使用自适应编程验证方案的闪速存储器件和相关操作方法技术

一种对闪速存储器件进行编程的方法，包括：对选定的存储单元编程；执行验证操作，以确定选定的存储单元是否达到了目标编程状态；以及基于与检测初始编程状态的编程期间的合格比特相关联的编程特性，来确定验证操作的起始点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术原理的实施例一般地涉及半导体存储器件。更具体地，本专利技术原理的实施例涉及。
技术介绍
半导体存储器在从卫星到消费产品的多种现代电子器件中扮演着重要角色。因此，半导体存储器技术的进步可以导致大量技术应用的显著提升。根据是否在断电时保持存储数据，可以将半导体存储器件粗略地划分为两个类另O。所述类别包括易失性半导体存储器件和非易失性半导体存储器件，其中易失性半导体存储器件在断电时丢失存储数据，而非易失性半导体存储器件在断电时保持存储数据。易失性存储器件的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)器件和动态随机存取存储器(DRAM) 器件。非易失性存储器件的示例包括各种只读存储器(ROM)，例如MROM、PROM、EPROM和 EEPROM。近年来，EEPROM形式的闪速存储器变得越来越普遍。与其他形式的非易失性存储器相比，闪速存储器较为廉价，并且能够提供较高性能和数据存储容量。此外，闪速存储器能够抗物理震动，使其特别广泛地用于便携式设备中，例如蜂窝电话、数码相机、笔记本计算机等。闪速存储器具有两种普通配置，包括NOR配置和NAND配置。具有这些配置的闪速存储器分别被称为NOR闪速本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种对闪速存储器件编程的方法，包括：对选定的存储单元编程；执行验证操作，以确定选定的存储单元的阈值电压是否达到了与目标编程状态相对应的验证电平；根据与检测选定的存储单元中的初始合格比特相关联的参数，确定针对至少一个目标编程状态的验证起始点；和根据与检测将多个选定的存储单元成功编程为最低的目标编程状态相关联的参数，确定针对至少一个目标编程状态的验证结束点。

【技术特征摘要】
2010.02.11 KR 10-2010-00128941.一种对闪速存储器件编程的方法，包括对选定的存储单元编程；执行验证操作，以确定选定的存储单元的阈值电压是否达到了与目标编程状态相对应的验证电平；根据与检测选定的存储单元中的初始合格比特相关联的参数，确定针对至少一个目标编程状态的验证起始点；和根据与检测将多个选定的存储单元成功编程为最低的目标编程状态相关联的参数，确定针对至少一个目标编程状态的验证结束点。2.根据权利要求1所述的方法，其中与检测初始合格比特相关联的参数是在检测到初始合格比特的编程循环中，用于对选定的存储单元编程的编程电压。3.根据权利要求1所述的方法，其中验证起始点是验证起始循环。4.根据权利要求1所述的方法，其中验证起始点根据与初始编程状态相对应的第一阈值电压分布和与所述至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹翔镛，尹铉竣，金甫根，朴起台，金武星，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR