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本发明的目的在于提供一种半导体装置的结构及其制造方法，其中在电路群中，形成被要求高速工作和低电压工作的电路与被要求当施加高电压时的充分可靠性的电路。在半导体装置中，在同一衬底上具有多种包括从单晶半导体衬底分离且接合的厚度不同的单晶半导体层的...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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