半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术目的在于提供一种耐热性优异的半导体装置。提供一种半导体装置，其为半导体元件和被粘物经由图形化的薄膜状感光性粘接剂被热压接而成的半导体装置，图形化的薄膜状感光性粘接剂在即将热压接前的水分量为１．０重量％以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
近年来，伴随着电子部件的高性能化、高功能化，已经提出了具有各种形态的半导体装置。在这类半导体装置中，为了将半导体元件和用于搭载半导体元件支持基材(被粘物)粘接固定，优选使用能够图形化的具有感光性的薄膜状感光性粘接剂，以实现低应力性、低温粘接性、耐湿可靠性和耐焊接回流性等以及半导体装置的功能、形态和简化组装工序。感光性是指被光照射的部分发生化学变化而对碱水溶液、有机溶剂变为不溶或可溶的功能。使用该具有感光性的薄膜状感光性粘接剂时，能够隔着光掩模进行曝光、通过显影液处理而形成图形、经由该图形将半导体元件和半导体元件搭载用支持基材热压接，从而能够获得形成有高精细的粘接剂图形的半导体装置(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1 国际公开第2007/004569号小册子
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，使用专利文献1等中所述的薄膜状感光性粘接剂制造半导体装置时，存在发生热压接不良等、获得的半导体装置的耐热性可能降低的问题。因此，本专利技术人等进行了深入研究，结果获知，基于下述机理可能发生热压接不良οS卩，上述薄膜状感光性粘接剂设计为对碱性水溶液、有机溶剂可溶，因此吸湿率或吸水率较高，在保管中或半导体装置的组装工序中容易吸湿。该吸湿的水分在半导体元件和半导体元件搭载用支持基材的热压接中，气化、膨胀导致引起发泡，由于这个原因而发生热压接不良等。此外，还获知粘接剂中的由于上述发泡而产生的空隙可能引起半导体装置的耐热性降低。鉴于上述情形，本专利技术目的在于提供耐热性优异的半导体装置、以及能够制造这样的半导体装置且不易发生热压接不良等不良情况的半导体装置的制造方法。解决问题的手段本专利技术提供一种半导体装置，其为半导体元件和被粘物经由图形化的薄膜状感光性粘接剂被热压接而成的半导体装置，图形化的薄膜状感光性粘接剂在即将热压接前的水分量为1.0重量％以下。所述半导体装置的耐热性是优异的。本专利技术的半导体装置能够获得这样的效果的理由尚不清楚，但本专利技术人等考虑理4由如下。S卩，为了由半导体装置制造电子部件，通常需要经历将粘接剂固化的固化工序和焊锡回流工序，这些工序中必须进行高温处理。本专利技术的半导体装置中，通过使水分量为规定值以下，从而能够防止由于水分暴露于高温下发生气化、膨胀等而引起的粘接剂层的剥离，因而耐热性是优异的。上述被粘物优选为半导体元件或保护玻璃。上述薄膜状感光性粘接剂优选至少含有(A)热塑性树脂和(B)热固性树脂，优选进一步含有(C)辐射聚合性化合物和(D)光引发剂。上述(A)热塑性树脂优选为碱溶性树脂。从显影性和耐热性特别优异的观点出发，该碱溶性树脂优选为分子中具有羧基和/或羟基的聚酰亚胺树脂。从能够在高温下具有优异的粘接力的观点出发，上述(B)热固性树脂优选为环氧树脂。上述图形化的薄膜状感光性粘接剂优选经由下述工序形成在被粘物(优选为半导体晶片)上形成由薄膜状感光性粘接剂构成的粘接剂层的粘接剂层形成工序；对该粘接剂层以规定的图形进行曝光的曝光工序；通过碱性水溶液对曝光后的粘接剂层进行显影的显影工序；和对显影后的粘接剂层的水分量进行调整的水分量调整工序。此外，本专利技术提供一种半导体装置的制造方法，该方法具有如下工序通过曝光和显影对半导体元件的电路面上设置的薄膜状感光性粘接剂实施图形化的图形化工序；对图形化的所述感光性粘接剂的水分量进行调整的水分量调整工序；在图形化的所述感光性粘接剂上热压接被粘物以进行直接粘接的热压接工序，在水分量调整工序中进行水分量调整处理，使得在PET基材上成图的薄膜状感光性粘接剂在成图后的水分量为1. 0重量％以下。 并提供通过该制造方法制造的半导体装置。上述被粘物优选为半导体元件或保护玻璃。上述水分量调整处理优选为加热处理。加热处理可在例如80 200°C的条件下进行5秒 30分钟。上述薄膜状感光性粘接剂优选至少含有(A)热塑性树脂和(B)热固性树脂，优选进一步含有(C)辐射聚合性化合物和(D)光引发剂。上述(A)热塑性树脂优选为碱溶性树脂。从显影性和耐热性特别优异的观点出发，该碱溶性树脂优选为分子中具有羧基和/或羟基的聚酰亚胺树脂。从能够在高温下具有优异的粘接力的观点出发，上述(B)热固性树脂优选为环氧树脂。专利技术效果根据本专利技术，能够提供耐热性优异的半导体装置、以及能够制造这样的半导体装置且不易发生热压接不良等不良情况的半导体装置的制造方法。附图说明图1是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的剖面图。图2是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的剖面图。图3是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的平面图。图4是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的平面图。图5是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的平面图。图6是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的平面图。图7是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的平面图。图8是表示具有粘接剂层的半导体晶片的一个实施方式的剖面图。图9是表示粘接剂图形的一个实施方式的俯视图。图10是沿着图9的VI-VI线的剖面图。图11是表示粘接剂图形的一个实施方式的俯视图。图12是沿着图11的VIII-VIII线的剖面图。图13是表示保护玻璃(cover glass)介由粘接剂图形被粘接到半导体晶片上的状态的俯视图。图14沿着图13的X-X线的剖面图。图15表示保护玻璃经由粘接剂图形被粘接到半导体晶片上的状态的俯视图图16是沿着图15的XII-XII线的剖面图。图17是表示半导体装置的一个实施方式的剖面图。图18是表示半导体装置的一个实施方式的剖面图。图19是表示C⑶相机模块(Camera Module)的一个实施方式的剖面图。图20是表示CCD相机模块的一个实施方式的剖面图。图21是表示半导体装置的一个实施方式的剖面图。图22是表示半导体装置的制造方法的--个实施方式的剖面图。图23是表示半导体装置的制造方法的--个实施方式的剖面图。图24是表示半导体装置的制造方法的--个实施方式的剖面图。图25是表示半导体装置的制造方法的--个实施方式的剖面图。图26是表示半导体装置的制造方法的--个实施方式的剖面图。具体实施例方式下面详细说明用于实施专利技术的最佳方式。但本专利技术不受下述记载的任何限制。本专利技术的半导体装置的特征在于，其为半导体元件和被粘物经由图形化的薄膜状感光性粘接剂被热压接而成的半导体装置，图形化的薄膜状感光性粘接剂在即将热压接前的水分量为1.0重量％以下。此外，本专利技术的半导体装置的制造方法特征在于，该方法具有如下工序通过曝光和显影对半导体元件的电路面上设置的薄膜状感光性粘接剂实施图形化的图形化工序；对图形化的所述感光性粘接剂的水分量进行调整的水分量调整工序；在图形化的所述感光性粘接剂上热压接被粘物以进行直接粘接的热压接工序，在水分量调整工序中进行水分量调整处理，使得在PET基材上成图的薄膜状感光性粘接剂在成图后的水分量为1. 0重量％以下。上述水分调整处理更优选为如下的处理在PET基材上成图的薄膜状感光性粘接剂在成图后的水分量为0. 7重量％以下；进一步优选为如下的处理在PET基材上成图的薄膜状感光性粘接剂在成图后的水分量为0. 5重量％以下。不进行上述水分量调整处理的情况下，在半导体元件和被粘物进行热压接时，薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体装置，其为半导体元件和被粘物经由图形化的薄膜状感光性粘接剂被热压接而成的半导体装置，所述图形化的薄膜状感光性粘接剂在即将热压接前的水分量为１．０重量％以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：川守崇司，
申请(专利权)人：日立化成工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP