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本发明公开了一种半导体器件制作方法，进行化学机械研磨工艺时，去除所述冗余金属槽和辅助图形冗余金属槽内部分或全部的金属层，可有效地扩大光刻工艺窗口并且减少或完全消除冗余金属线和辅助图形冗余金属线填充引入的金属层内和金属层间的耦合电容。...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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