形成接触窗的方法技术

一种形成接触窗的方法，用于一晶体管数组基板，其具有多个第一接触垫、多个位在第一接触垫上方的第二接触垫、一覆盖第一接触垫的第一绝缘层及一覆盖第二接触垫的第二绝缘层。在此方法中，首先，在第二绝缘层上形成一具有多个凹槽与多个第一开口的光阻图案层。第一开口局部暴露第二绝缘层。接着，移除位在第一开口内的部分第一绝缘层与部分第二绝缘层，以暴露第一接触垫。接着，减少光阻图案层的厚度，以使凹槽形成局部暴露第二绝缘层的第二开口。之后，移除位在第二开口内的部分第二绝缘层，以暴露第二接触垫。本发明专利技术能降低发生过蚀刻的可能性，从而减少晶体管数组基板的制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种显示器的制造流程，且特别是有关于一种形成接触窗 (contact hole)的方法。
技术介绍
在现今市售的液晶显示器(Liquid Crystal Display, LCD)中，晶体管数组基板 (transistor array substrate)是不可或缺的重要组件。在现有已制造完成的晶体管数组基板中，透过多个接触窗，多个晶体管的汲极(drain)能分别电性连接多个画素电极(pixel electrode)，而多条讯号线(例如扫描线或数据线)能电性连接驱动芯片(driver)。现有晶体管数组基板包括二层绝缘层，而这些接触窗皆为多个位在这些绝缘层内的孔洞，其中这些接触窗是贯穿这些绝缘层至少其中一者而形成。也就是说，有的接触窗是贯穿所有绝缘层而形成，而有的接触窗是只贯穿其中一层绝缘层而形成。因此，在同一块晶体管数组基板中，所有接触窗的深度不完全相同。一般而言，这些接触窗是透过蚀刻(etching)而形成。然而，由于所有接触窗的深度不完全相同，因此在进行蚀刻的过程中，可能会因为过蚀刻(overetching)的影响而造成汲极或讯号线被破坏，以至于晶体管数组基板可能须要重工(rework)或是被迫报废 (scraping)，从而增加晶体管数组基板的制造成本。
技术实现思路
本专利技术提供一种，其能降低发生上述过蚀刻的可能性。本专利技术提出一种，其用于一晶体管数组基板。此晶体管数组基板包括一基板、一第一金属图案层、一第一绝缘层、一第二金属图案层与一第二绝缘层，其中第一金属图案层位在基板上，并包括多个第一接触垫，而第一绝缘层覆盖基板与第一金属图案层。第二金属图案层位在第一绝缘层上，并包括多个第二接触垫，而第二绝缘层覆盖第二金属图案层与第一绝缘层。在上述中，首先，在第二绝缘层上形成一光阻图案层。光阻图案层具有多个凹槽与多个第一开口，其中这些第一开口局部暴露第二绝缘层，而这些凹槽未暴露第二绝缘层。这些第一开口分别位在这些第一接触垫的正上方， 而这些凹槽分别位在这些第二接触垫的正上方。接着，以光阻图案层为屏蔽，移除位在这些第一开口内的部分第二绝缘层与部分第一绝缘层，以暴露这些第一接触垫。接着，减少光阻图案层的厚度，以使这些凹槽形成多个第二开口，其中这些第二开口局部暴露第二绝缘层。 接着，以厚度减少后的光阻图案层为屏蔽，移除位在这些第二开口内的部分第二绝缘层，以暴露这些第二接触垫。在本专利技术一实施例中，上述形成光阻图案层的方法包括，在第二绝缘层上形成一初始光阻层。接着，以一半透光式光罩为屏蔽，曝光初始光阻层，其中半透光式光罩具有多个半透光区，而这些半透光区对准这些第二接触垫。在曝光初始光阻层之后，显影初始光阻层。在本专利技术一实施例中，上述半透光式光罩更具有多个透光区，而这些透光区对准这些第一接触垫。在本专利技术一实施例中，上述减少光阻图案层的厚度的步骤包括令一电浆灰化光阻图案层。在本专利技术一实施例中，上述电浆移除位在这些第一开口内的部分第二绝缘层与部分第一绝缘层，以及位在这些第二开口内的部分第二绝缘层。在本专利技术一实施例中，上述电浆包括氧离子与氟离子。在本专利技术一实施例中，上述晶体管数组基板更包括多个半导体层。这些半导体层位在第一金属图案层与第二金属图案层之间，而这些半导体层、第一金属图案层、第一绝缘层以及第二金属图案层形成多个晶体管。在本专利技术一实施例中，各个晶体管具有一汲极，而这些汲极为多个第二接触垫。在本专利技术一实施例中，上述第二金属图案层更包括多条数据线，而部分这些第二接触垫连接这些数据线。在本专利技术一实施例中，上述第一金属图案层更包括多条扫描线，而基板具有一显示区以及一非显示区。非显示区位在显示区旁，而这些第一接触垫连接这些扫描线，并位在非显示区内。在本专利技术一实施例中，上述第二金属图案层更包括多条端子线，而这些端子线位在非显示区内。部分这些第二接触垫连接这些端子线，并位在非显示区内。基于上述，藉由光阻图案层所具有的凹槽以及第一开口，在移除部分第二绝缘层与部分第一绝缘层的过程中，凹槽底部的光阻图案层能保护凹槽下方的第二绝缘层，以使暴露第二接触垫的接触窗，其开始形成的时间得以延后。如此，本专利技术能降低发生过蚀刻的可能性，从而减少晶体管数组基板的制造成本。为让本专利技术之上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式， 作详细说明如下。附图说明图IA是本专利技术一实施例的所实施的晶体管数组基板的俯视示意图。图IB是图IA中沿线I-I剖面所绘制的剖面示意图。