双晶体管NOR式非挥发性内存单元数组与双晶体管NOR式非挥发性内存的数据处理方法技术

本发明专利技术提供一包括至少一单元的双晶体管（２Ｔ）ＮＯＲ式单元数组，以及一单元，其包含一选择晶体管和具有一电荷储存浮闸或者一电荷储存介电质的一储存晶体管，并且提供一双晶体管（２Ｔ）ＮＯＲ式闪存单元的数据处理方法，该双晶体管ＮＯＲ式闪存单元被用于一双晶体管ＮＯＲ式单元数组中储存数据、读取所储存的数据、和擦除所储存的数据。该双晶体管ＮＯＲ式单元数组包括一选择晶体管和一储存晶体管。该选择晶体管包括一连接至一位线的接线端和加载一选择信号的闸电极接线端。储存晶体管包括一连接至选择晶体管的剩下一端的接线端，其另一个接线端连接至一共源极线，并且其一闸电极上加载一控制电压。当执行一编程处理的时候，一负偏压载入至选择晶体管和储存晶体管的体内区域，并且在储存晶体管的闸电极区域和体内区域之间提供一浮闸或者一电荷储存介电质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种至少包括一单元的双晶体管（２Ｔ）ＮＯＲ式非挥发性内存单元数组，并且一单元包括：　一选择晶体管，其具有一连接至一位线的接线端和一加载一选择信号的闸电极接线端；以及　一储存晶体管，其具有一连接至该选择晶体管的另一端的接线端，其另 一端连接至一公共源电极线，而一闸电极加载一控制电压；　其特征在于，当进行一编程操作时，选择晶体管和储存晶体管的体区域上加载一逆向偏压电压，并且在储存晶体管和体区域之间提供一浮闸或者一电荷储存介电质。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔雄林，
申请(专利权)人：崔雄林，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]