ii) 一个或更多个对数似然比。所述统计数据可以包括基于位的统计数据、基于单元的和取决于模式的统计数据。在一个实施例中，通过将从所述一个或更多个参考单元读取的一个或更多个位与所述已知数据中的一个或更多个位进行比较来确定所述读取统计数据。例如，读取统计数据可以基于与所述已知数据中的参考位的总数有关的错误位的数目。可以根据耐久性、编程/擦除周期数目、读取周期数目、保持时间、温度、温度的改变、工艺角、单元间干扰影响、 所述存储器器件内的位置、字线内的位置、存储器阵列内的位置和侵略者单元中的模式中的一个或更多个来计算所述读取统计数据或软数据值(或此二者)。根据一方面，为存储器阵列的一个或更多个期望位置获得所述读取统计数据，以及其中所述写入步骤包括将所述已知数据写入到所述一个或更多个期望位置。例如，所述期望位置包括页位置、字线位置、位线位置和多级单元内的给定位中的一个或更多个。根据另一方面，为与至少一个目标单元关联的一个或更多个侵略者单元中的给定模式PATT获得所述读取统计数据；以及其中所述写入步骤包括如下步骤将已知数据写入到所述至少一个目标单元；以及其中所述方法进一步包括如下步骤确定在所述一个或更多个侵略者单元中具有所述给定模式PATT的错误目标位的数目；以及基于所述错误目标位的数目获得对于所述给定模式的所述读取统计数据。根据另一方面，所述读取统计数据可以包括为多个可能的值获得的非对称的读取统计数据；以及其中所述方法进一步包括如下步骤确定所述已知数据中具有第一值的错误位的数目；确定所述已知数据中具有第二值的错误位数目；基于具有所述第一值的错误位数目对于所述第一值获得读取统计数据；以及基于具有所述第二值的错误位数目对于所述第二值获得读取统计数据。通过参考下面的详细描述和附图，将获得本专利技术的更完整的理解以及本专利技术的另外的特征和优点。附图说明图1是传统的闪速存储器系统的示意性框图；图2图示了关于图1的示例性闪速存储器的示例性阈值电压分布；图3图示了多级单元(MLC)闪速存储器器件中的示例性闪速单元阵列的架构；图4图示了关于图2的电压分配方案的示例性两级MLC编程方案；图5A和5B共同地图示了减少强加在相邻单元上的ICI的可替选的MLC编程方案；图6更详细地图示了多级单元(MLC)闪速存储器器件中的示例性闪速单元阵列；图7图示了由于许多示例性侵略者单元而对目标单元呈现的干扰，诸如单元间干扰、后模式依赖性、噪声和其他失真；图8是根据本专利技术的并入了基于控制器的软解映射/软数据生成技术的示例性闪速存储器系统的示意性框图；图9是根据本专利技术的可替选的实施例的并入了基于控制器的软解映射/软数据生成技术的示例性闪速存储器系统的示意性框图；图10图示本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于在存储器器件中产生至少一个软数据值的方法，包括：向一个或更多个参考单元写入已知数据；读取所述参考单元中的一个或更多个；基于所读取的一个或更多个参考单元获得读取统计数据；以及基于所获得的读取统计数据获得所述至少一个软数据值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：小H·F·博格，
申请(专利权)人：LSI公司，
类型：发明
国别省市：US