一种相变存储器芯片测试方法及其系统技术方案

本发明专利技术公开了一种相变存储器芯片测试方法及系统。所述的相变存储器芯片测试方法能准确的测量相变存储器芯片的读写电路、选通电路、寻址能力、随机读写、抗串扰能力、初值检测和寻找合适擦写脉冲参数；所述的测试系统是由主控计算机，控制软件、下位机微控器、数字I/O采集卡、多功能测试卡、脉冲信号发生器、芯片接口电路、限流稳压电源和转换连接部件组成。主控计算机与下位机微控器相连，数字I/O采集卡和多功能测试卡相连，数字I/O采集卡与脉冲信号发生器和芯片接口电路相连。下位机微控器I/O端口与芯片接口电路相连，脉冲信号发生器与芯片接口电路相连，多功能测试卡与芯片接口电路相连；通过调用相应的测试模块完成相变存储器芯片的功能测试。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微纳电子学
，具体涉及相变存储器芯片的测试方法及其系统。
技术介绍
相变存储器(PCRAM)是基于奥弗辛斯基效应的元件，其最为核心的是以硫属化合物为基础的相变材料。PCRAM的存储介质在热诱导作用下可实现非晶体状态和晶体状态之间的可逆转变，存储介质处于非晶体状态和晶体状态时会呈现出不同的光学特性和电阻特性，于是非晶体状态和晶体状态可以分别用来代表“0”和“1”来存储数据。然而只有在微米甚至纳米尺度的情况下，硫属化合物材料相变所需要的功耗才能大大降低，因此虽然在 1968 年 Stanford R. Ovshinsky 在 Physical Review Letters 中就已经报道了硫属化合物 (Ge10Si12As30Te48)材料，在电场激发下具有高、低阻值之间的转变现象，直到最近十几年微电子行业发展到微米和纳米尺度时，工业化相变存储器芯片才被提上日程。 自2001年之后，英特尔、三星、意法半导体、飞利浦、国际商业机器公司、日立、东芝、惠普、松下、等大公司投入大量的人力、物力和财力展开PCRAM的可制造性和商业化推进的研究工作。2008年2月，Intel与意本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种相变存储器芯片测试方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：第１步首先检测相变存储器芯片各电源引脚之间的电阻，判断电源引脚之间是否有短路情况发生，如果短路，转入第４步，否则，进入第２步；第２步对读电路模块和写电路模块进行测试：测试读电路模块：在读电路偏置调节端口接电位器，并用可调电阻代替相变存储器芯片中的存储单元接入相变存储器读电路模块；首先调节电位器电阻值的大小，改变可调电阻的值，测量读电路输出端口的电压值，记录数据，得到不同电位器电阻值下可调电阻值与读电路输出端口电压值的关系曲线，将曲线与仿真结果进行比较，若得到的曲线与仿真结果和设计值不一致，则结束测试读电路模块过程；若曲线与设计值一...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李震，张乐，瞿力文，缪向水，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：83