图2A至图2E是本专利技术一实施例的的剖面流程示意图。主要组件符号说明100,102晶体管数组基板110第一金属图案层112p第一接触垫118s扫描线120第二金属图案层122p、124p、126p第二接触垫128d资料线128t端子线130第一绝缘层140第二绝缘层150半导体层160基板162显示区164非显示区168平面170f、170f，光阻图案层170i初始光阻层182画素电极184跳线200半透光式光210半透光区220透光区230遮光区C1、C2接触窗D1、D2深度Gl闸极Hl第一开口H2第二开口Ll光线Pl电浆Rl凹槽Sl源极Tl晶体管具体实施例方式为使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下将通过具体实施例和相关附图，对本专利技术作进一步详细说明。图IA是本专利技术一实施例的所实施的晶体管数组基板的俯视示意图，而图IB是图IA中沿线I-I剖面所绘制的剖面示意图。请参阅图IA与图1B，本实施例的应用于一晶体管数组基板100，并且能在晶体管数组基板100上形成多个接触窗。晶体管数组基板100为一般晶体管数组基板的半成品，而在进行上述以前，晶体管数组基板100并不包括任何接触窗、画素电极182以及跳线184。晶体管数组基板100包括一第一金属图案层110、一第二金属图案层120、一第一绝缘层130、一第二绝缘层140、多个半导体层150与一基板160，其中第一金属图案层110、 第二金属图案层120、第一绝缘层130、第二绝缘层140及半导体层150皆位在基板160的平面168上方。第一金属图案层110位在基板160上，并接触平面168，而第一绝缘层130覆盖基板160的平面168以及第一金属图案层110。第二金属图案层120位在第一绝缘层130上， 而第二绝缘层140覆盖第二金属图案层120以及第一绝缘层130。因此，第一金属图案层 110位在第一绝缘层130以及基板160之间，而第二金属图案层120位在第一绝缘层130以及第二绝缘层140之间，其中第一金属图案层110位在第二金属图案层120的下方。第一金属图案层110与第二金属图案层120 二者的材料可以是钼或钼合金，而第一绝缘层130与第二绝缘层140 二者的材料例如是氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或高分子材料，其中氧化硅可以是二氧化硅(Si02)。基板160为一种透明板，其例如是玻璃板或蓝宝 ^Sl&Csapphire substrate) SIS. 160 ^W^M/^IS (display area)162区(non-display area) 164，其中非显示区164位在显示区162旁，如图IA所示。第一金属图案层110包括多个第一接触垫112p，而第二金属图案层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．在该第二绝缘层上形成一光阻图案层，其中该光阻图案层具有多个凹槽与多个第一开口，该些第一开口局部暴露该第二绝缘层，而该些凹槽未暴露该第二绝缘层，该些第一开口分别位在该些第一接触垫的正上方，而该些凹槽分别位在该些第二接触垫的正上方；以该光阻图案层为屏蔽，移除位在该些第一开口内的部分该第二绝缘层与部分该第一绝缘层，以暴露该些第一接触垫；减少该光阻图案层的厚度，以使该些凹槽形成多个第二开口，其中该些第二开口局部暴露该第二绝缘层；以及以厚度减少后的该光阻图案层为屏蔽，移除位在该些第二开口内的部分该第二绝缘层，以暴露该些第二接触垫。

【技术特征摘要】
1.在该第二绝缘层上形成一光阻图案层，其中该光阻图案层具有多个凹槽与多个第一开口，该些第一开口局部暴露该第二绝缘层，而该些凹槽未暴露该第二绝缘层，该些第一开口分别位在该些第一接触垫的正上方，而该些凹槽分别位在该些第二接触垫的正上方；以该光阻图案层为屏蔽，移除位在该些第一开口内的部分该第二绝缘层与部分该第一绝缘层，以暴露该些第一接触垫；减少该光阻图案层的厚度，以使该些凹槽形成多个第二开口，其中该些第二开口局部暴露该第二绝缘层；以及以厚度减少后的该光阻图案层为屏蔽，移除位在该些第二开口内的部分该第二绝缘层，以暴露该些第二接触垫。2.根据权利要求1所述的形成接触窗的方法，其特征在于，其中形成该光阻图案层的方法包括在该第二绝缘层上形成一初始光阻层；以一半透光式光罩为屏蔽，曝光该初始光阻层，其中该半透光式光罩具有多个半透光区，该些半透光区对准该些第二接触垫；以及在曝光该初始光阻层之后，显影该初始光阻层。3.根据权利要求2所述的形成接触窗的方法，其特征在于，其中该半透光式光罩更具有多个透光区，该些透光区对准该些第一接触垫。4.根据权利要求1所述的形成接触窗的方法，其特征在于，其中减少该光阻图案层的厚度的步骤包括令一电浆灰化该光阻图案层。5.根据权利要求4所述的形成接触窗...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆文正，姚洋羽，
申请(专利权)人：福建华映显示科技有限公司，中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：35