溅射靶、透明导电膜、透明电极和电极基板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种溅射靶、透明导电膜、透明电极和电极基板及其制造方法，所述溅射靶的特征在于，含有铟、锡、锌及氧，利用X射线衍射(XRD)，基本上只观测到红绿柱石结构化合物的峰。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及烧结而制作的溅射靶(以下，有时简称为溅射靶或靶)、溅射靶的制造方法。另外，本专利技术涉及使用溅射靶得到的透明导电膜及透明电极。
技术介绍
近年来，显示装置的发展显著，液晶显示装置(IXD)或、电致发光显示装置(EL)、 或场致发射显示器(FED)等作为个人电脑或文字处理器等办公设备、或工厂中的控制系统用显示装置使用。还有，这些显示装置均具有利用透明导电性氧化物夹着显示元件的夹层结构。作为这样的透明导电性氧化物，如非专利文献1中所述记载的一样，利用溅射法、 离子镀法、或蒸镀法成膜的铟锡氧化物(以下，有时大致称为ΙΤ0)占据主导。所述ITO由规定量的氧化铟、和氧化锡构成，其特征在于，除了透明性或导电性优越之外，可以利用强酸进行蚀刻加工，而且与基板的密接性也优越。ITO虽然作为透明导电性氧化物具有优越的性能，但是为稀有资源，而且存在不得不大量含有(90原子％左右)对生物体有害的铟的问题。另外，铟自身称为溅射时的小球 (突起物)产生的原因，在该靶表面产生的小球也成为异常放电的原因之一。尤其，在以蚀刻性的改进作为目的的非结晶ITO膜的成膜时，发现由于向该溅射腔体内导入微量的水或本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种溅射靶，其特征在于，含有铟、锡、锌及氧，利用Ｘ射线衍射ＸＲＤ，基本上只观测到红绿柱石结构化合物的峰。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：矢野公规，井上一吉，田中信夫，海上晓，梅野聪，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：JP