本发明提供一包括至少一单元的双晶体管（２Ｔ）ＮＯＲ式单元数组，以及一单元，其包含一选择晶体管和具有一电荷储存浮闸或者一电荷储存介电质的一储存晶体管，并且提供一双晶体管（２Ｔ）ＮＯＲ式闪存单元的数据处理方法，该双晶体管ＮＯＲ式闪存单元被用...

本发明提供了一种可在热载流子注入方案中编程的反及闸记忆体阵列格，一种具有所述反及闸记忆体阵列格的反及闸快闪记忆体，以及一种用于所述反及闸快闪记忆体的资料处理方法。所述反及闸记忆体阵列格包括一个选择晶体管和至少两个储存晶体管。所述反及闸记...

本发明公开了一种非易失性半导体存储器及其操作方法，存储器包括：具有有源区和场区的半导体衬底；至少两个非易失性存储晶体管，每个非易失性存储晶体管有在有源区的存储器和在存储器的控制栅，每一个控制栅置于单个控制板中；和至少两个选择晶体管，每个...