一种真空蒸镀装置制造方法及图纸

技术编号:7114090 阅读:267 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术提供一种真空蒸镀装置,包括:蒸发源;用于移动及承载基板的基板驱动机构,所述基板的表面分成若干个蒸镀子区域;用于移动及承载掩模板的掩模板驱动机构,所述掩模板位于所述基板下方,所述掩模板的图形区尺寸与所述蒸镀子区域尺寸相同;蒸镀挡板,位于所述掩模板下方,能够形成与所述掩模板结构相匹配的蒸镀气体透过区;用于移动及承载所述蒸镀挡板的挡板驱动机构。本实用新型专利技术可提高蒸镀薄膜厚度的均匀性、降低掩模板尺寸,从而实现对大尺寸基板的真空蒸镀。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及薄膜形成
,特别涉及一种真空蒸镀装置
技术介绍
目前,在光电及显示领域,特别是有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,0LED)、有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor, 0TFT)等器件制造领域, 有机小分子真空蒸镀的不均勻性、蒸镀掩模板(Mask)强度及精确度的要求等因素制约了 OLED显示技术往基板大尺化方向的发展。现有技术的真空蒸镀装置中,蒸发源无论采用点蒸发源、线蒸发源、或面蒸发源等,一般均为一步式真空蒸镀,即各层薄膜均一次性蒸镀到整个基板上。图1为现有技术的真空蒸镀装置的剖面结构示意图,包括用于移动及承载基板1 的基板驱动机构(图未示),基板1表面形成有图形区2 ;用于移动及承载掩膜板3的掩模板驱动机构(图未示);用于对基板1和掩模板3进行对位的对位机构(图未示);蒸发源 4。其中,待蒸镀基板1膜面朝下,掩膜板3位于基板1下方,蒸发源4位于掩膜板3下方。图2为现有技术的基板结构的俯视图,包括基板1 ;形成在基板1表面的图形区 2 ;基板上对位标记(Mark)5。其中,基板上对位标记5本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种真空蒸镀装置,其特征在于,包括:蒸发源;用于移动及承载基板的基板驱动机构,所述基板的表面分成若干个蒸镀子区域;用于移动及承载掩模板的掩模板驱动机构,所述掩模板位于所述基板下方,所述掩模板的图形区尺寸与所述蒸镀子区域尺寸相同;蒸镀挡板,位于所述掩模板下方,能够形成与所述掩模板结构相匹配的蒸镀气体透过区;用于移动及承载所述蒸镀挡板的挡板驱动机构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:沐俊应刘光海
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司合肥京东方光电科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:11

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