阵列基板的结构及其制造方法技术

本发明专利技术的实施例公开了一种阵列基板的结构及其制作方法。涉及液晶显示器的制造工艺，解决了现有技术中采用四次光刻工艺制造阵列基板生产效率低的问题。本实施例中的阵列基板的结构主要包括像素电极图案和栅图案，所述栅图案包括栅极扫描线和薄膜晶体管的栅极，所述栅极扫描线和栅极均包括依次沉积在基板上的透明导电金属层和栅金属层，所述像素电极图案中的每个像素电极包括透明导电金属层；所述像素电极图案和栅图案上沉积有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上形成有与所述栅极对应的有源层图案、以及露出所述像素电极的栅绝缘层过孔；所述栅极绝缘层上还设有源/漏图案等。本发明专利技术实施例主要应用于液晶显示器相关领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器的制造工艺，尤其是一种TFT-IXDCThin FilmTransistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)阵列基板的制造方法，以及该种TFT-IXD阵列基板的结构。
技术介绍
由于液晶显示器具有重量轻、厚度薄、无辐射的优点，近年来液晶显示技术得到了迅速的发展。一个液晶显示器件一般有TFT-IXD阵列基板、彩色滤光片、液晶和背光源组成。其中，TFT-IXD阵列基板制作最为复杂。一般来说，TFT-IXD阵列基板的结构主要可分为基板，栅电极，栅电极绝缘层，半导体层，半导体保护层以及像素电极等。TFT-LCD阵列基板的制作通常是通过一组薄膜沉积和光刻工艺形成的每层图案来完成，一次光刻形成一层结构图案。近年来由于液晶显示技术得到了迅速的发展，现在已经由原来的七次光刻发展到现在普遍采用的四次光刻技术。在TFT-LCD阵列基板的制作过程中，通常采用的光刻次数越少，生产效率就会越高，制作成本就会越低，如何将需要四次光刻才能完成的制作过程进一步的改善，是现有技术中有待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板的结构及其制作方法，可通过三次光刻完成 TFT-IXD阵列基板的制作过程，以便提高生产效率。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案一种阵列基板的制作方法，包括1)在基板上依次沉积透明导电金属层和栅金属层；2)利用第一双调掩模板进行构图形成像素电极图案和栅图案；3)在形成有所述像素电极图案和栅图案的基板上依次沉积栅极绝缘层和有源层；4)利用第二双调掩模板进行构图形成露出所述像素电极的栅绝缘层过孔，以及与所述栅极对应的有源层图案、并保留所述有源层图案上的光刻胶；5)在形成有所述有源层图案和过孔的基板上沉积源/漏金属层，所述源/漏金属层通过所述过孔与像素电极接触；6)剥离所述有源层图案上的光刻胶，并通过剥离所述有源层图案上的光刻胶使所述光刻胶以及与所述光刻胶对应部分的源/漏金属层脱落；7)利用第三掩模板通过构图工艺形成源/漏图案，所述源/漏图案包括与栅极扫描线交叉的数据扫描线、源极和漏极，所述源/漏金属层中的漏极通过所述过孔与所述像素电极接触。一种阵列基板的结构，形成于基板上，并且包括像素电极图案和栅图案，所述栅图案包括栅极扫描线和薄膜晶体管的栅极，所述栅极扫描线和栅极均包括依次沉积在基板上的透明导电金属层和栅金属层，所述像素电极图案中的每个像素电极包括透明导电金属层；所述像素电极图案和栅图案上沉积有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上形成有与所述栅极对应的有源层图案、以及露出所述像素电极的栅绝缘层过孔；所述栅极绝缘层上还形成有源/漏图案，所述源/漏图案包括与栅极扫描线交叉的数据扫描线、薄膜晶体管的源极和漏极，并且所述漏极通过所述过孔与所述像素电极接触。本专利技术实施例提供的技术方案具有如下有益效果利用第一双调掩模板、第二双调掩模板以及第三掩模板通过三次光刻构图工艺从而完成阵列基板的制作过程，与现有技术中需要进行四次光刻完成阵列基板的制作相比，减少了掩模板等设备的投入，降低了制作成本，缩短了生产时间，故而提高了生产效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例的阵列基板的平面结构示意图；图2为本专利技术实施例的阵列基板的剖面结构示意图；图3为本专利技术实施例的阵列基板的制作方法的流程示意图；图4为本专利技术实施例1中阵列基板的平面结构示意图；图5为本专利技术实施例1中阵列基