闪存的参考电压最优化制造技术

系统包括电压发生器和参考电压设置模块。电压发生器被配置用于产生将被应用于存储器单元的K个电压。K个电压被用于确定用来读取存储器单元的参考电压，其中K为大于1的整数。参考电压设置模块被配置用于有选择地将参考电压设置为在K个电压中的两个相邻电压之间的值或者为K个电压中的两个相邻电压中的一个。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及半导体存储器，并且更具体地说，本公开涉及闪存(flashmemory)。
技术介绍
本文提供的背景描述用于概括地给出公开的背景。就背景部分中描述的工作范围来说，以及在提交时可能不具备现有技术资格的描述的方面，目前署名为专利技术者的工作既不会明确地也不会隐含地被认为相对于本专利技术为现有技术。存储器集成电路(IC)包括存储器阵列。存储器阵列包括排列在行和列中的存储器单元。存储器单元可包括易失性存储器或非易失性存储器单元。当功率从存储器单元处被移除时，易失性存储器丢失存储在存储器单元中的数据。当功率从存储器单元处被移除时，非易失性存储器保留存储在存储器单元中的数据。在存储器阵列的行和列中的存储器单元是通过选择行的字线(WL)和选择列的位线(BL)被寻址的。存储器IC包括在读/写(R/W)和擦除/编程(EP)操作时分别选择WL 和BL的札解码器和BL解码器。现在参照图1，存储器IC 10包括存储器阵列12、WL解码器16、BL解码器18和控制模块19。存储器阵列12包括排列在行和列中的存储器单元14，如图所示。WL解码器16 和BL解码器18分别根据在R/W和EP操作时选择的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种系统，包括：电压发生器，该电压发生器配置用于产生将被应用于存储器单元的Ｋ个电压，其中所述Ｋ个电压被用于确定用来读取所述存储器单元的参考电压，其中Ｋ为大于１的整数；和参考电压设置模块，该参考电压设置模块配置用于有选择地将所述参考电压设置为在所述Ｋ个电压中的两个相邻电压之间的值或者设置为所述Ｋ个电压中的所述两个相邻电压中的一个。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：阳学仕，
申请(专利权)人：马维尔国际贸易有限公司，
类型：发明
国别省市：BB