【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及组合物、有机电致发光元件、和电子设备。
技术介绍
1、对有机电致发光元件(以下称为“有机el元件”)施加电压时，空穴从阳极、并且电子从阴极分别注入发光层。继而，发光层中，注入的空穴与电子再结合而形成激子。
2、以往的有机el元件的元件性能尚不充分。为了提高元件性能，逐渐进行了有机el元件的改良，但还要求进一步的高性能化。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：国际公开第2016/003225号
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供能制造更高性能的有机el元件的组合物、以及提供更高性能的有机el元件。
2、本专利技术人等关注有机el元件的空穴传输区域的构成并进行深入研究。以往的有机el元件的空穴传输区域为例如如专利文献1所示的构成，但本专利技术人等研究的结果发现，通过在空穴传输区域中的一层中组合使用特定的两种化合物，能制造更高性能的有机el元件，从而完成了本专利技术。
3、根据本专利技术，可提供以下的组合物等。
4、1.组合物，其包含电子亲和力af1为1.70ev以下、且电离电位ip1为5.80ev以下的第1化合物、和
5、电子亲和力af2为2.00ev以下、且电离电位ip2为5.95ev以下、与前述第1化合物不同的第2化合物。
6、2.组合物，其包含第1化合物和第2化合物，
7、所述第1化合物为下述式(a1)所示的化合物或下述式(a2
8、所述第2化合物为下述式(b1)所示的化合物或下述式(b2)所示的化合物，与前述第1化合物不同。
9、[化1]
10、
11、(式(a1)中，
12、la1、la2、和la3各自独立地为
13、单键、
14、取代或未取代的成环碳原子数6～50的亚芳基、或
15、取代或未取代的成环原子数5～50的2价杂环基。
16、ar111、ar112、和ar113各自独立地为
17、取代或未取代的成环碳原子数6～50的芳基、
18、取代或未取代的成环原子数5～50的杂环基、或
19、-si(rc1)(rc2)(rc3)。
20、rc1、rc2、和rc3各自独立地为取代或未取代的成环碳原子数6～50的芳基。
21、rc1存在多个时，多个rc1互相可以相同，也可以不同。
22、rc2存在多个时，多个rc2互相可以相同，也可以不同。
23、rc3存在多个时，多个rc3互相可以相同，也可以不同。
24、[化2]
25、
26、(式(a2)中，
27、lc1、lc2、lc3、和lc4各自独立地为
28、单键、
29、取代或未取代的成环碳原子数6～50的亚芳基、或
30、取代或未取代的成环原子数5～50的2价杂环基。
31、n2为1～4的整数。
32、n2为1时，lc5为
33、取代或未取代的成环碳原子数6～50的亚芳基、或
34、取代或未取代的成环原子数5～50的2价杂环基。
35、n2为2、3、或4时，多个lc5互相可以相同，也可以不同。
36、n2为2、3、或4时，多个lc5互相键合而形成取代或未取代的饱和或不饱和的环、或不形成取代或未取代的饱和或不饱和的环。
37、不形成前述取代或未取代的饱和或不饱和的环的lc5各自独立地为
38、取代或未取代的成环碳原子数6～50的亚芳基、或
39、取代或未取代的成环原子数5～50的2价杂环基。
40、ar131、ar132、ar133、和ar134各自独立地为
41、取代或未取代的成环碳原子数6～50的芳基、
42、取代或未取代的成环原子数5～50的杂环基、或
43、-si(rc1)(rc2)(rc3)。
44、rc1、rc2、和rc3如前述式(a1)中所定义。
45、[化3]
46、
47、(式(b1)中，
48、r1a～r8a各自独立地为
49、氢原子、
50、取代基r、或
51、下述式(b1a)所示的基团。
52、取代基r为
53、取代或未取代的碳原子数1～50的烷基、
54、取代或未取代的碳原子数2～50的烯基、
55、取代或未取代的碳原子数2～50的炔基、
56、取代或未取代的成环碳原子数3～50的环烷基、
57、-si(r901)(r902)(r903)、
58、-o-(r904)、
59、-s-(r905)、
60、-n(r906)(r907)
61、(在此，r901～r907各自独立地为
62、氢原子、
63、取代或未取代的碳原子数1～50的烷基、
64、取代或未取代的成环碳原子数3～50的环烷基、
65、取代或未取代的成环碳原子数6～50的芳基、或
66、取代或未取代的成环原子数5～50的1价杂环基。r901～r907存在2个以上时，2个以上的r901～r907各自可以相同，也可以不同。)、
67、卤素原子、氰基、硝基、
68、取代或未取代的成环碳原子数6～50的芳基、或
69、取代或未取代的成环原子数5～50的1价杂环基。
70、取代基r存在2个以上时，2个以上的取代基r可以相同，也可以不同。
71、l1a各自独立地为
72、单键、
73、取代或未取代的成环碳原子数6～50的亚芳基、或
74、取代或未取代的成环原子数5～50的2价杂环基。
75、ar1a各自独立地为
76、取代或未取代的成环碳原子数6～50的芳基、或
77、取代或未取代的成环原子数5～50的1价杂环基。
78、-l1a-ar1a (b1a)
