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被存储在非易失性存储器单元的电荷存储元件上的表观电荷的移动可能出现，因为基于被存储在相邻电荷存储元件中的电荷的电场的耦合。为了补偿这种耦合，对于给定存储器单元的编程处理可以考虑一个或多个相邻存储器单元的目标编程状态。在每个编程脉冲和编程单元...
该专利属于桑迪士克公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克公司授权不得商用。

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