编程半导体存储器件的方法技术

一种编程半导体存储器件的方法包括下列步骤：依据将要编程的阈电压的电平来分组存储单元；通过向所述存储单元组顺序施加编程电压来编程所述存储单元组；以及编程检验所述存储单元组。

【技术实现步骤摘要】
编程半导体存储器件的方法
本专利技术的实施例大体上涉及编程半导体存储器件的方法。
技术介绍
半导体存储器操作成为用于在其内存储数据的存储库，需要时从所述存储库中撷取数据。半导体存储器通常分类为随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)。当中止电源时，RAM无法保留它们的数据，其被称为易失性存储器。另一方面，其中数据一旦存储在ROM中即使中止电源也可以维持的存储器被称为非易失性存储器。为了提高半导体存储器件的集成密度，已经提出能够编程到多个阈电压电平的多电平单元(MLC)。相比之下，能够编程到单一阈电压电平的存储单元被称为单电平单元(SLC)。当MLC中的阈电压电平的数目增加时，该半导体存储器件中的数据存储容量扩大。然而，即使要以特定阈电压电平编程多个存储单元，所述存储单元的阈电压也可能分布在阈电压的范围上。此外，随着集成密度的增加，MLC半导体存储器件中阈电压的相邻范围彼此变得比较靠近。由于半导体存储器件中相邻存储单元的电容性耦合效应，在编程的同时在这样的MLC中会导致阈电压的无意变动。已经提出多种技术用于应对这些问题。
技术实现思路
从而，本专利技术的示范性实施例涉及能够减少使用MLC的半导体存储器件中相邻存储单元之间的干扰的编程方法。在一示范性实施例中，一种编程半导体存储器件的方法可以包括：依据目标编程电压电平将存储单元分为存储单元组；通过向所述存储单元组顺序施加与所述目标编程电压电平对应的编程电压来对所述存储单元组执行编程操作。在另一示范性实施例中，一种编程其存储单元被编程为具有第一至第三阈电压分布之一的半导体存储器件的方法包括：施加第一编程电压以编程第一存储单元组，第一存储单元组的阈电压将被移动到第一阈电压分布中；施加第二编程电压以编程第二存储单元组，第二存储单元组的阈电压将被移动到第三阈电压分布中；以及依序编程检验第一和第三存储单元组。在另一示范性实施例中，一种编程其存储单元被编程为具有第一至第三阈电压分布之一的半导体存储器件的方法包括：施加第一编程电压以编程第一存储单元组，第一存储单元组的阈电压将被移动到第一阈电压分布中；施加第二编程电压以编程第二存储单元组，第二存储单元组的阈电压将被移动到第二阈电压分布中；施加第三编程电压以编程第三存储单元组，第三存储单元组的阈电压将被移动到第三阈电压分布中；以及依序编程检验第一至第三存储单元组。依据本专利技术的示范性实施例，一种编程半导体存储器件的方法可以通过依据将要编程的阈电压的电平向所述存储单元组分别施加编程电压而在编程相邻存储单元的同时减少无意阈电压变动的比率。这里可以通过参考以下说明书和附图进一步了解本专利技术的特性和优点。附图说明附图作为范例描述本专利技术而非用于限制，其中类似的引用数字指代类似的元件，其中：图1示意性地描述依据本专利技术的实施例的半导体存储器件；图2描述图1所示的页面缓冲器；图3以图形方式显示已编程存储单元的阈电压分布；图4显示施加到已选择字线的用于编程的电压的波形；图5显示依据本专利技术的第一实施例的编程操作中的编程和检验电压的波形；图6是描述依据第一实施例的编程后的编程-检验操作的时序图；图7A至7D描述依据本专利技术的第二实施例的页面缓冲器；图8显示依据第二实施例的编程操作中施加到已选择字线的电压的波形；以及图9A至9C是描述用于依据第二实施例的编程操作的位线电压设置过程的时序图。具体实施方式以下，将参考显示一些示范性实施例的附图来更完整地描述各种示范性实施例。然而，这里公开的特定结构和功能细节只是为了描述本专利技术的示范性实施例。这里使用的术语只是为了描述特定实施例而不打算限制示范性实施例。如这里使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”意在同样包括复数形式，除非上下文另外清楚指明。将进一步理解，当在这里使用时，术语“包括”、和/或“包含”说明存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或附加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组合。另外，不难理解，虽然这里可以使用术语第一、第二等来描述各种元件，但是这些元件应当不受这些术语限制。这些术语只是用于将一个元件与其他元件区分开。例如，第一元件可以被称为第二元件，而且，类似地，第二元件可以被称为第一元件，而没有脱离本专利技术的范围。如这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。而且，应当理解，当一元件被称为“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到另一元件或可以存在居间元件。相比之下，当一元件被称为直接“连接”或“耦接”到另一元件时，不存在居间元件。应当以类似的方式解读用于描述元件之间的关系的其他字词(例如，“在......之间”对“直接在......之间”、“相邻”对“直接相邻”等)。为了更具体地描述示范性实施例，以下将参考附图详细描述各个方面。图1示意性地描述依据本专利技术的实施例的半导体存储器件。参考图1，半导体存储器件100包括存储单元阵列110、页面缓冲器组120、X-译码器130、电压供应电路140、输入/输出逻辑电路150、和控制逻辑电路160。存储单元阵列110包括多个存储器块。每个存储器块BK包括多个单元串。在每个单元串中，以串联方式耦接多个存储单元。所述单元串分别耦接到它们的对应的位线BL。存储器块BK中所包含的单元串的存储单元C0～C31串联耦接在漏极选择晶体管DST与源极选择晶体管SST之间。可以将所述存储单元C0～C31的阈电压编程为包含在4个阈电压分布之一中。漏极选择晶体管DST的漏极耦接到位线BL。源极选择晶体管SST的源极耦接到公共源极线CSL。漏极选择晶体管DST的栅极耦接到漏极选择线DSL。源极选择晶体管SST的栅极耦接到源极选择线SSL。所述存储单元C0～C31的栅极分别耦接到字线WL0～WL31。页面缓冲器组120包括耦接到存储单元阵列110的位线BL的页面缓冲器121。页面缓冲器121耦接到一条或多条位线，而且被驱动以将数据编程到已选择存储器单元、或从已选择存储单元读取数据。输入/输出逻辑电路150操作以在页面缓冲器组120与一操作地与半导体存储器件100连接之外部系统(未显示)之间输入/输出数据。而且，输入/输出逻辑电路150向控制逻辑电路160提供从外部系统输入的命令、地址信息等。X-译码器130响应于控制逻辑电路160的控制信号而使能存储单元阵列110的存储器块BK之一。为此，X-译码器130包括分别耦接到所述存储器块的块开关131。每个块开关131响应于从控制逻辑电路160提供的地址信号而使能它的对应的存储器块BK。一旦块开关131使能存储器块BK，则已使能的存储器块BK的漏极选择线DSL、源极选择线SSL、和字线WL0～WL31与全局漏极选择线GDSL、全局源极选择线GSSL、和全局字线GWL0～GWL31电连接。全局漏极选择线GDSL、全局源极选择线GSSL、和全局字线GWL0～GWL31供应有从电压供应电路140产生的工作电压。电压供应电路140响应于从控制逻辑电路160提供的控制信号而产生工作电压。这些工作电压是编程电压、读取电压、检验电压、擦除电压等。控制逻辑电路160响应于通过输入/输出逻辑电路150输入的命令而输出用于控制页面缓冲器组120、X-译码器130、本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种编程半导体存储器件的方法，该方法包括：依据目标编程电压电平将存储单元分成存储单元组；通过向所述存储单元组顺序施加与所述目标编程电压电平对应的编程电压来对所述存储单元组执行编程操作。