79、(式(b1a)中，
80、l1a和ar1a如式(b1)中所定义。)
81、前述式(b1a)所示的基团存在2个以上时，2个以上的前述式(b1a)所示的基团各自可以相同，也可以不同。)
82、[化4]
83、
84、(式(b2)中，
85、r1b与r10b的组、和r5b与r6b的组中的至少1组互相键合而形成取代或未取代的饱和或不饱和的环。
86、r1b与r2b的组、r2b与r3b的组、r3b与r4b的组、r4b与r5b的组、r6b与r7b的组、r7b与r8b本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.组合物，其包含电子亲和力Af1为1.70eV以下、且电离电位Ip1为5.80eV以下的第1化合物、和
2.根据权利要求1所述的组合物，其中，前述第2化合物的电子亲和力Af2为1.95eV以下。
3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，前述第2化合物的电子亲和力Af2为1.90eV以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的组合物，其中，前述第2化合物的电离电位Ip2为5.90eV以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的组合物，其中，前述第2化合物的电离电位Ip2为5.80eV以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的组合物，其中，前述第1化合物的电子亲和力Af1为1.60eV以下。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的组合物，其中，前述第1化合物的电离电位Ip1为5.75eV以下。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的组合物，其中，前述第1化合物的电离电位Ip1为5.60eV以上。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的组合物，其中，前述第1化合物的电子亲和力Af1比前述第2
10.根据权利要求1～9中任一项所述的组合物，其中，前述第1化合物的电子亲和力Af1比前述第2化合物的电子亲和力Af2小0.2eV以上。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的组合物，其中，前述第1化合物的电离电位Ip1比前述第2化合物的电离电位Ip2小。
12.根据权利要求11所述的组合物，其中，前述第1化合物的电离电位Ip1和前述第2化合物的电离电位Ip2满足下述式(1)，
13.根据权利要求1～12中任一项所述的组合物，其中，前述第2化合物的三重态能量T1为2.40eV以下。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的组合物，其中，前述第1化合物和前述第2化合物的质量比(第1化合物：第2化合物)为50：50～99：1的范围内。
15.根据权利要求1～14中任一项所述的组合物，其中，前述第1化合物和前述第2化合物的质量比(第1化合物：第2化合物)为65：35～99：1的范围内。
16.根据权利要求1～15中任一项所述的组合物，其中，实际上仅包含前述第1化合物和前述第2化合物。
17.组合物，其包含第1化合物和第2化合物，
18.根据权利要求17所述的组合物，其中，前述第1化合物为前述式(A1)所示的化合物。
19.根据权利要求17或18所述的组合物，其中，前述第1化合物为下述式(A11)所示的化合物，
20.根据权利要求17～19中任一项所述的组合物，其中，LA1、LA2、和LA3中，至少2个各自独立地为
21.根据权利要求17～20中任一项所述的组合物，其中，前述第1化合物为下述式(A12)所示的化合物，
22.根据权利要求21所述的组合物，其中，
23.根据权利要求17～22中任一项所述的组合物，其中，前述第1化合物包含至少1个氘原子。
24.根据权利要求17～23中任一项所述的组合物，其中，式(B1)中，L1A各自独立地为单键、或取代或未取代的成环碳原子数6～14的亚芳基。
25.根据权利要求17～24中任一项所述的组合物，其中，式(B1)中，L1A各自独立地为单键、取代或未取代的亚苯基、或取代或未取代的亚萘基。
26.根据权利要求17～25中任一项所述的组合物，其中，前述式(B1)所示的化合物为下述式(B1-1)所示的化合物，
27.根据权利要求26所述的组合物，其中，前述式(B1-1)中，X11A为O。
28.根据权利要求17～27中任一项所述的组合物，其中，前述式(B1)所示的化合物为下述式(B1-11)～(B1-17)中任一者所示的化合物，
29.根据权利要求28所述的组合物，其中，前述式(B1-11)～(B1-17)中，Ar1A为取代或未取代的成环碳原子数6～50的芳基。
30.根据权利要求28或29所述的组合物，其中，前述式(B1-11)～(B1-17)中，Ar1A选自下述式(a1)～(a4)中的任一者所示的基团，
31.根据权利要求17所述的组合物，其中，前述式(B2)所示的化合物为下述式(B21)所示的化合物，
32.根据权利要求31所述的组合物，其中，前述式(B21)中，Ar11B为包含选自苯并呫吨、芘、苯并蒽、苯并荧蒽、苯并三亚苯基、和中的结构的基团。
33.根据权利要求31或32所述的组合物，其中，前述...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.组合物，其包含电子亲和力af1为1.70ev以下、且电离电位ip1为5.80ev以下的第1化合物、和
2.根据权利要求1所述的组合物，其中，前述第2化合物的电子亲和力af2为1.95ev以下。
3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，前述第2化合物的电子亲和力af2为1.90ev以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的组合物，其中，前述第2化合物的电离电位ip2为5.90ev以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的组合物，其中，前述第2化合物的电离电位ip2为5.80ev以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的组合物，其中，前述第1化合物的电子亲和力af1为1.60ev以下。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的组合物，其中，前述第1化合物的电离电位ip1为5.75ev以下。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的组合物，其中，前述第1化合物的电离电位ip1为5.60ev以上。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的组合物，其中，前述第1化合物的电子亲和力af1比前述第2化合物的电子亲和力af2小。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的组合物，其中，前述第1化合物的电子亲和力af1比前述第2化合物的电子亲和力af2小0.2ev以上。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的组合物，其中，前述第1化合物的电离电位ip1比前述第2化合物的电离电位ip2小。
12.根据权利要求11所述的组合物，其中，前述第1化合物的电离电位ip1和前述第2化合物的电离电位ip2满足下述式(1)，
13.根据权利要求1～12中任一项所述的组合物，其中，前述第2化合物的三重态能量t1为2.40ev以下。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的组合物，其中，前述第1化合物和前述第2化合物的质量比(第1化合物：第2化合物)为50：50～99：1的范围内。
15.根据权利要求1～14中任一项所述的组合物，其中，前述第1化合物和前述第2化合物的质量比(第1化合物：第2化合物)为65：35～99：1的范围内。
16.根据权利要求1～15中任一项所述的组合物，其中，实际上仅包含前述第1化合物和前述第2化合物。
17.组合物，其包含第1化合物和第2化合物，
18.根据权利要求17所述的组合物，其中，前述第1化合物为前述式(a1)所示的化合物。
19.根据权利要求17或18所述的组合物，其中，前述第1化合物为下述式(a11)所示的化合物，
20.根据权利要求17～19中任一项所述的组合物，其中，la1、la2、和la3中，至少2个各自独立地为
21.根据权利要求17～20中任一项所述的组合物，其中，前述第1化合物为下述式(a12)所示的化合物，
22.根据权利要求21所述的组合物，其中，
23.根据权利要求17～22中任一项所述的组合物，其中，前述第1化合物包含至少1个氘原子。
24.根据权利要求17～23中任一项所述的组合物，其中，式(b1)中，l1a各自独立地为单键、或取代或未取代的成环碳原子数6～14的亚芳基。
25.根据权利要求17～24中任一项所述的组合物，其中，式(b1)中，l1a各自独立地为单键、取代或未取代的亚苯基、或取代或未取代的亚萘基。
26.根据权利要求17～25中任一项所述的组合物，其中，前述式(b1)所示的化合物为下述式(b1-1)所示的化合物，
27.根据权利要求26所述的组合物，其中，前述式(b1-1)中，x11a为o。
28.根据权利要求17～27中任一项所述的组合物，其中，前述式(b1)所示的化合物为下述式(b1-11)～(b1-17)中任一者所示的化合物，
29.根据权利要求28所述的组合物，其中，前述式(b1-11)～(b1-17)中，ar1a为取代或未取代的成环碳原子数6～50的芳基。
30.根据权利要求28或29所述的组合物，其中，前述式(b1-11)～(b1-17)中，ar1a选自下述式(a1)～(a4)中的任一者所示的基团，
31.根据权利要求17所述的组合物，其中，前述式(...
【专利技术属性】
技术研发人员：Y·李，增田哲也，池田刚，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：
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