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本发明公开一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括个别地包括竖直堆叠的横向间隔的存储器块，所述竖直堆叠包括在导体层级上方的交替的绝缘层级及导电层级。存储器单元串包括延伸穿过所述绝缘层级及所述导电层级而到所述导体层级中的沟道材料串构造。所述沟...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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