【技术特征摘要】
2010.06.04 KR 52886/101.一种编程半导体存储器件的方法，该方法包括：依据目标编程电压电平将存储单元分成存储单元组；通过向所述存储单元组顺序施加与所述目标编程电压电平对应的编程电压来对所述存储单元组执行编程操作；以及通过使用依据所述存储单元组的检验电压、以及双检验电压，在对所述存储单元组的全部执行了所述编程操作之后依序编程检验所述存储单元组，其中对所述存储单元组执行编程操作包括：将连接至第一存储单元组的位线电压设置为大于地电压0V且小于电源电压Vcc的预定电压，并且将连接至第二存储单元组的位线电压设置为电源电压Vcc；施加用于编程第一存储单元组的编程脉冲；将连接至第二存储单元组的位线电压设置为地电压0V，并且将连接至第一存储单元组的位线电压设置为电源电压Vcc；以及施加用于编程第二存储单元组的编程脉冲。2.如权利要求1所述的方法，其中该编程操作依序从与最低阈电压对应的编程电压开始并以与最高阈电压对应的编程电压结束。3.如权利要求1所述的方法，其中在向所述存储单元组之一施加编程电压的同时，阻止其他存储单元组被编程。4.一种编程半导体存储器件的方法，该半导体存储器件的存储单元被编程为具有第一至第三阈电压分布中的一个，该方法包括：将连接至第一存储单元组的位线电压设置为大于地电压0V且小于电源电压Vcc的预定电压，并且将连接至第二存储单元组的位线电压设置为电源电压Vcc；施加第一编程电压以编程第一存储单元组，第一存储单元组的阈电压将被移动到第一阈电压分布中；将连接至第二存储单元组的位线电压设置为地电压0V，并且将连接至第一存储单元组的位线电压设置为电源电压Vcc；施加第二编程电压以编程第二存储单元组，第二存储单元组的阈电压将被移动到第三阈电压分布中；以及通过使用依据第一存储单元组的第一检验电压、依据第二存储单元组的第二检验电压、以及双检验电压，在将第一编程电压施加到第一存储单元组并且将第二编程电压施加到第二存储单元组之后依序编程检验第一和第二存储单元组。5.如权利要求4所述的方法，进一步...

【专利技术属性】
技术研发人员：林相吾，朴镇寿，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR