【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及通过在真空气氛下设定的电弧放电部进行真空电弧放电而从靶表面产生等离子体,去除混入到上述等离子体中的微滴,同时将上述等离子体经由等离子体输送管输送到等离子体处理部而对等离子体处理部内的被处理物进行成膜等等离子体处理的等离子体处理装置。
技术介绍
一般地,已知通过在等离子体中在固体材料的表面形成薄膜、或注入离子,来改善固体的表面特性。利用包含金属离子、非金属离子等的等离子体而形成的膜,对固体表面的耐磨性/抗腐蚀性进行强化,而用作保护膜、光学薄膜、透明导电性膜等。特别是,利用了碳等离子体的炭膜作为由金刚石构造和石墨构造的非晶态混合晶体构成的类金刚石碳膜 (称为DLC膜),利用价值高。作为产生包含金属离子、非金属离子等的等离子体的方法,有真空电弧等离子体法。真空电弧等离子体是通过在阴极与阳极之间发生的电弧放电而形成,从存在于阴极表面上的阴极点蒸发阴极材料并通过该阴极蒸发物质形成的等离子体。另外,在导入了反应性气体作为气氛气体的情况下,反应性气体也同时被离子化。既可以与上述反应性气体一起导入惰性气体(称为稀有气体),也可以代替上述反应性气体而导入上述惰性气体 ...
【技术保护点】
1.一种绝缘体插装型等离子体处理装置,包括:等离子体产生部,在真空气氛下进行真空电弧放电而从靶表面产生等离子体;等离子体输送管,输送由所述等离子体发生部产生的等离子体;以及等离子体处理部,通过从所述等离子体输送管供给的等离子体对被处理物进行处理,其特征在于,在所述等离子体发生部与所述等离子体输送管之间插装始端侧绝缘体,在所述等离子体输送管与所述等离子体处理部之间插装终端侧绝缘体,使所述等离子体发生部、所述等离子体输送管以及所述等离子体处理部相互电气地独立,切断了针对等离子体输送管的来自所述等离子体发生部和所述等离子体处理部的电气影响。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:椎名祐一,
申请(专利权)人:日本磁性技术株式会社,
类型:发明
国别省市:JP
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