板的剖面结构示意图；图6为本专利技术实施例2中阵列基板的制作方法的流程示意图；图7为本专利技术实施例2中阵列基板第一次刻蚀工艺后的示意图；图8为本专利技术实施例2中阵列基板第二次刻蚀工艺后的示意图；图9为本专利技术实施例2中阵列基板剥离光刻胶后形成的栅图案的示意图；图10为本专利技术实施例2中阵列基板沉积栅极绝缘层和有源层后的示意图；图11为本专利技术实施例2中阵列基板第三次刻蚀工艺后的示意图；图12为本专利技术实施例2中阵列基板第四次刻蚀工艺后的示意图；图13为本专利技术实施例2中阵列基板沉积源/漏金属层后的示意图；图14为本专利技术实施例2中阵列基板形成TFT沟道的示意图；附图标记0_基板，1-像素电极，2-栅极扫描线，3-栅极，4-栅极绝缘层，5-有源层图案，6-过孔，7-数据扫描线，8-源极，9-漏极，10-TFT-IXD阵列基板，11-钝化层， 12-TFT 沟道。具体实施例方式本实施例提供一种阵列基板的结构，形成于基板0上，如图1所示的平面图，和将图1所示的基板沿A-B方向剖开后的剖面图2所示，包括像素电极案和栅图案，所述栅图案5包括栅极扫描线2和薄膜晶体管的栅极3，所述栅极扫描线2和栅极3由依次沉积在基板0 上的透明导电金属层和栅金属层形成，所述像素电极图案中的每个像素电极1由透明导电金属层形成；所述像素电极图案和栅图案上沉积有栅极绝缘层4，所述栅极绝缘层上形成有与所述栅极3对应的有源层图案、以及露出所述像素电极1的栅绝缘层过孔6 ；所述栅极绝缘层4上还形成有源/漏图案，所述源/漏图案包括与栅极扫描线交叉的数据扫描线7、薄膜晶体管的源极8和漏极9，源极8和漏极9与有源层接触，并且所述漏极9通过所述过孔与所述像素电极1接触。在本实施例提供的阵列基板中像素电极直接形成在在基板上，包括这种结构的阵列基板不仅可同样作为TFT-LCD阵列基板使用，实现其功能和作为，并且还可通过三次光刻工艺完成，与现有技术中热门使用的四次光刻工艺相比减少了掩模板等在制作过程中需要投入的设备，缩短了生产时间，与需要四次光刻工艺完成的阵列基板相比，生产效率较尚ο相应地，本专利技术实施例还提供了一种上述阵列基板的制作方法，如图3所示，该方法主要包括如下步骤步骤1，在基板上依次沉积透明导电金属层和栅金属层；步骤2，进行第一次光刻工艺包括利用第一双调掩模板进行构图形成像素电极图案和栅图案，所述像素电极图案中的像素电极包括透明导电金属层，所述栅图案中的栅极和栅极扫描线均包括透明导电金属层和栅金属层；步骤3，在形成有所述像素电极图案和栅图案的基板上依次沉积栅极绝缘层和有源层；步骤4，进行第二次光刻工艺包括利用第二双调掩模板进行构图形成穿过所述栅极绝缘层并露出所述像素电极的过孔，以及与所述栅极对应的有源层图案，即设置在所述栅极上方的有源层图案、并保留所述有源层图案上的光刻胶；步骤5，在形成有所述有源层图案和过孔的基板上沉积源/漏金属层，所述源/漏金属层通过所述过孔与像素电极接触；步骤6，剥离所述有源层图案上的光刻胶及与所述光刻胶对应重叠部分的源/漏金属层，以形成沟道；步骤7，进行第三次光刻工艺包括利用第三掩模板通过构图工艺形成源/漏图案，所述源/漏图案包括与栅极扫描线交叉的数据扫描线、源极和漏极，所述源/漏金属层中的漏极通过所述过孔与所述像素电极接触。本实施例提供的制作方法，可通过三次构图工艺中的对应的三次光刻完成阵列基板的制作过程，与现有技术中需要进行四次光刻完成阵列基板的制作相比，减少了掩模板等设备的投入，降低了本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：１）在基板上依次沉积透明导电金属层和栅金属层；２）利用第一双调掩模板进行构图形成像素电极图案和栅图案；３）在形成有所述像素电极图案和栅图案的基板上依次沉积栅极绝缘层和有源层；４）利用第二双调掩模板进行构图形成露出所述像素电极的栅绝缘层过孔，以及与所述栅极对应的有源层图案、并保留所述有源层图案上的光刻胶；５）在形成有所述有源层图案和过孔的基板上沉积源／漏金属层，所述源／漏金属层通过所述过孔与像素电极接触；６）剥离所述有源层图案上的光刻胶从而使所述光刻胶以及与所述光刻胶对应部分的源／漏金属层脱落；７）利用第三掩模板通过构图工艺形成源／漏图案，所述源／漏图案包括与栅极扫描线交叉的数据扫描线、源极和漏极，所述漏极包括所述源／漏金属层通过所述过孔与所述像素电极接触的部分。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，刘圣烈，薛建设，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11