半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种半导体装置的结构及其制造方法，其中在电路群中，形成被要求高速工作和低电压工作的电路与被要求当施加高电压时的充分可靠性的电路。在半导体装置中，在同一衬底上具有多种包括从单晶半导体衬底分离且接合的厚度不同的单晶半导体层的晶体管。使被要求高速工作的晶体管的单晶半导体层的厚度比被要求对电压的高耐压性的晶体管的单晶半导体层的厚度薄。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在具有绝缘表面的衬底上具有晶体管的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
目前正在开发使用被称为绝缘体上硅片(下面也称为S0I)的半导体衬底的集成电路，该半导体衬底在绝缘表面上设置有较薄的单晶半导体层而代替将单晶半导体锭切成薄片来制造的硅片。使用SOI衬底的集成电路因为使晶体管的漏极和衬底之间的寄生电容降低，并且提高半导体集成电路的性能而引人注目。作为制造SOI衬底的方法，已知氢离子注入剥离法(例如参照专利文件1)。在氢离子注入剥离法中，通过将氢离子注入到硅片中，在离其表面有预定的深度的区域中形成微小气泡层，并且以该微小气泡层为分离面，而对另外硅片贴附较薄的硅层(半导体层)来接合。除了进行剥离半导体层的热处理，还需要通过在氧化性气氛下的热处理来在半导体层形成氧化膜，然后去除该氧化膜，其次在100(TC至1300°C的还原性气氛下进行热处理来提高接合强度。另一方面，公开了在绝缘衬底如高耐热性玻璃等上设置有单晶硅层的半导体装置 (例如参照专利文件2)。在该半导体装置中，使用绝缘硅膜保护应变点为750°C以上的结晶玻璃的整个表面，并且将通过氢离子注入剥离法而得到的单晶硅层固定本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于制造半导体设备的方法，其特征在于，包括以下步骤：在第一半导体衬底中形成第一分离层，并在第二半导体衬底中形成第二分离层；将所述第一半导体衬底以及所述第二半导体衬底与支撑衬底粘合；对所述第一分离层上的所述第一半导体衬底进行分离以在所述支撑衬底上形成第一单晶半导体层，并对所述第二分离层上的所述第二半导体衬底进行分离以在所述支撑衬底上形成第二单晶半导体层，其中所述第一单晶半导体层比所述第二单晶半导体层薄；对所述第一单晶半导体层和所述第二单晶半导体层进行处理以分别形成多个第一岛状半导体层和多个第二岛状半导体层；在所述多个第一岛状半导体层上形成第一栅绝缘膜并在所述多个第二岛状半导体层上形成第二...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：棚田好文，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP