半导体器件制作方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件制作方法，进行化学机械研磨工艺时，去除所述冗余金属槽和辅助图形冗余金属槽内部分或全部的金属层，可有效地扩大光刻工艺窗口并且减少或完全消除冗余金属线和辅助图形冗余金属线填充引入的金属层内和金属层间的耦合电容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，特别涉及一种。
技术介绍
随着半导体芯片的集成度不断提高，晶体管的特征尺寸随之不断缩小。当进入到 130纳米技术节点之后，受到铝的高电阻特性的限制，铜互连逐渐替代铝互连成为金属互连的主流。由于铜的干法刻蚀工艺不易实现，铜互连线的制作方法不能像铝互连线那样通过刻蚀金属层而获得，现在广泛采用的铜互连线的制作方法是称作大马士革工艺的镶嵌技术。该大马士革工艺包括只制作金属导线的单大马士革工艺和同时制作通孔(也称接触孔)和金属导线的双大马士革工艺。具体的说，单大马士革结构(也称单镶嵌结构)仅是把单层金属导线的制作方式由传统的方式(金属刻蚀+介质层填充)改为镶嵌方式(介质层刻蚀+金属填充)，而双镶嵌结构则是将通孔以及金属导线结合在一起，如此只需一道金属填充步骤。制作双镶嵌结构的常用方法一般有以下几种全通孔优先法(Full VIA First)、 半通孔优先法(Partial VIA First)、金属导线优先法(Full Trench First)以及自对准法 (Self-alignment method)。如图1所示，现有的一种金属导线制作工艺包括如下步骤首本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括冗余金属区、辅助图形冗余金属区和非冗余金属区；在所述半导体衬底上形成介质层和硬掩膜层；去除所述非冗余金属区上的硬掩膜层；刻蚀所述介质层和剩余的硬掩膜层以形成冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽和金属导线槽，所述辅助图形冗余金属槽和冗余金属槽的深度小于所述金属导线槽的深度；在所述冗余金属槽、辅助图形冗余金属槽和金属导线槽内以及介质层上沉积金属层；进行化学机械研磨工艺，直至去除所述冗余金属槽和辅助图形冗余金属槽内部分或全部的金属层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：毛智彪，胡友存，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31