用于在编程期间补偿邻居单元的干扰电荷的非易失性存储器和方法技术

被存储在非易失性存储器单元的电荷存储元件上的表观电荷的移动可能出现，因为基于被存储在相邻电荷存储元件中的电荷的电场的耦合。为了补偿这种耦合，对于给定存储器单元的编程处理可以考虑一个或多个相邻存储器单元的目标编程状态。在每个编程脉冲和编程单元的标准验证电平依赖于目标状态之后验证编程的量。验证电平是可由其目标状态确定的、依赖于来自相邻单元的干扰量的更低的偏移。优选地通过偏置相邻字线而不实际偏移标准验证电平，来虚拟地偏移验证电平。对于软编程擦除单元，考虑在两个相邻字线上的邻居单元。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于非易失性存 储器的技术。
技术介绍
半导体存储器越来越普及地用于各种电子设备中。。例如，非易失性半导体存储器 被用在蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算机设备和其它设备 中。电可擦可编程只读存储器(EEPROM)和闪存位列最流行的非易失性半导体存储器中。EEPROM和闪存都利用了被置于半导体衬底中的沟道区之上并且与沟道区隔离的 浮置栅极。浮置栅极被置于源极和漏极区之间。控制栅极被提供在浮置栅极上并与浮置栅 极隔离。晶体管的阈值电压由在浮置栅极上保持的电荷量来控制。即，在晶体管导通前必 须施加到控制栅极以允许其源极和漏极之间导电的最小电压量由浮置栅极上的电荷水平 来控制。当对EEPROM或闪存器件例如NAND闪存器件编程时，通常编程电压被施加到控 制栅极，且位线接地。来自沟道的电子被注入浮置栅极。当电子在浮置栅极中累积时，浮 置栅极变为充负电，且存储器单元的阈值电压被升高使得存储器单元处于编程状态。更多 关于编程的信息能够在题为 “SourceSide Self-Boosting Technique For Non-Volatile Memo本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种并行地编程一组存储器单元而减少由于来自相邻存储器单元的干扰电场的差错的方法，包括：（ａ）选择要被并行编程到给定目标状态的一组存储器单元；（ｂ）并行地向该组存储器单元施加预定的一定量编程波形电压，来增加被编程的每个存储器单元的阈值电压；（ｃ）通过确定相对于预定验证电平而正被验证的存储器单元的阈值电压来相对于给定目标状态验证该组存储器单元的编程状态，该预定验证电平是给定目标状态和与正被验证的存储器单元相邻的存储器单元的目标状态的函数；（ｄ）禁止进一步编程在该组中已经被验证的存储器单元；以及重复（ｂ）到（ｄ）直到该组的存储器单元都被验证为处于给定的目标存储器状态。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2007-9-17 11/856,625一种并行地编程一组存储器单元而减少由于来自相邻存储器单元的干扰电场的差错的方法，包括(a)选择要被并行编程到给定目标状态的一组存储器单元；(b)并行地向该组存储器单元施加预定的一定量编程波形电压，来增加被编程的每个存储器单元的阈值电压；(c)通过确定相对于预定验证电平而正被验证的存储器单元的阈值电压来相对于给定目标状态验证该组存储器单元的编程状态，该预定验证电平是给定目标状态和与正被验证的存储器单元相邻的存储器单元的目标状态的函数；(d)禁止进一步编程在该组中已经被验证的存储器单元；以及重复(b)到(d)直到该组的存储器单元都被验证为处于给定的目标存储器状态。2.根据权利要求1所述的方法，其中，该函数产生用于将给定存储器单元编程到目标 状态的预定验证电平，以便当在给定存储器单元之后编程相邻存储器单元时仍可以从给定 的存储器单元读取正确的目标状态。3.根据权利要求1所述的方法，其中，这些存储器单元可由字线和位线访问，且相邻存 储器单元包括与正被验证的存储器单元共享公共字线的存储器单元。4.根据权利要求1所述的方法，其中，这些存储器单元可由字线和位线访问，且相邻存 储器单元包括与正被验证的存储器单元共享公共位线的存储器单元。