【技术实现步骤摘要】
本申请是申请号为202080046931.9(国际申请日为2020年6月24日)、专利技术名称为"氧化物烧结体"的进入国家阶段的pct申请的分案申请。本专利技术涉及氧化物烧结体和用于形成薄膜的成膜用材料。
技术介绍
1、mgo-zno系氧化物有在彩色液晶投影仪用透光性陶瓷(专利文献1)、氧化物半导体(专利文献2)、透明电极(专利文献3)等中的应用例。例如，专利文献3公开了下述烧结体，其原子比为al/(zn+al+mg)＝0.005～0.1，mg/(zn+al+mg)＝0.001～0.05，并包含：含有氧化锌且具有平均粒径为10μm以下的六方晶系纤锌矿型结构的颗粒(a)、以及含有铝且具有平均粒径为5μm以下的尖晶石结构的颗粒(b)。
2、上述烧结体是重视导电性的材料，但其以zno作为主成分，因此，在紫外线区域的透光性存在课题。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2009-184898号公报
6、专利文献2：日本特开2012-066968号公报
7、专利文献3：日本特开2011-063866号公报。
技术实现思路
1、本专利技术的目的之一在于，提供能够获得紫外线区域的透光性高且导电性也高的膜的氧化物烧结体。
2、本专利技术人等发现：通过使用向mg和zn系的氧化物中以特定的浓度添加有正3价或正4价的金属元素的氧化物烧结体并成膜，从而能够得到紫外线区域的透光性高且导电性也良好的膜。p>
3、根据本专利技术，提供以下的氧化物烧结体等。
4、1.氧化物烧结体，其包含锌、镁、金属元素x和氧作为构成元素，所述金属元素为正3价或正4价，前述金属元素x相对于前述锌、前述镁和前述金属元素x的合计的原子比[x/(zn+mg+x)]为0.0001以上且0.6以下，前述镁相对于前述锌和前述镁的合计的原子比[mg/(zn+mg)]为0.25以上且0.8以下。
5、2.根据1所述的氧化物烧结体，其中，前述原子比[mg/(zn+mg)]为0.625以上且0.8以下。
6、3.根据1所述的氧化物烧结体，其中，前述原子比[mg/(zn+mg)]为0.626以上且0.75以下。
7、4.根据1所述的氧化物烧结体，其中，前述原子比[mg/(zn+mg)]为0.628以上且0.74以下。
8、5.根据2～4中任一项所述的氧化物烧结体，其包含固溶有zn的立方晶的mgo和固溶有zn的mgx2o4(x为正3价的金属元素)。
9、6.根据1所述的氧化物烧结体，其中，前述原子比[mg/(zn+mg)]为0.25以上且小于0.625。
10、7.根据1所述的氧化物烧结体，其中，前述原子比[mg/(zn+mg)]为0.30以上且0.60以下。
11、8.根据1所述的氧化物烧结体，其中，前述原子比[mg/(zn+mg)]为0.40以上且0.59以下。
12、9.根据6～8中任一项所述的氧化物烧结体，其包含固溶有zn的立方晶的mgo、固溶有mg的六方晶的zno和固溶有zn的mgx2o4(此处，x为正3价的金属元素)。
13、10.根据1～9中任一项所述的氧化物烧结体，其中，前述原子比[x/(zn+mg+x)]为0.003以上且0.6以下。
14、11.根据1～9中任一项所述的氧化物烧结体，其中，前述原子比[x/(zn+mg+x)]为0.007以上且0.5以下。
15、12.根据1～9中任一项所述的氧化物烧结体，其中，前述原子比[x/(zn+mg+x)]为0.008以上且0.5以下。
16、13.根据1～9中任一项所述的氧化物烧结体，其中，前述原子比[x/(zn+mg+x)]为0.01以上且0.5以下。
17、14.根据1～13中任一项所述的氧化物烧结体，其中，前述x为al和ga中的至少一者。
18、15.根据14所述的氧化物烧结体，其中，前述x为al。
19、16.根据14所述的氧化物烧结体，其中，前述x为ga。
20、17.成膜用材料，其包含1～16中任一项所述的氧化物烧结体。
21、18.根据17所述的成膜用材料，其为成膜用平板。
22、19.根据17所述的成膜用材料，其为溅射靶。
23、20.薄膜，其是使用17～19中任一项所述的成膜用材料而得到的。
24、根据本专利技术，可提供能够获得紫外线区域的透光性高且导电性也高的膜的氧化物烧结体。
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1.氧化物烧结体，其包含锌、镁、金属元素X和氧作为构成元素，所述金属元素X为正3价或正4价，
2.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其中，所述原子比Mg/(Zn+Mg)为0.40以上且0.60以下。
3.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其中，所述原子比Mg/(Zn+Mg)为0.40以上且0.59以下。
4.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其中，所述原子比Mg/(Zn+Mg)为0.536以上且0.59以下。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的氧化物烧结体，其包含固溶有Zn的立方晶的MgO、固溶有Mg的六方晶的ZnO和固溶有Zn的MgX2O4，此处，X为正3价的金属元素。
6.根据权利要求1～4任一项所述的氧化物烧结体，其中，所述原子比X/(Zn+Mg+X)为0.003以上且0.6以下。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的氧化物烧结体，其中，所述原子比X/(Zn+Mg+X)为0.007以上且0.5以下。
8.根据权利要求1～4中任一项所述的氧化物烧结体，其中，所述原子比X/(Zn+Mg+X)为
9.根据权利要求1～4中任一项所述的氧化物烧结体，其中，所述原子比X/(Zn+Mg+X)为0.01以上且0.5以下。
10.根据权利要求1～4中任一项所述的氧化物烧结体，其中，所述原子比X/(Zn+Mg+X)为0.003以上且0.100以下。
11.根据权利要求1～4中任一项所述的氧化物烧结体，其中，所述原子比X/(Zn+Mg+X)为0.003以上且0.095以下。
12.根据权利要求1～4所述的氧化物烧结体，其中，所述氧化物烧结体中包含的各元素的原子比通过电感耦合等离子体发光分析装置ICP-AES对含有元素进行分析来求出。
13.根据权利要求1～4所述的氧化物烧结体，其中，所述正3价或正4价的金属元素X为选自Al、Ga、In、Sc和Y中的1者以上。
14.根据权利要求1～4所述的氧化物烧结体，其中，所述X为Al和Ga中的至少一者。
15.根据权利要求14所述的氧化物烧结体，其中，所述X为Al。
16.根据权利要求14所述的氧化物烧结体，其中，所述X为Ga。
17.根据权利要求1～4所述的氧化物烧结体，其中，所述氧化物烧结体的构成元素的90mol％以上为Mg、Zn、金属元素X和O。
18.根据权利要求1～4所述的氧化物烧结体，其中，除不可避免的杂质之外，所述氧化物烧结体的构成元素仅由Mg、Zn、金属元素X和O组成。
19.成膜用材料，其包含权利要求1～18中任一项所述的氧化物烧结体。
20.根据权利要求19所述的成膜用材料，其为成膜用平板。
21.根据权利要求20所述的成膜用材料，其为溅射靶。
22.薄膜，其是使用权利要求19～21中任一项所述的成膜用材料而得到的。
23.根据权利要求22所述的薄膜，其是在将成膜后的膜在750℃以上进行热处理而得到的。
24.透明导电膜，其包含权利要求22或23所述的薄膜。
...【技术特征摘要】
1.氧化物烧结体，其包含锌、镁、金属元素x和氧作为构成元素，所述金属元素x为正3价或正4价，
2.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其中，所述原子比mg/(zn+mg)为0.40以上且0.60以下。
3.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其中，所述原子比mg/(zn+mg)为0.40以上且0.59以下。
4.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其中，所述原子比mg/(zn+mg)为0.536以上且0.59以下。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的氧化物烧结体，其包含固溶有zn的立方晶的mgo、固溶有mg的六方晶的zno和固溶有zn的mgx2o4，此处，x为正3价的金属元素。
6.根据权利要求1～4任一项所述的氧化物烧结体，其中，所述原子比x/(zn+mg+x)为0.003以上且0.6以下。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的氧化物烧结体，其中，所述原子比x/(zn+mg+x)为0.007以上且0.5以下。
8.根据权利要求1～4中任一项所述的氧化物烧结体，其中，所述原子比x/(zn+mg+x)为0.008以上且0.5以下。
9.根据权利要求1～4中任一项所述的氧化物烧结体，其中，所述原子比x/(zn+mg+x)为0.01以上且0.5以下。
10.根据权利要求1～4中任一项所述的氧化物烧结体，其中，所述原子比x/(zn+mg+x)为0.003以上且0.100以下。
11.根据权利要求1～4中任一项所述的氧化物烧结体，其中，所述原子比x...
【专利技术属性】
技术研发人员：笘井重和，上冈义弘，胜又聪，佐佐木健一，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：
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