消影增透导电玻璃制造技术

本发明专利技术公开消影增透导电玻璃，包括玻璃基板，玻璃基板顶面由下至上依次层叠有上TiO2膜层、上SiO2膜层与ITO膜层，ITO膜层蚀刻有电极图案；玻璃基板底面由上至下依次层叠有第一下TiO2膜层、第一下SiO2膜层、第二下TiO2膜层与第二下SiO2膜层；所述上TiO2膜层的厚度为5～10nm、上SiO2膜层的厚度为40～60nm、ITO膜层的厚度为20～40nm；所述第一下TiO2膜层的厚度为12～18nm、第一下SiO2膜层的厚度为25～35nm、第二下TiO2膜层的厚度为95～135nm、第二下SiO2膜层的厚度为70～100nm；利用折射率不同的上TiO2膜层与上SiO2膜层起到消影作用，玻璃基板底部交错的四层介质层起到减反増透的效果，并由各膜层厚度的配合，提高产品的透过率，减少反射率，降低面电阻，使得触摸屏在强光下也可以清晰的显示。

Antireflection glass

The invention discloses a shadow eliminating antireflection conductive glass comprises a glass substrate, the top surface of the glass substrate followed from laminated on TiO2 film, SiO2 film and ITO film, ITO film etched with electrode pattern; the bottom surface of the glass substrate with a first TiO2 sequentially from top to bottom, the film about film and SiO2 film, second TiO2 second under the SiO2 layer; the TiO2 layer thickness is 5 ~ 10nm, the thickness of the SiO2 film is 40 ~ 60NM, the thickness of the ITO film is 20 to 40nm; the first TiO2 film thickness is 12 ~ 18NM, the first SiO2 film thickness is 25 ~ 35nM, second TiO2 the film thickness is 95 ~ 135nm, second SiO2 film thickness is 70 ~ 100nm; use a different refractive index on TiO2 film and SiO2 film to vanishing, the four layer at the bottom of the glass substrate staggered dielectric layer to increase the anti penetration The utility model has the advantages that the thickness of each film layer is matched, the transmittance of the product is improved, the reflectivity is reduced, the surface resistance is reduced, and the touch screen can be clearly displayed under the strong light.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及触摸屏
，具体是一种用于电容式触摸屏的消影增透导电玻璃。
技术介绍
电容式触摸屏用的ITO玻璃是一种透明导电玻璃，这是由玻璃上加一层透明导电膜而构成，其工艺是在超薄玻璃（0.33mm-1.1mm）上通过物理沉积的方式沉积氧化铟锡透明导电膜。液晶显示器专用ITO导电玻璃，还会在镀ITO层之前，镀上一层二氧化硅阻挡层，以阻止基片玻璃上的钠离子向盒内液晶里扩散。通常电容式触摸屏使用单面ITO镀膜玻璃，经过刻蚀将透明导电膜做成透明电极。但是由于导电膜的折射率与触摸屏基板的折射率不同，如ITO膜折射率一般为1.9～2.0（550nm附近），玻璃基板的折射率约为1.5（550nm附近），导致显示区内电极与缝隙的反射与透射有较大区别，使电极与缝隙清晰可见，影响显示效果和外观；而且触摸屏尺寸越大，ITO电极膜层厚度和电极宽度越大，电极与缝隙的视觉差距越明显；而且在光线比较明亮的环境中特别是背后有窗户、灯光的环境中，屏幕会由于ITO电极的反射光太强而无法看清。解决此问题的方法有两种，第一种是采用减少缝隙的方法来降低电极与缝隙之间的视觉差距，这种消影方法受光刻设备的限制，一般适用于小尺寸的触摸屏，对于20英寸以上屏幕的触摸屏如采用微小缝隙的方法，设备投资与制造成本高、产品合格率低。因此，为了消除ITO底影，有人采用第二种方法，即在玻璃基板上，先将五氧化二铌等高折射率材料通过磁控溅射镀到玻璃基板表面，然后再覆上SiO2等低折射率材料层，最后再覆上ITO层。但是这种方法仅单面采用两层介质层来达到消影效果的膜系结构，其表面的ITO面电阻一般会比较高，如果降低面电阻，则会使整体透过率降低，而且很难达到满意的消影效果，因此这种结构的ITO玻璃，其面电阻一般在60Ω/□以上，不太适合对线性电阻要求较高的电容式触摸屏。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种消影增透导电玻璃，该导电玻璃面电阻低、透过率高，使触摸屏具有良好的显示效果。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：消影增透导电玻璃，包括玻璃基板，玻璃基板顶面由下至上依次层叠有上TiO2膜层、上SiO2膜层与ITO膜层，ITO膜层蚀刻有电极图案；玻璃基板底面由上至下依次层叠有第一下TiO2膜层、第一下SiO2膜层、第二下TiO2膜层与第二下SiO2膜层；所述上TiO2膜层的厚度为5～10nm、上SiO2膜层的厚度为40～60nm、ITO膜层的厚度为20～40nm；所述第一下TiO2膜层的厚度为12～18nm、第一下SiO2膜层的厚度为25～35nm、第二下TiO2膜层的厚度为95～135nm、第二下SiO2膜层的厚度为70～100nm。进一步的，所述玻璃基板的厚度为0.3～1.1mm。本专利技术的有益效果是，利用折射率不同的上TiO2膜层与上SiO2膜层起到消影作用，玻璃基板底部交错的四层介质层起到减反増透的效果，并由各膜层厚度的配合，一方面可提高产品的透过率，减少反射率，使得触摸屏在强光下也可以清晰的显示；另一方面，在保证和提高现有功能的前提下，使得ITO膜层的面电阻向更低的方向发展，可获得60Ω/□以下的产品，从而得到光电性能更加优良的电容式触摸屏。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明：图1是专利技术的结构示意图；图2是本专利技术中ITO膜层蚀刻前后的可见光透射光谱对比图；图3是是专利技术中ITO膜层蚀刻前后的可见光反射光谱对比图。具体实施方式如图1所示，本专利技术提供一种消影增透导电玻璃，包括玻璃基板1，玻璃基板1顶面由下至上依次层叠有上TiO2膜层2、上SiO2膜层3与ITO膜层4，ITO膜层4蚀刻有电极图案；玻璃基板1底面由上至下依次层叠有第一下TiO2膜层5、第一下SiO2膜层6、第二下TiO2膜层7与第二下SiO2膜层8；所述上TiO2膜层2的厚度为5～10nm、上SiO2膜层3的厚度为40～60nm、ITO膜层4的厚度为20～40nm；所述第一下TiO2膜层5的厚度为12～18nm、第一下SiO2膜层6的厚度为25～35nm、第二下TiO2膜层7的厚度为95～135nm、第二下SiO2膜层8的厚度为70～100nm；所述玻璃基板1的厚度为0.3～1.1mm。在制备时，可采用磁控溅射，依次在玻璃基板1的正反两面沉积各个膜层，作为优选的，本实施例采用厚度为1.1mm的玻璃基板1，沉积出厚度6nm的上TiO2膜层2、厚度52nm的上SiO2膜层3、厚度40nm的ITO膜层4、厚度15nm的第一下TiO2膜层5、厚度30nm的第一下SiO2膜层6、厚度114nm的第二下TiO2膜层7与厚度84nm的第二下SiO2膜层8；由图2可看出ITO膜层4的面电阻≤60Ω/□，可见光平均透过率≥90%，结合图3可以看出，蚀刻后电极与缝隙的反射率差值在0.5％以下，相较于现有市场上面电阻在60Ω/□以下的消影玻璃（一般其可见光平均透过率在85%左右），本产品的可见光平均透过率有了明显的提高。以上所述，仅是本专利技术的较佳实施例而已，并非对本专利技术作任何形式上的限制；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本专利技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和
技术实现思路
对本专利技术技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本专利技术技术方案的内容，依据本专利技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本专利技术技术方案保护的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
消影增透导电玻璃，其特征在于，包括玻璃基板，玻璃基板顶面由下至上依次层叠有上TiO2膜层、上SiO2膜层与ITO膜层，ITO膜层蚀刻有电极图案；玻璃基板底面由上至下依次层叠有第一下TiO2膜层、第一下SiO2膜层、第二下TiO2膜层与第二下SiO2膜层；所述上TiO2膜层的厚度为5～10nm、上SiO2膜层的厚度为40～60nm、ITO膜层的厚度为20～40nm；所述第一下TiO2膜层的厚度为12～18nm、第一下SiO2膜层的厚度为25～35nm、第二下TiO2膜层的厚度为95～135nm、第二下SiO2膜层的厚度为70～100nm。

【技术特征摘要】
1.消影增透导电玻璃，其特征在于，包括玻璃基板，玻璃基板顶面由下至上依次层叠有上TiO2膜层、上SiO2膜层与ITO膜层，ITO膜层蚀刻有电极图案；玻璃基板底面由上至下依次层叠有第一下TiO2膜层、第一下SiO2膜层、第二下TiO2膜层与第二下SiO2膜层；所述上TiO2膜层的厚度为5～10nm、上SiO2膜层的厚度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，李刚，杨勇，姚婷婷，金克武，
申请(专利权)人：蚌埠玻璃工业设计研究院，中国建材国际工程集团有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34