薄膜制造方法和可在该方法中使用的硅材料技术

使从蒸发源（９）飞来的粒子在真空中的规定的成膜位置（３３）沉积于基板（２１）上使得在基板（２１）上形成薄膜。在使含有薄膜的原料的块状材料（３２）在蒸发源（９）的上方熔化的同时，将熔化了的材料以液滴（１４）的形式向蒸发源（９）供给。作为块状材料（３２），使用内包有多个孔隙的硅材料（３２）。优选孔隙具有比大气压低的平均内部压力。更优选平均内部压力为０．１大气压以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及薄膜制造方法和可在该方法中使用的硅材料。
技术介绍
在器件的高性能化、小型化中薄膜技术在广泛地拓展。器件的薄膜化不仅给用户 带来直接的好处，而且从保护地球资源、降低电力消耗的环境方面来看也起着重要的作用。薄膜技术的进展必须符合薄膜制造的高效率化、稳定化、高生产率化、低成本化的 要求。例如，为了提高薄膜的生产率需要长时间成膜技术。例如在采用了真空蒸镀法的薄 膜制造中，向蒸发源供给材料对长时间成膜是有效的。为了向蒸发源供给材料，根据使用的材料和成膜条件等选择各种方法。具体地，已 知(i)向蒸发源添加粉状、粒状、丸(pellet)状等的各种形状的材料的方法，(ii)将棒状 或线状的材料浸在蒸发源中的方法，(iii)向蒸发源流入液态的材料的方法。蒸发源的温度根据向蒸发源中加入材料的情况而变化。蒸发源的温度变化招致材 料的蒸发速度、即成膜速度的变化。因此重要的是极力使蒸发源的温度变化小，例如，日本 特开昭62-177174号公报公开了在坩埚的上方一旦使材料熔化后，就将该熔化了的材料向 坩埚供给的技术。另外，也有使块状的材料在蒸发源的上方从顶端部依次熔化，将通过熔化 而产生的液本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜制造方法，其特征在于，包括：　　使从蒸发源飞来的粒子在真空中的规定的成膜位置沉积于基板上使得在所述基板上形成薄膜的工序；和　　在使含有所述薄膜的原料的块状材料在所述蒸发源的上方熔化的同时，将熔化了的所述材料以液滴的形式供给至所述蒸发源的工序，　　作为所述块状材料，使用内包有多个孔隙的硅材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：神山游马，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP