【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文中所公开的实施例涉及包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。
技术介绍
1、存储器是一种类型的集成电路系统且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可称为位线、数据线或感测线)及存取线(其也可称为字线)来写入或读取存储器单元。感测线可使沿着阵列的列的存储器单元导电互连，且存取线可使沿着阵列的行的存储器单元导电互连。每一存储器单元可通过感测线及存取线的组合唯一地寻址。
2、存储器单元可为易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在不存在电力的情况下长时间存储数据。非易失性存储器常规地被指定为具有至少约10年的保持时间的存储器。易失性存储器会消散，且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短的保持时间。无论如何，存储器单元经配置以在至少两种不同可选择状态下保持或存储存储器。在二进制系统中，状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储信息的两个以上电平或状态。
3、场效...
【技术保护点】
1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述岛状物的所述组合物是导电的。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述岛状物的所述组合物是绝缘的。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述岛状物的所述组合物是半导电的。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述导体材料包括在金属材料正上方及直接抵靠所述金属材料的导电掺杂半导电材料，所述岛状物的底部直接抵靠所述金属材料。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述岛状物底部直接抵靠所述金属材料的顶部。
7.根...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述岛状物的所述组合物是导电的。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述岛状物的所述组合物是绝缘的。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述岛状物的所述组合物是半导电的。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述导体材料包括在金属材料正上方及直接抵靠所述金属材料的导电掺杂半导电材料，所述岛状物的底部直接抵靠所述金属材料。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述岛状物底部直接抵靠所述金属材料的顶部。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述岛状物的所述组合物包括掺杂半导电材料。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述掺杂半导电材料的掺杂剂是b、c、n、o、ga及金属材料中的至少一者。
9.根据权利要求7所述的方法，其中所述掺杂半导电材料的总掺杂剂浓度是0.05原子％到30.0原子％。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述岛状物的所述组合物包括掺杂材料，其中所述掺杂材料的掺杂剂是b、c、n、o、ga及金属材料中的至少一者。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述岛状物的所述组合物包括掺杂材料，其中所述掺杂材料的总掺杂剂浓度是0.05原子％到30.0原子％。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述掺杂材料的总掺杂剂浓度是0.5原子％到10.0原子％。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述沟道材料串构造个别地具有底部，所述底部直接抵靠在其下方的所述岛状物的顶部。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述沟道材料串构造个别地具有底部，所述底部全部直接抵靠在其下方的所述岛状物。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述沟道材料串构造的所述底部直接抵靠所述岛状物的顶部。
16.根据权利要求1所述的方法，其包括通过离子植入形成所述岛状物。
17.根据权利要求1所述的方法，其包括通过气相扩散形成所述岛状物。
18.根据权利要求1所述的方法，其包括通过等离子体增强掺杂形成所述岛状物。
19.根据权利要求1所述的方法，其中所述导体材料包括导电掺杂半导电材料；所述岛状物通过离子植入、气相扩散及等离子体增强掺杂中的一者形成。
20.根据权利要求20所述的方法，其中所述导电掺杂半导电材料包括磷掺杂硅，且离子植入、气相扩散及等离子体增强掺杂中的所述一者是运用b。
21.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述牺牲支柱形成为向上延伸到所述下部中。
23.根据权利要求21所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·D·霍普金斯，J·D·格林利，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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