薄膜晶体管矩阵基板及显示面板的制造方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管矩阵基板及显示面板的制造方法。此制造方法包括如下步骤：依序形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、电极层及第一光阻层于所述透明基材上；图案化所述第一光阻层；蚀刻所述欧姆接触层及所述电极层；涂布第二光阻层于所述图案化第一光阻层上，以及沟道内；移除所述图案化第一光阻层上的所述第二光阻层，并保留所述沟道内的所述第二光阻层；蚀刻所述半导体层；移除所述图案化第一光阻层及所述第二光阻层；形成保护层于所述沟道、所述源电极及所述漏电极上；以及形成像素电极层于所述保护层上，本发明专利技术可减少制程的光掩膜数，且仅需对金属进行一次湿蚀刻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管制造
，特别是涉及一种。
技术介绍
液晶显示器(Liquid Crystal Display, IXD)已被广泛应用于各种电子产品中， 液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其是由液晶显示面板及背光模块(backlight module)所组成。一般的液晶显示面板包含彩色滤光片(Color Filter,CF)基板及薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)矩阵基板。CF基板上设有多个彩色滤光片和共同电极。TFT矩阵基板上设有多条彼此平行的扫描线、多条彼此平行的数据线、多个薄膜晶体管及像素电极，其中扫描线是垂直于数据线，且两相邻扫描线和两相邻数据线之间可界定像素(Pixel)区域。在TFT矩阵基板的制程中，需使用多道光掩膜来进行光刻制程 (Photo-lithography)，然而，光掩膜相当昂贵，光掩膜数越多则TFT制程所需的成本越高， 且增加制程时间及复杂度。再者，在光刻制程中，可能需进行多次湿蚀刻(wet etch)，而容易对金属线造成影响。故，有必要提供一种，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种，以解决本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种薄膜晶体管矩阵基板的制造方法，其特征在于：所述制造方法包括如下步骤：形成栅极于透明基材上；依序形成栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、电极层及第一光阻层于所述透明基材及所述栅极上；图案化所述第一光阻层，以形成一沟道，所述沟道是形成于所述栅极的上方；蚀刻所述欧姆接触层及所述电极层，以移除部分的所述欧姆接触层及部分的所述电极层，并形成源电极及漏电极于所述沟道的相对两侧；涂布第二光阻层于所述图案化第一光阻层上，以及所述沟道内；移除所述图案化第一光阻层上的所述第二光阻层，并保留所述沟道内的所述第二光阻层；蚀刻所述半导体层，以移除部分所述半导体层；移除所述图案化第一光阻层及所述第二光阻层；形成保护...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管矩阵基板的制造方法，其特征在于所述制造方法包括如下步骤 形成栅极于透明基材上；依序形成栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、电极层及第一光阻层于所述透明基材及所述栅极上；图案化所述第一光阻层，以形成一沟道，所述沟道是形成于所述栅极的上方； 蚀刻所述欧姆接触层及所述电极层，以移除部分的所述欧姆接触层及部分的所述电极层，并形成源电极及漏电极于所述沟道的相对两侧；涂布第二光阻层于所述图案化第一光阻层上，以及所述沟道内； 移除所述图案化第一光阻层上的所述第二光阻层，并保留所述沟道内的所述第二光阻层；蚀刻所述半导体层，以移除部分所述半导体层；移除所述图案化第一光阻层及所述第二光阻层；形成保护层于所述沟道、所述源电极及所述漏电极上；以及形成像素电极层于所述保护层上，其中所述像素电极层是电性连接于所述漏电极。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于当蚀刻所述欧姆接触层及所述电极层时， 对所述欧姆接触层及所述电极层进行一次湿蚀刻，以移除所述欧姆接触层及所述电极层未被所述图案化第一光阻层遮蔽的部分。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于当涂布所述第二光阻层时，利用旋涂法、 刮刀涂布法或滚轮涂布来涂布所述第二光阻层。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于在涂布所述第二光阻层后，在所述沟道内的所述第二光阻层的厚度是大于在所述图案化第一光阻层上的所述第二光阻层的厚度。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于当移除在所述图案化第一光阻层上的所述第二光阻层时，利用加热灰化来移除在所述图案化第一光阻层上的所述第二光阻层。6.根据权利要求1所述的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛景峰，许哲豪，姚晓慧，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：94