5.根据权利要求1所述的方法，其中，这些存储器单元可由字线和位线访问，且所述验 证步骤还包括用由在正被验证的存储器单元的字线上的预定验证电平给定的电压来感测。6.根据权利要求1所述的方法，其中，这些存储器单元可由字线和位线访问，且所述验 证步骤还包括用由在正被验证的存储器单元的字线上的目标验证电平给定的电压和在相邻字线上 的偏压来感测，所述目标验证电平是目标状态的函数，所述偏压是与正被验证的存储器单 元相邻的存储器单元的目标状态的函数。7.根据权利要求5所述的方法，其中，在正被验证的存储器单元的字线上的预定验证 电平是来自相邻存储器单元的干扰量的减函数。8.根据权利要求6所述的方法，其中，在正被验证的存储器单元的字线上的预定验证 电平是来自相邻存储器单元的干扰量的减函数。9.一种非易失性存储器，包括存储器单元的阵列，可逐行由一组字线且逐列由一组位线寻址；用于一组存储器单元的每个的读/写电路，用于并行地编程和验证；以及对该组的每个存储器单元的验证相对于给定目标状态的预定验证电平，该预定验证电 平是给定目标状态和与正被验证的存储器单元相邻的存储器单元的目标状态的函数。10.根据权利要求9所述的非易失性存储器，其中，该函数产生用于将给定存储器单元 编程到目标状态的预定验证电平，以便当在该给定存储器单元之后编程相邻存储器单元时 仍可以从给定的存储器单元读取正确的目标状态。11.根据权利要求9所述的非易失性存储器，其中，这些存储器单元可由字线和位线访 问，且相邻存储器单元包括与正被验证的存储器单元共享公共字线的存储器单元。12.根据权利要求9所述的非易失性存储器，其中，这些存储器单元可由字线和位线访 问，且相邻存储器单元包括与正被验证的存储器单元共享公共位线的存储器单元。13.根据权利要求9所述的非易失性存储器，其中，这些存储器单元可由字线和位线访 问，且由读/写电路进行的所述验证还包括用由在正被验证的存储器单元的字线上的预定验证电平给定的电压来感测。14.根据权利要求9所述的非易失性存储器，其中，这些存储器单元可由字线和位线访 问，且由读/写电路进行的所述验证还包括用由在正被验证的存储器单元的字线上的目标验证电平给定的电压和在相邻字线上 的偏压来感测，所述目标验证电平是目标状态的函数，所述偏压是与正被验证的存储器单 元相邻的存储器单元的目标状态的函数。15.根据权利要求13所述的非易失性存储器，其中，在正被验证的存储器单元的字线 上的预定验证电平是来自相邻存储器单元的干扰量的减函数。16.根据权利要求14所述的非易失性存储器，其中，在正被验证的存储器单元的字线 上的预定验证电平是来自相邻存储器单元的干扰量的减函数。17.一种非易失性存储器，包括存储器单元的阵列，可逐行由一组字线且逐列由一组位线寻址；用于一组存储器单元的每个的读/写电路，用于并行地编程和验证；以及相对于给定目标状态的预定验证电平验证该组的每个存储器单元的装置，该预定验证 电平是给定目标状态和与正被验证的存储器单元相邻的存储器单元的目标状态的函数。18.在具有可由字线和位线访问的存储器单元的阵列的非易失性存储器中，一种并行 地编程一组存储器单元而减少由于来自相邻存储器单元的干扰电场的差错的方法，包括(a)指定要被并行编程到给定目标状态的一组存储器单元；(b)并行地向该组存储器单元施加一定量编程波形电压，来增加被编程的每个存储器 单元的阈值电压；(c)向访问该组存储器单元的字线施加预定验证电压电平，该预定验证电压电平是该 给定目标状态的第一函数；(d)向相邻字线施加预定偏压电平，该预定偏压是与正被验证的存储器单元相邻的存 储器单元的目标状态的第二函数；(e)感测以验证被编程的该组存储器单元；(f)禁止进一步编程在该组中已经被验证为已被编程到该给定目标状态的存储器单 元；以及重复(b)到(f)直到该组的存储器单元都被验证为处于给定的目标状态。19.根据权利要求18所述的方法，其中，该第二函数产生用于验证的预定偏压电平...

【专利技术属性】
技术研发人员：李艳，
申请(专利权)人：桑迪士克公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]