【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路领域,特别涉及一种Fibonacci电荷泵。
技术介绍
电荷泵也称为开关电容式电压变换器,是一种利用所谓的“快速”(flying)或“泵送”电容(而非电感或变压器)来储能的DC-DC(变换器)。它们能使输入电压升高或降低,也可以用于产生负电压。其内部的FET开关阵列以一定方式控制快速电容器的充电和放电,从而使输入电压以一定因数(0.5,2或3)倍增或降低,从而得到所需要的输出电压。电荷泵大多应用在需要电池的电子系统中,例如,电荷泵可用于显示器的驱动电路中,驱动显示器的背光LED。Fibonacci电荷泵作为两相时钟系统中所需电容个数最少、升压倍数最高的结构,广泛应用于高电压工业用电,并且电容一般外置。如图1所示为(n-1)阶Fibonacci电荷泵的原理图。考虑理想情况(电容足够大,同时充电时间足够长,从而电压损耗可忽略),经过若干周期的电荷传输之后,系统达到稳定状态。当时钟相位φ1=1,φ2=0时,电容C1被预充至VDD,由于在前一个相位电容C2已经被预充至2VDD,从而电容C3被预充至即3VDD。在另一相位(即φ2=1,φ1=0),由于之前的相位已经预充电容C1、C3电压达到VDD和3VDD,此时电容C4被预充至即5VDD。按照这样的思路分析,可以发现:理想情况下电容(C1,C2,...,Cn-1,Cn)上存储电压分别为(VDD,2VDD,...,Fn-1·VDD,Fn·VDD),其中Fn表示Fibonacci数列(斐波那契数列)的第n个数。因此,现有的Fibonacci电荷泵仅能产生Fibonacci数等电压倍率(VCR=1,2, ...
【技术保护点】
一种Fibonacci电荷泵,包括顺序连接的N‑1阶电压存储单元,每阶电压存储单元的电压输入端为前一阶电压存储单元的电压输出端,第N‑1阶电压存储单元的电压输出端将变压后的电压输出到电荷泵输出端,每阶电压存储单元包括:电压输入端、电压输出端、第一开关、第二开关、第三开关和充电电容;所述N‑1阶电压存储单元中奇数阶电压存储单元的第一开关和第三开关由第一时钟控制导通或断开,第二开关由第二时钟控制导通或断开,偶数阶电压存储单元的第一开关和第三开关由第二时钟控制导通或断开,第二开关由第一时钟控制导通或断开,第一时钟和第二时钟为互不交叠的两相时钟;第一开关连接在本阶电压存储单元的电压输入端和本阶电压存储单元的电压输出端之间,第三开关连接在本阶电压存储单元的充电电容的第二端和地之间,充电电容的第一端连接本阶电压存储单元的电压输出端,其特征在于:所述第一阶电压存储单元的第二开关连接在本阶电压存储单元的充电电容的第二端和本阶电压存储单元的电压输入端之间,第M阶电压存储单元的第二开关连接在本阶电压存储单元的充电电容的第二端和J阶电压存储单元的电压输入端之间,其中M为大于或等于2且小于或等于N‑1的整数, ...
【技术特征摘要】
1.一种Fibonacci电荷泵,包括顺序连接的N-1阶电压存储单元,每阶电压存储单元的电压输入端为前一阶电压存储单元的电压输出端,第N-1阶电压存储单元的电压输出端将变压后的电压输出到电荷泵输出端,每阶电压存储单元包括:电压输入端、电压输出端、第一开关、第二开关、第三开关和充电电容;所述N-1阶电压存储单元中奇数阶电压存储单元的第一开关和第三开关由第一时钟控制导通或断开,第二开关由第二时钟控制导通或断开,偶数阶电压存储单元的第一开关和第三开关由第二时钟控制导通或断开,第二开关由第一时钟控制导通或断开,第一时钟和第二时钟为互不交叠的两相时钟;第一开关连接在本阶电压存储单元的电压输入端和本阶电压存储单元的电压输出端之间,第三开关连接在本阶电压存储单元的充电电容的第二端和地之间,充电电容的第一端连接本阶电压存储单元的电压输出端,其特征在于:所述第一阶电压存储单元的第二开关连接在本阶电压存储单元的充电电容的第二端和本阶电压存储单元的电压输入端之间,第M阶电压存储单元的第二开关连接在本阶电压存储单元的充电电容的第二端和J阶电压存储单元的电压输入端之间,其中M为大于或等于2且小于或等于N-1的整数,J为小于M的整数。2.如权利要求1所述的Fibonacci电荷泵,其特征在于:还包括前置电荷泵,所述前置电荷泵连接在第一阶电压存储单元的电压输入端与电压供给端之间,用于将电压供给端提供的电压进行至少两倍放大后提供给后续的电压存储单元。3.权利要求1所述的Fibonacci电荷泵,其特征在于:还包括连接在第N-1阶电压存储单元输出端与电荷泵输出端之间的开关管MN1,以及连接在电荷泵输出端与地之间的输出电容CL。4.如权利要求3所述的Fibonacci电荷泵,其特征在于,所述N等于7,所述电荷泵的第二至第五阶电压存储单元的第二开关的一端与本阶充电电容的第二端连接,第二开关的另一端分别与前一阶电压存储单元的电压输入端连接;所述电荷泵的第六阶电压存储单元的第二开关的一端与本阶充电电容的第二端连接,第二开关的另一端...
【专利技术属性】
技术研发人员:张敏,林和生,
申请(专利权)人:北京大学深圳研究生院,
类型:发明
国别省市:广东;44
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